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型号：

A2T07H310-24SR6

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批号：

16+

数量：

10883

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包装：

备注：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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型号	厂家	批号	数量	封装	包装	备注	PDF	WORD
A2T08VD021NT1	NXP	21+	5000	LDMOS		移动通信基础设施
A2T07D160W04SR3	NXP	21+	2000	LDMOS		移动通信基础设施
A2T09VD250NR1	NXP	21+	1500	LDMOS		移动通信基础设施
A2T09VD300NR1	NXP	21+	2000	LDMOS		移动通信基础设施
A2T09D400-23NR6	NXP	21+	5000	LDMOS		移动通信基础设施
A2T08VD020NT1	NXP	21+	8000	LDMOS		移动通信基础设施
A2T07H310-24SR6	NXP	21+	9000	LDMOS		移动通信基础设施
A2T07H310-24SR6	NXP USA Inc.	18+	0	NI-1230-4LS2L	晶体管FETMOSFET 射频	FET RF 2CH 70V 880MHZ
A2T09VD300NR1	NXP USA Inc.	18+	0	TO-270-6 变式，扁平引线	晶体管FETMOSFET 射频	IC TRANS RF LDMOS
A2T07D160W04SR3	NXP USA Inc.	18+	0	NI-780S-4	晶体管FETMOSFET 射频	FET RF 2CH 70V 803MHZ
A2T09VD250NR1	NXP USA Inc.	18+	0	TO-270-6 变式，扁平引线	晶体管FETMOSFET 射频	IC TRANS RF LDMOS
A2T09D400-23NR6	NXP\|Freescale	16+	13			射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
A2T08VD020NT1	NXP\|Freescale	16+	28			射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
A2T07D160W04SR3	NXP\|Freescale	16+	315			射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
A2T09VD250NR1	NXP\|Freescale	16+	28			射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
A2T09VD300NR1	NXP\|Freescale	16+	10883			射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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