IGBT关断时间参数详解
ton、td（on）、tr、toff、td（off）、tf、（di/dt）on属于IGBT的开关时间参数，直观地表征了IGBT在理想状况下的开关速度。其中，ton=td（on）+tr，toff=td（off）+tf，因此我们只要搞清楚td（on）、tr、td（off）、tr就可以了，技术手册一般给出的也正是这4个参数。
(di/dt)on则是表征IGBT抗电流冲击能力的参数。IGBT不能开得太快，否则会造成集电极电流变化得太快而导致IGBT损坏。
1.给定技术条件
td（on）、tr、td（off）、tr是在给定技术条件下的开关时间参数，这些给定技术参数包括Tc或者Tj、Ic(集电极测试电流）、VGE输入的栅极测试信号的峰值)、RG（外部栅极电阻）、V cc（测试电源电压）。
技术手册一般会根据不同的Tc或者Tj给出两挡开关时间参数，低端一般是Tc＝ 25℃或者Tj =25℃；高端则根据不同制造商、不同型号而有所不同，一般有125℃、150℃、175℃等；
VCC一般是0.5V CES或者0.8V CES； RG因型号而不同，也可以作为一般电路设计时选取RG的依据。
Ic=Ic100或者Ic125。
VGE =15V或者土15V(含义是一样的，前者指正脉冲的峰值)。
td（on）、tr、td（off）、tr是根据上述技术条件搭建测试电路测得的V GE、VCE、IC波形来定义的，如图1所示。对于模块，除了td（off）的定义不同以外，其他开关参数的定义与单管相同。
2.开关参数的定义
·ton：Turn-On time，开通时间。
·td（on）：Turn-On delay time,开通延时。
·tr：Rise time，上升时间。
·toff：Turn-Off time,关断时间。
·td(off)：Turn-Off delay time,关断延时。
·tf：Fall time，下降时间。
·(di/dt)on：Turn-On current slope，开通电流（波形）斜率，单位为A/μs。
tr、tf和td（on）、td（off）在数值上的差别并不太大，但 tr、tf是集电极电流变化范围比较大的时间段，因此对IGBT的性能影响比较大，用它们来衡量IGBT的开关速度也更实用。
要限制(di/dt)on，一般通过调整栅极电阻RG 来实现。
开关时间受Ic的影响比较小，受IG的影响比较明显，而IG又明显受到栅极电阻RG的影响，因此 RG对开关时间是有明显影响的。RG增大，除了会使tf略有减小以外，将使其他开关参数变长，总的影响是使开关时间变长，影响趋势如图2所示。因此，要限制开关时间，可适当增大RG；但是，过度增加RG，会使IGBT的适用功率频率降低，．还会增加栅极驱动功率的消耗。总体上看，RG 一般不超过100Ω，电流规格越大的IGBT，RG的取值越小。
