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IGBT模块的过流保护电路设计


来源: | 时间:2015年10月15日

IGBT模块的过流保护电路设计

过流保护电路
       过流保护电路是最常见、最常用的过载保护电路,根据电流检测方式的不同,大致有2种类型。
       (1)检测VCE(sat)。正常开通条件下,IGBT的饱和压降约为3V左右,部分低饱和压降的产品已经做到了1.5V左右;当主电路电流过大或者发生负载短路故障时,饱和压降会升高1~2V左右。这种保护方法对IGBT本身发生短路故障不太适用。
       (2)直接检测主电路电流。可以逐管、逐模块检测,也可以检测总电流,无论是负载短路还是IGBT本身短路均可检测,方法有2种:
       ·电流检测,一般采用电流互感器,适用于大电流电路,但是不适合检删直流电流;
       ·电压检测,传感器一般是电阻,检测电阻要消耗能量,适用于小电流电,既能检测直流,也能检测交流。
1.V CE(sat)检测方法
       该检测方法的优点是不会在主电路上产生额外的功耗,保护电路自身的功耗也不高,有两个要点:一是IGBT开通与关断时的VCE差别很大,需要将二者区别开来,只检测开通时的V CE值;其二是如何区分IGBT开通状态下正常工作和过流状态下的VCE值。
(1)VCE(sat)检测电路框图
       VCE(sat)检测电路框图如图1所示。D起隔离作用,IGBT关断时,主电路电压HV十使D反偏;IGBT开通时,VCE只有3V左右,保护电路和栅极驱动电路的电源VCC通常在15V以上,D变为正偏而导通。ZD是检测二极管,IGBT开通时,正常工作状态下的IGBT饱和压降VCE为3V,ZD上的电压为D的开通压降十V CE,ZD不被击穿;当IGBT处于过流状态时,VCE上升至5V以上,D从开通变为截止,ZD击穿导通,保护电路获得过流信号而控制栅极驱动电路停止工作。

 VCE(sat)检测电路框图
图1 VCE(sat)检测电路框图

(2)基于V CE(sat)检测的栅极钳位过流保护电路
       图2是一个简单的基于VCE(sst)检测的栅极钳位过流保护电路,D1相当于图1中的D,ZD1相当于图2中的ZD。ZD2是钳位二极管,当IGBT过流时将栅极电位钳位在6V左右,使IGBT退出饱和导通而转到放大状态,使主电路的电流降下来。保护检测电路的电源由栅极驱动信号的正半周经R1降压获得,D1与R1连接点的电压Vo=V CE(sat)十D1的开通压降十2V,ZD1的稳压值则比Vo高2V左右。这样,一旦D1被反偏截止,ZD1就会被击穿,Q2开通,ZD2被击穿,Q1的栅极电位从15V左右被钳位至6V左右。
 

图2基于VCE(sat)检测的栅极钳位过流保护电路

      C1起缓冲作用。ZD1被击穿时,首先对Cl进行充电,使Ql不至于迅速关断而导致感性负载产生过高的感应电压。
      图3是一个自供电的检测电路,检测信号没有被放大,从检测的角度来看实属被动保护,灵敏度、抗干扰能力、可靠性都比较低,只适合于简单应用。

 EXB841的内部等效电路原理图
图3 EXB841的内部等效电路原理图

(3)基于V CE(sat)检测的过流保护电路
       功能完善的检测电路会有独立的或者与栅极驱动电路共用的电源,检测信号也会有整形和放大,从而提高可靠性和灵敏度以及抗干扰能力。
比较常见的EXB840/850/841/851栅极驱动系列混合集成IC中的过流保护电路就是基于V CE(sat)检测的,其等效电路原理图如图3所示(这是一些厂商用分立元件仿制EXB841的电路)。
       D7相当于图1中的D,起隔离作用;ZD1相当于图1中的ZD;C4相当于图2中的Cl。保护电路由Q1、Q3等元件组成。
栅极驱动电路主要由TLP550、Q2、Q4、Q5组成,栅极驱动信号从EXB841的14脚、15脚输入,输入峰值电流典型值为10mA;驱动信号从1脚、3脚输出,输出峰值电流为±4.0A。EXB841需要一组与主电源隔离的稳压电源供电,供电电压最高不超过20V。ZD2为栅极驱动关断输出提供-5V的负栅压。
      ·正常开通过程:栅极驱动信号从14脚(一)、15脚(十)输入→光耦IC1的输出级导通→Q2关断→Q4开通、Q5关断→外部IGBT导通。
保护电路的动作:Q1关断→C2经R3充电,以免IGBT开通过程中ZD1被击穿造成误动作;在C2充电过程中,随着IGBT的开通,IGBT的集电极电位逐渐下降至8V(以EXB841的电源为基准,同时假定IGBT的饱和压降为3V)→D7饱和导通→IGBT饱和导通,B、C点的电位被钳制在9V(假定D7的饱和压降为1V)。
      
·
正常关断过程:栅极驱动信号停止输入→IC1关断→Q2导通→Q4关断、Q5导通→IGBT关断。
保护电路的同时动作::Qi导通,C2放电,B、C点电位迅速下降到0→随着IGBT的关断,IGBT集电极的电位迅速上升,D7反偏截止。
      ·IGBT开通或者饱和导通过程中,集电极电流超过頭萣磕时,保护电路的动作过程:集电极电流过大导致C-E压降上升至8.5V(典型值)→C点电位上升至14V→ZD1击穿→Q3导通→C4放电→D6导通→D点电位下降→Q4关闭、Q5导通→IGBT关断。
       可见,ZD1的稳压值与外部IGBT过流阈值的设定值有直接关系,选定了ZD1的稳压值,电路的过流保护点也就确定了。
       不过,通过检测饱和压降来判断IGBT的过流状态并不精确。不同的IGBT产品,不同时代的IGBT产品,这个数值并不是固定的,应用上有一定的局限性。
2.电流检测
(1)检测原理
       电流检测采用电流互感器实时检测电路电流,电路原理如图4所示。

 电流检测电路原理
图4 电流检测电路原理

       电流互感器T可以视为一个脉冲升压变压器,主电路串联的绕组只有几圈甚至只有l圈,是为了减少检测带来的损耗。
(2)基于电流互感器检测的栅极钳位过流保护电路
       一个实用的简单电路如图5所示。

 基于电流互感器检测的栅极钳位过流保护电路
图5 基于电流互感器检测的栅极钳位过流保护电路

      用互感器检测信号直接驱动保护电路同样存在灵敏度和抗干扰问题,实际的应用电路往往像图3那样,有完善的检测和执行电路。
3.电阻压降检测
(1)电路框图
      电阻压降检测与电流检测方法相比,电路更为简单,其电路框图如图6所示。

 电阻压降检测方法的电路框图
图6 电阻压降检测方法的电路框图

(2)基于电阻压降检测的栅极钳位过流保护电路
      一个简单的实用电路如图7所示。

 基于电阻压降检测的栅极钳位过流保护电路
图7 基于电阻压降检测的栅极钳位过流保护电路

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