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主营FGL35N120FTD 1200V IGBT单管


来源: | 时间:2014年07月22日

主营FGL35N120FTD FGL35N120FTDTU 1200V 35A IGBT

仙童Fairchild FGL35N120FTDTU 1200V IGBT单管 采用先进的场截止沟槽技术,具有优良的传导和开关特性,易于与外加的雪崩耐受器件平行工作。 FGL35N120FTDTU主要设计用于软开关应用

 

FGL35N120FTD FGL35N120FTDTU参数说明:

符号

说明

FGL35N120FTD FGL35N120FTDTU

单位

VCES

集电极-发射极之间电压

1200

V

VGES

门极-发射极间电压

±25

IC

集电极电流                @TC=25

70

A

集电极电流                @TC=100

35

ICM

集电极脉冲电流            @TC=25

105

IF

二极管正向连续电流        @TC=100

40

PD

最大功耗                  @TC=25

368

W

最大功耗                  @TC=100

147

TJ

结温

-55 to+ 150

TSTG

存储温度范围

-55 to+ 150

TL

焊接用最高引线温度,1/8”自壳,约5秒钟

300

 

特性:

• 场截止沟槽技术

• 高速开关

• 低饱和电压 : VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A

• 高输入阻抗

    封装:TO-264

 

适用范围:

• 感应加热和微波炉

• 软开关应用

 

FGL35N120FTD  FGL35N120FTDTU 引脚说明:

 


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