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三菱IGBT模块选型


来源: | 时间:2015年10月31日

三菱IGBT器件从1988年,开发了实现光学神经计算机的主要半导体器件、光学神经芯片起,至今已经被应用到输变电设备、电梯、铁道车辆用电机品、工业自动化设备、家用电器等电子、机器等多个领域内。到目前为止,三菱IGBT模块根据不同的运用领域衍生出十大系列,上百个型号。为方便用户选型,我们将三菱所有IGBT型号整理出来。 

一. 第3代H系列IGBT产品型号
性能特点
 H系列IGBT是三菱公司最为早期的产品,在市场上使用极为广泛,保有量很大。
应用领域:适合中、低端变频器、电源产品设计

                        型 号 列 表
单元数及电路 电压 型号
一单元 三菱第三代H系列一单元模块等效电路图 600V CM300HA-12H CM400HA-12H CM600HA-12H
1200V CM200HA-24H CM300HA-24H CM400HA-24H CM600HA-24H CM800HA-24H
两单元 第3代H系列IGBT两单元等效电路 600V CM50DY-12H CM75DY-12H CM100DY-12H
CM150DY-12H CM200DY-12H CM300DY-12H CM400DY-12H
1200V CM50DY-24H CM75DY-24H CM100DY-24H
CM150DY-24H CM200DY-24H CM300DY-24H
三单元 第3代H系列IGBT三单元等效电路 600V CM15TF-12H CM20TF-12H CM30TF-12H
CM50TF-12H CM75TF-12H CM100TF-12H CM150TF-12H
1200V CM15TF-24H CM20TF-24H CM30TF-24H CM50TF-24H
CM75TF-24H CM100TF-24H
 
二. 
第5代A系列IGBT产品型号
性能特点:
  采用CSTBTTM硅片技术,饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小,比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%,
在相同输出电流时温升低15%;
   成本优化的封装,内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小,模块内部寄生电感小,功率循环能力显著改善。
应用领域:适合中、低端变频器产品设计
型 号 列 表

单元数及电路 电压 型号
一单元 三菱第5代A系列一单元IGBT等效电路图 1200V CM400HA-24A CM600HA-24A CM600HB-24A
两单元 三菱第5代A系列两单元IGBT等效电路图 1200V CM100DY-24A CM150DY-24A CM200DY-24A
CM300DY-24A CM400DY-24A CM600DY-24A
1700V CM75DY-34A CM100DY-34A CM150DY-34A CM200DY-34A  CM400DY-34A
 
 
三. 第5代NF系列IGBT产品型号

性能特点:
  采用低损耗CSTBTTM硅片技术,LPT结构用于1200V模块,更加适合于并联使用,额定电流定义比市场上
同类产品高一个等级;
   外形尺寸与H系列IGBT完全兼容,内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层;
   热阻小,通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc,高功率循环能力 
应用领域:通用变频器,伺服驱动器,UPS,特种电源等 
型号列表

单元数及电路 电压 型号
两单元 三菱 第5代NF系列IGBT一单元等效电路 600V CM300HA-12H CM400HA-12H CM600HA-12H
1200V CM200HA-24H CM300HA-24H CM400HA-24H CM600HA-24H CM800HA-24H
六单元 三菱 第5代NF系列IGBT六单元等效电路 600V CM50DY-12H CM75DY-12H CM100DY-12H
CM150DY-12H CM200DY-12H CM300DY-12H CM400DY-12H
1200V CM50DY-24H CM75DY-24H CM100DY-24H
CM150DY-24H CM200DY-24H CM300DY-24H
七单元 三菱 第5代NF系列IGBT六单元等效电路 600V CM15TF-12H CM20TF-12H CM30TF-12H CM50TF-12H CM75TF-12H CM100TF-12H CM150TF-12H
1200V CM15TF-24H CM20TF-24H CM30TF-24H
CM50TF-24H CM75TF-24H CM100TF-24H
四. 第5代NFH和NFM系列产品型号
性能特点
   采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的最优化,饱和压降低于业界同类产品,续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流
   模块内部寄生电感低 。
应用领域:变频焊接设备等中高频开关应用。
型号列表

单元数及电路 电压 NFH系列(开关频率可达60kHz)型 号 NFM系列(开关频率可达30kHz)型 号
两单元 三菱第5代NFH和NFM系列IGBT模块等效电路 600V CM200DU-12N FHCM300DU-12N FHCM400DU-12NFH  
1200V CM100DU-24N FHCM150DU-24N FHCM200DU-24N FHCM300DU-24N FHCM400DU-24N FHCM600DU-24NFH CM100DC1-24NFM 
CM150DC1-24NFM
CM200DC1-24NFM 
CM300DC1-24NFM

五. 第5代NX系列IGBT产品型号
性能特点:
  采用最优化CSTBTTM硅片技术,有CIB、7单元、2单元 和1单元四种拓扑结构,内部集成NTC测温电阻,全系列共享同一封装平台;
  耐功率循环和热循环能力强,具有竞争力的性价比 
应用领域:通用变频器等交流电动机驱动应用
型号列表

单元数及电路 电压 型号
一单元 第5代NX系列IGBT一单元等效电路图 600V CM600HX-12A
1200V CM400HX-24A CM600HX-24A
两单元 第5代NX系列IGBT两单元电路图 600V CM300DX-12A CM400DX-12A
1200V CM150DX-24A CM200DX-24A
CM300DX-24A CM450DX-24A
七单元 第5代NX系列IGBT七单元等效电路图 600V CM100RX-12A CM150RX-12A CM200RX-12A
1200V CM75RX-24A CM100RX-24A
CIB结构 第5代NX系列IGBT产品型号八单元等效电路图 600V CM75MX-12A CM100MX-12A
1200V CM35MX-24A CM50MX-24A CM75MX-24A
 
六. 第5代MPD系列IGBT产品型号
性能特点:
  最新的CSTBTTM硅片技术带来:杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff;
  新的紧凑型封装,良好的匹配液体冷却,多孔型端子使得接触阻抗更低,实现更可靠的长期电气连接;
  端子孔径与安装定位孔径一致,不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒 
应用领域:大电机驱动,风力发电,大功率UPS等
型号列表

单元数及电路 电压 型号
两单元  第5代MPD系列IGBT等效电路图 600V CM900DUC-24N FCM1400DUC-24NF
1200V CM1000DUC-34NF
 
七. 第6代NX系列IGBT产品型号
性能特点:
  采用第6代IGBT硅片技术,损耗低,二极管采用第6代LPT硅片技术,正向导通压降低;
   硅片结温可高达175°C,硅片运行温度最高可达150°C,内部集成NTC测温电阻,全系列共享同一封装平台。 
型号列表

单元数及电路 电压 型号
两单元 第6代NX系列IGBT两单元等效电路图 1200V CM150DX-24S CM200DX-24S CM300DX-24S
CM450DX-24S CM600DXL-24S CM1000DXL-24S
1700V CM150DX-34S CM200DX-34S CM300DX-34S
CM400DXL-34S CM600DXL-34S
六单元 第6代NX系列IGBT六单元等效电路图 1200V CM75TX-24S CM100TX-24S CM150TX-24S
1700V CM50TX-34S CM75TX-34S CM100TX-34S
七单元 第6代NX系列IGBT七单元等效电路图 1200V CM75RX-24S CM100RX-24S CM150RX-24S
CIB结构 第6代NX系列IGBT 8单元等效电路图 1700V CM35MXA-24S CM50MXA-24S CM75MXA-24S CM100MXA-24S
 
八. 第6代A/NF系列IGBT产品型号
性能特点:
 采用第6代IGBT硅片技术,损耗低,硅片结温可高达175°C,硅片运行温度最高可达150°C,内部集成NTC测温电阻;
 封装兼容第五代A/NF系列模块 
应用领域:通用变频器
型号列表

单元数及电路 电压 型号
两单元 第6代A/NF系列IGBT两单元等效电路图 1200V CM300DY-24S  CM450DY-24S
CM600DY-24S CM800DY-24S
两单元共集电极 第6代A/NF系列IGBT两单元共集电路 1200V CM400C1Y-24S

九. 第6代MPD系列IGBT产品型号
性能特点:
     最新的CSTBTTM硅片技术带来:杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff,新的紧凑型封装,良好的匹配液体冷却;
     多孔型端子使得接触阻抗更低,实现更可靠的长期电气连接,端子孔径与安装定位孔径一致,不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒 
应用领域:大电机驱动,风力发电,大功率UPS等

单元数及电路 电压 型号
两单元  第6代MPD系列IGBT等效电路图 1200V CM900DUC-24S CM1400DUC-24S CM2500DY-24S
1700V CM1000DUC-34NF CM1800DY-34S
 
十. 第6代新MPD系列IGBT产品型号
性能特点
> 采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT,宽的安全工作区,杰出的短路鲁棒性, 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能;硅片最高结温可达175°C
> 新型无焊接Al基板,提供更高的温度循环能力(DTc),内部硅片分布均匀,Rth(j-c)低,内部封装电感低,Lint<10nH,
> 交流和直流主端子分离,便于直流母排连接,多孔型端子使得接触阻抗更低,实现更可靠的长期电气连接,内部集成NTC用于测量Tc温度,P侧和N侧IGBT单元均有辅助集电极端子。 
应用领域:大电机驱动,风力发电,大功率UPS等
型号列表

单元数及电路 电 压 型号
两单元 第6代新MPD系列IGBT两单元等效电路图1 1200V CM2500DY-24S
两单元 第6代新MPD系列IGBT两单元电路图 1700V CM1800GY-34S

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