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FF800R17KE3


来源: | 时间:2015年05月11日

FF800R17KE3产品图片www.henlito.com深圳市亨力拓电子

英飞凌FF800R17KE3产品实拍图
   英飞凌FF800R17KE3 模块基本参数:IGBT模块,800A/1700V ,针脚数:半桥(2单元) 
 

   FF800R17KE3产品描述www.henlito.com深圳市亨力拓电子

   FF800R17KE3 IGBT模块是英飞凌公司针对460-750Vac的变频器,AFE,SVG,感应加热应用领域开发发售的模块,和已经应用的1700v标准模块相比,FF800R17KE3主要损耗减少了大约20%。除了极低的静态和动态损耗外,FF800R17KE3表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态,尤其适合如e1/e2类型这样的大电流模块。尽管FF800R17KE3的损耗较低,但它的短路电流和开关强度均较大,而且,独特的软穿通结构的电磁干扰很小。spt技术发展的同时,新的软快速恢复二极管也被开发用于辅助spt的特性。新的二极管在任意条件工作时,表现出软恢复和极耐用的的特性。因为并联使用,二极管也要求正的温度系数。www.henlito.com深圳市亨力拓电子
    FF800R17KE3 等效电路
 FF800R17KE3 等效电路
   FF800R17KE3 封装尺寸和外形结构.mm
FF800R17KE3 封装尺寸和外形结构
   FF800R17KE3 产品参数www.henlito.com深圳市亨力拓电子
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
品牌和型号 英飞凌FF800R17KE3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 1150 A
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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最小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2

   FF800117KE3电气特性图

FF800R17KE3开关损耗与电压曲线图
FF800R17KE3电气特性图
FF800R17KE3 安装说明www.henlito.com深圳市亨力拓电子
  在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
 


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