代理富士1MBH60D-100 IGBT单 感应加热IGBT
富士1MBH60D-100 资料参数说明：
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符号 |
说明 |
1MBH60D-100 |
单位 |
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VCES |
集电极·发射极之间电压 |
1000 |
V |
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VGES |
栅极·发射极问电压 |
±25 | |
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IC |
集电极电流 @TC=25℃ |
60 |
A |
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Icpuls(50us) |
集电极脉冲电流 @TC=25℃ |
180 | |
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PC |
集电极损失 |
260 |
W |
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TJ |
结合部温度 |
+ 150 |
℃ |
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TSTG |
存储温度范围 |
-40 to+ 150 |
1MBH60D-100 IGBT单管特性：
·高速开关
·低饱和电压
·高阻抗栅
·封装：TO-3PL
应用
·电压谐振电源
·感应加热器
1MBH60D-100电路图：
