IGBT模块参数VCE（sat)、VCE（ON)说明

V CE(sat)与VCE（ON)的含义是一样的，本文采纳VCE(sat)。
V CE(sat)也会出现在某些品牌的IGBT技术手册标题中，它是表征IGBT导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。
V CE(sat)中的sat表示饱和（Saturation），其全称是C-E饱和压降Collector-Emitter saturation voltage，具体含义是“给定集电极电流和栅极-发射极电压条件下，集电极-发射极间的电压”（Collector-Emitter voltage at a specified collector current and Gate-Emitter voltage)，即供电电源在 IGBT上的电压降。本文以饱和压降作为其简称。
和V CE(sat)关系紧密的相关参数有Ic和Tj技术手册中给出的都是典型值，且给出V CE(sat)的同时会给出相应的测试条件。虽然因为Ic和Tj的变化V CE(sat)的变化只有几V，但是对于数百A乃至更大电流的应用，这也是很重要的：对于100A的应用来说，1V的变化相当于自身功耗变化100W！
PT-IGBT的V CE(sat)与Tj是负温度系数，因此曲线是稍稍下行的；NPT-IGBT的V CE(sat)则是正温度系数，因此曲线是稍稍上扬的，如图1所示。

图1 两种IGBT的V CE(sat)与Tj的典型关系曲线图

作为直流低俗开关时，在确定IGBT处于饱和导通的情况下，用万用表即可测量C-E间的电压，即饱和压降。但是，IGBT实际应用都处于高速开关状态，测量其饱和压降一般需要使用示波器，并且需要一个简单的辅助电路，如图2所示。

图2 高速开关状态下IGBT的V CE(sat)测量电路

之所以要采用虚线框中的辅助电路，是因为IGBT处于开关状态下的电压幅度变化比较大。当IGBT处于饱和开通状态时，其C-E间的电压就是其饱和压降，一般在5V以下。而当IGBT处于关断状态时，其C-E间的电压大约等于工作电源的电压，为数百V乃至几千kV。这样一来，在示波器上很难看到饱和压降波形，即使是数字存储示波器，也会受限于灵敏度，也很难从存储波形上进行后期分析。
增加虚线框中的电路以后，就可以将IGBT断开时的C-E波形进行有效限幅，从而可以用比较低的幅度档位从容观察IGBT饱和导通时的波形。其中，R是限流电阻，电压等级应高于工作电源电压，功率为5W左右，阻值为10k左右；ZD是稳压二极管，用作限幅，因为IGBT的饱和压降一般都小于5V，所以ZD的稳压值选择7~10V即可；D为隔离二极管，用来阻断ZD的反向恢复电流。