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APT32F120J
Microsemi
16+
10
分立半导体模块
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BF1202 215
NXP
16+
1
SOT-143B-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1205 135
NXP
16+
21
SOT-143B-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1207 115
NXP
16+
336
SOT-143B-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1204 135
NXP
16+
336
SOT-143B-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
友情
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BF1205C 115
NXP
16+
30
SOT-363-6
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1208 115
NXP
16+
13
SOT-143B-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1206F 115
NXP
16+
27
SOT-666-6
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1201WR 135
NXP
16+
17
SOT-343R-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1206 115
NXP
16+
315
SOT-143B-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1204 115
NXP
16+
95
SOT-143B-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1202R 215
NXP
16+
21
SOT-143R-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1201 215
NXP
16+
28
SOT-143B-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1201R 215
NXP
16+
52
SOT-143R-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1205 115
NXP
16+
30
SOT-143B-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BF1208D 115
NXP
16+
28
SOT-666-6
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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F1200NBGI
IDT
16+
260
射频放大器
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F1200NBGI8
IDT
16+
100
射频放大器
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GB75YF120N
IR
64
模块
代理IR可控硅
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GB50XF120K
IR
40
模块
50A|1200V|IGBT
代理IR可控硅
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GB35XF120K
IR
200
模块
35A|1200V|IGBT
代理IR可控硅
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GB25XF120K
IR
60
模块
25A|1200V|PIM|7U
代理IR可控硅
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GB25RF120K
IR
40
模块
25A|1200V|PIM|7U
代理IR可控硅
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链接
GB25FF120K
IR
30
模块
25A|1200V|PIM|7U
代理IR可控硅
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链接
GB15XF120K
IR
20
模块
15A|1200V|IGBT
代理IR可控硅
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链接
GB15RF120K
IR
10
模块
15A|1200V|IGBT
代理IR可控硅
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链接
GB10XF120K
IR
81
模块
10A|1200V|IGBT
代理IR可控硅
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APT7F120S
APT
D3PAK
200
模块
7A|1200V|FREDFET|1U
代理APT可控硅
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APT7F120B
APT
TO-247 or D3
150
模块
7A|1200V|FREDFET|1U
代理APT可控硅
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APT60GF120JRDQ3
APT
ISOTOP
78
模块
80A|1200V|IGBT|1U
代理APT可控硅
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