FDV304P Fairchild仙童代理MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

制造商零件编号	制造商	描述	现有数量	单价 USD	最低订购数量	包装	系列	FET 类型	FET 功能	漏源极电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）	不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）	不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	功率 - 最大值	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装
FDV304P	Fairchild Semiconductor	MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23	128,715 - 立即发货	计算	1	Digi-Reel® 可替代的包装	-	MOSFET P 通道，金属氧化物	逻辑电平门	25V	460mA （Ta）	1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.5nC @ 4.5V	63pF @ 10V	350mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
FDV303N	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23	39,000 - 立即发货	0.06118	3,000	带卷（TR）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平门	25V	680mA （Ta）	450 毫欧 @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2.3nC @ 4.5V	50pF @ 10V	350mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
FDV303N	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23	39,434 - 立即发货	0.38000	1	剪切带（CT）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平门	25V	680mA （Ta）	450 毫欧 @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2.3nC @ 4.5V	50pF @ 10V	350mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
FDV303N	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23	39,434 - 立即发货	计算	1	Digi-Reel® 可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平门	25V	680mA （Ta）	450 毫欧 @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2.3nC @ 4.5V	50pF @ 10V	350mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
2SK3019TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 30V .1A SOT416	111,000 - 立即发货	0.06440	3,000	带卷（TR）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	30V	100mA （Ta）	8 欧姆 @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	150mW	表面贴装	SC-75，SOT-416	EMT3
2SK3019TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 30V .1A SOT416	195,358 - 立即发货	0.40000	1	剪切带（CT）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	30V	100mA （Ta）	8 欧姆 @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	150mW	表面贴装	SC-75，SOT-416	EMT3
2SK3019TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 30V .1A SOT416	196,058 - 立即发货	计算	1	Digi-Reel® 可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	30V	100mA （Ta）	8 欧姆 @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	150mW	表面贴装	SC-75，SOT-416	EMT3
2SK3018T106	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323	12,000 - 立即发货	0.06440	3,000	带卷（TR）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	30V	100mA （Ta）	8 欧姆 @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	200mW	表面贴装	SC-70，SOT-323	UMT3
2SK3018T106	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323	16,967 - 立即发货	0.40000	1	剪切带（CT）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	30V	100mA （Ta）	8 欧姆 @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	200mW	表面贴装	SC-70，SOT-323	UMT3
2SK3018T106	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323	16,967 - 立即发货	计算	1	Digi-Reel® 可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	30V	100mA （Ta）	8 欧姆 @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-	13pF @ 5V	200mW	表面贴装	SC-70，SOT-323	UMT3
NDS7002A	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23	33,000 - 立即发货	0.06877	3,000	带卷（TR）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平门	60V	280mA （Ta）	2 欧姆 @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	300mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
NDS7002A	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23	34,981 - 立即发货	0.42000	1	剪切带（CT）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平门	60V	280mA （Ta）	2 欧姆 @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	300mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
NDS7002A	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23	34,981 - 立即发货	计算	1	Digi-Reel® 可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平门	60V	280mA （Ta）	2 欧姆 @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA	-	50pF @ 25V	300mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
MMBF170	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23	27,000 - 立即发货 168,000 - 厂方库存	0.06877	3,000	带卷（TR）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	标准	60V	500mA （Ta）	5 欧姆 @ 200mA，10V	3V @ 1mA	-	40pF @ 10V	300mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
MMBF170	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23	27,617 - 立即发货 168,000 - 厂方库存	0.42000	1	剪切带（CT）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	标准	60V	500mA （Ta）	5 欧姆 @ 200mA，10V	3V @ 1mA	-	40pF @ 10V	300mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
MMBF170	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23	27,617 - 立即发货 168,000 - 厂方库存	计算	1	Digi-Reel® 可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	标准	60V	500mA （Ta）	5 欧姆 @ 200mA，10V	3V @ 1mA	-	40pF @ 10V	300mW	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23
SSM3K36MFV(TL3,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 500MA VESM	24,000 - 立即发货	0.07650	8,000	带卷（TR）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，1.5V 驱动	20V	500mA （Ta）	630 毫欧 @ 200mA，5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V	46pF @ 10V	150mW	表面贴装	SOT-723	VESM
SSM3K36MFV(TL3,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 500MA VESM	46,852 - 立即发货	0.44000	1	剪切带（CT）可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，1.5V 驱动	20V	500mA （Ta）	630 毫欧 @ 200mA，5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V	46pF @ 10V	150mW	表面贴装	SOT-723	VESM
SSM3K36MFV(TL3,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 500MA VESM	46,852 - 立即发货	计算	1	Digi-Reel® 可替代的包装	-	MOSFET N 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，1.5V 驱动	20V	500mA （Ta）	630 毫欧 @ 200mA，5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V	46pF @ 10V	150mW	表面贴装	SOT-723	VESM
AO3419	Alpha & Omega Semiconductor Inc	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23	36,000 - 立即发货	0.08000	3,000	带卷（TR）可替代的包装	-	MOSFET P 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	20V	3.5A （Ta）	75 毫欧 @ 3.5A，10V	1.4V @ 250µA	6.6nC @ 4.5V	620pF @ 10V	1.4W	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23-3
AO3419	Alpha & Omega Semiconductor Inc	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23	38,464 - 立即发货	0.56000	1	剪切带（CT）可替代的包装	-	MOSFET P 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	20V	3.5A （Ta）	75 毫欧 @ 3.5A，10V	1.4V @ 250µA	6.6nC @ 4.5V	620pF @ 10V	1.4W	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23-3
AO3419	Alpha & Omega Semiconductor Inc	MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23	38,464 - 立即发货	计算	1	Digi-Reel® 可替代的包装	-	MOSFET P 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	20V	3.5A （Ta）	75 毫欧 @ 3.5A，10V	1.4V @ 250µA	6.6nC @ 4.5V	620pF @ 10V	1.4W	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23-3
AO3401A	Alpha & Omega Semiconductor Inc	MOSFET P-CH 30V 4A SOT23	39,000 - 立即发货	0.08100	3,000	带卷（TR）可替代的包装	-	MOSFET P 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	30V	4A （Ta）	44 毫欧 @ 4.3A，10V	1.3V @ 250µA	12.2nC @ 4.5V	1200pF @ 15V	1.4W	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23-3
AO3401A	Alpha & Omega Semiconductor Inc	MOSFET P-CH 30V 4A SOT23	41,125 - 立即发货	0.48000	1	剪切带（CT）可替代的包装	-	MOSFET P 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	30V	4A （Ta）	44 毫欧 @ 4.3A，10V	1.3V @ 250µA	12.2nC @ 4.5V	1200pF @ 15V	1.4W	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23-3
AO3401A	Alpha & Omega Semiconductor Inc	MOSFET P-CH 30V 4A SOT23	41,125 - 立即发货	计算	1	Digi-Reel® 可替代的包装	-	MOSFET P 通道，金属氧化物	逻辑电平栅极，2.5V 驱动	30V	4A （Ta）	44 毫欧 @ 4.3A，10V	1.3V @ 250µA	12.2nC @ 4.5V	1200pF @ 15V	1.4W	表面贴装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23-3