HVIGBT性能特点
基板:有AlSiC和Cu两种额定电压:1700V至6500V
额定电流:200A至2400A
绝缘电压:4.0kVrms至10.2kVrms
N系列:CSTBTTM硅片工艺,进一步降低损耗,缩小模块体积
H系列:平板型IGBT硅片工艺,可靠性已得到业界公认
N系列B型:CSTBTTM硅片工艺,封装可与H系列兼容
R系列:额定电流提升到1500A;封装尺寸与 H 系列兼容;高短路鲁棒性设计;运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C;最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。
续流二极管:采用软恢复特,保证良好的EMI性能。
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HVIGBT 模块
VCES(V) | 产品 代数 (基板 材料) |
电路拓扑 | Ic(A) | |||||||||||
200 | 400 | 600 | 750 | 800 | 900 | 1000 | 1200 | 1500 | 1600 | 1800 | 2400 | |||
1700 | G1 (Cu) |
1 单 元 |
CM800HA -34H ![]() |
CM1200HA -34H ![]() |
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2 单 元 |
CM600DY -34H ![]() |
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斩波单元 | CM600E2Y -34H ![]() |
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G3 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM1200HC -34H ![]() |
CM1600HC -34H ![]() |
CM1800HC -34H ![]() |
CM2400HC -34H ![]() | |||||||||
2 单 元 |
CM800DZ -34H ![]() |
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G4 (Cu) |
2 单 元 |
CM800DZB -34N ![]() |
CM1200DB -34N ![]() |
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G4 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM1200HCB -34N ![]() |
CM1800HC -34N ![]() |
CM2400HC -34N ![]() | ||||||||||
CM1800HCB -34N ![]() |
CM2400HCB -34N ![]() | |||||||||||||
2 单 元 |
CM1200DC -34N ![]() |
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斩波单元 | CM1200E4C -34N ![]() |
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2500 | G1 (Cu) |
1 单 元 |
CM800HA -50H |
CM1200HA -50H ![]() |
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2 单 元 |
CM400DY -50H ![]() |
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G2 (Cu) |
1 单 元 |
CM800HB -50H ![]() |
CM1200HB -50H ![]() |
|||||||||||
G3 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM1200HC -50H ![]() |
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3300 | G1 (Cu) |
1 单 元 |
CM800HA -66H ![]() |
CM1200HA -66H ![]() |
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2 单 元 |
CM400DY -66H ![]() |
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斩波单元 | CM800E2Z -66H ![]() |
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G2 (Cu) |
1 单 元 |
CM800 HB -66H ![]() |
CM1200HB -66H ![]() |
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G3 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM800HC -66H ![]() |
CM1200HC -66H ![]() |
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斩波单元 | CM800E2C -66H ![]() |
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CM800E4C -66H |
CM1000E4C-66R![]() |
CM1500HC-66R![]() |
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CM800E6C -66H ![]() |
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G4 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM400HG -66H ![]() |
CM800HG -66H |
CM1200HG -66H ![]() |
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4500 | G2 (Cu) |
1 单 元 |
CM400HB -90H ![]() |
CM600HB -90H ![]() |
CM900HB -90H ![]() |
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G3 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM900HC -90H ![]() |
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G4 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM600HG -90H |
CM900HG -90H |
CM1200HG -90R ![]() |
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6500 | G4 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM200HG -130H ![]() |
CM400HG -130H |
CM600HG -130H ![]() |
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斩波单元 | CM400E2G -130H |
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CM400E4G -130H |
CM750HG-130R![]() |