IGBT吸收电路参数的计算方法

在工程实践中广泛采用RCD吸收电路，所以RCD电路设计参数的选择非常重要，本文主要叙述RCD电路的参数设计，当然IGBT逆变电源的电路设计时理论与实际相结合的结果，计算公式得到的参数不能代替试验中测量调试的结果，不过计算可以预测实验结果给出大致的参数范围，方便工程人员进行调试，所以两者相辅相成，工程设计中都不可轻视。
1.缓冲电容Cs的计算
根据△U的表达式可以得到缓冲电容的计算方式为

对于有些封装有2~6单元的IGBT模块来说，L7+L8=0，如果缓冲电路贴在模块的上方安装，则L3+L4=0，此时只存在直流母线到模块之间的分布电感，因此

2.缓冲电阻Rs的计算
Rs是Cs的放电电阻，

，当用

时的

来确定Rs的值，得到t=2.3RsCs，由

可以得出：

缓冲电阻Rs的功率由缓冲电路的损耗来确定。缓冲电路的损耗为

对于2~6单元的IGBT模块来说：

式中I为负载电流的有效值；fs是开关管V1的开关频率。
RCD缓冲电路的特点是能有效抑制开关管关断损耗，但同时也引起了开关管的导通附加损耗，缓冲电容Cs1和Cs2放电时，其所储能量分别消耗在电阻Rs1和Rs2上。总能量损耗正比于Cs·fs，Cs越大，fs越高，缓冲电路的损耗也就越大，有时可能造成缓冲电阻过热。减小缓冲电路损耗的办法时：缓冲二极管的开通延时

；Rs和Cs选用无感原件；PCB布线尽量要短以减小寄生电感的不良影响。
IGBT吸收（缓冲）电路还有其他的电路形式，根据不同的应用需求，读者还可以在本文的基础上继续寻找更加丰富的资料。