FD650R17IE4
英飞凌FD650R17IE4
产品作用和特性
英飞凌FD650R17IE4 是带有温度检测NTC的PrimePACK™2模块，采用铜基板的标准防装，具有较好的爬电距离和电气间隙，具有很问点和优质的电气特性，直流电压稳定高，电流密度高，在三电平应用、斩波器、风力发电机、大功率变流器等工业电子设备中有很广泛的应用。
大功率和高压的IGBT一般只用在电力换流和电力传动领域（变频器、AFE、SVG、中频感应熔炼炉电源、超大功率逆变）。600V、900V、1200V电压级别200A以下的IGBT也正在取代MOSFET。
英飞凌FD650R17IE4 机械特性
• 封装的CTI>400 0
• 高爬电距离和电气间隙
• 高功率循环和温度循环能力
• 高功率密度
• 铜基板
• 标封装
基本参数 ：IGBT模块 /650A/1700V/斩波 PrimePACK™2模块
【英飞凌FD650R17IE4 封装尺寸和结构图】
【英飞凌FD650R17IE4 产品参数】
| 产品：www.henlito.com | IGBT Silicon Modules |
| 品牌和型号 | 英飞凌 FD650R17IE4 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1700 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.45 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 930A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| 功率耗散： | 20mW |
| 总功率损耗 | 4.15 KW |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| 封装 / 箱体： | PRIME2 |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 产品报价和PDF资料： | 联系索取或咨询 |
【英飞凌FD650R17IE4 电路图】
【FD650R17IE4IGBT IGBT在斩波器中的作用和原理】www.henlito.com
斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和可靠性，因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。
IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件，它是由MOSFET（场效应晶体管）与GTR（大功率达林顿晶体管）结合，并由前者担任驱动，因此具有：驱动功率小，通态压降低，开关速度快等优点，目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。www.henlito.com深圳市亨力拓电子
