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代理富士1MBH60D-100 IGBT单 感应加热IGBT


来源: | 时间:2014年10月24日

代理富士1MBH60D-100 IGBT单 感应加热IGBT

富士1MBH60D-100 资料参数说明:

符号
说明
1MBH60D-100
单位
VCES
集电极·发射极之间电压
1000
V
VGES
栅极·发射极问电压
±25
IC
集电极电流                @TC=25
60
A
Icpuls(50us)
集电极脉冲电流            @TC=25
180
PC
集电极损失               
260
W
TJ
结合部温度
+ 150
TSTG
存储温度范围
-40 to+ 150

 
1MBH60D-100 IGBT单管特性:
·高速开关
·低饱和电压
·高阻抗栅
·封装:TO-3PL
 
应用
·电压谐振电源
·感应加热器
 

1MBH60D-100电路图:

1MBH60D-100电路图 


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