IGBT模块上桥臂的驱动
上桥臂和下桥臂：
IGBT以发射极电压为基准电位驱动。开关动作时，上桥臂IGBT的发射极电位VE在0伏和母线电压V+之间变化。在AC200V电路中，要开通上桥臂IGBT时，需要对门极施加300V加15V，合计315V的母线电压。因此，需要不受开关噪声干扰影响的上桥臂驱动电路。
上桥臂驱动可以使用了光耦合器和高压驱动集成电路。
使用光耦合器的上桥臂驱动：在大容量电路中，使用光耦合器进行绝缘，此外还添加离散缓冲器的输出端。在中容量以下的电路中，使用将上述功能集成为一体的混合集成电路。图示为后者的例子。
使用光耦合器的上桥臂驱动：在大容量电路中，使用光耦合器进行绝缘，此外还添加离散缓冲器的输出端。在中容量以下的电路中，使用将上述功能集成为一体的混合集成电路。图示为后者的例子。
● 使用去除高共模电压的类型
● 为了尽量缩短空载时间以减少损耗，使用传递延迟时间tPLH和tPHL小的类型。tPLH和tPHL是相对于输入信号，输出从L变为H、或从H变为L的延迟时间差。
● 主要的供应厂商是东芝、Agilent Technologies、夏普、NEC等
● 根据Agilent Technologies的资料，AC200V系列（使用600V的IGBT）到30kW为止，AC400V系列（使用1200V的IGBT）到15kW为止备有集成电路型光耦合器。（超过此容量时请使用光耦合器附加缓冲器的驱动）
使用驱动集成电路的上桥臂的驱动：
使用驱动集成电路的上桥臂的驱动：
驱动集成电路中有
上桥臂用
半桥路用
上、下桥臂用
3相桥路用
等产品。大多数是600V耐压产品，也有1200V耐压产品。
● 自举二极管应该使用高速类型，耐压应该与IGBT相同。
● 自举电容器应该使用高频特性良好的类型，或如薄膜电容器和陶瓷电容器进行并联连接。
● 尽量降低电源（Vcc）的电阻抗。
光耦合器和驱动集成电路的比较：
两者的一般特点如下。
光耦合器 驱动集成电路
应用技巧 比较容易 比较困难
构成 混合 单片
AC400V电路 难度大
消耗电流范例 10mA 2mA以下
空载时间范例 2μs以上 可在1μs以下
装配面积 大 小
保护功能 有内置类型 有内置、与电流传感集成电路
连动的类型
关于设备容量 尤其对3相2.2-
3.7KW的变频器有利
性能的提高 驱动能力提高、内置保护功能、抗噪声干扰性提高、特性不均衡的减少、与电流传感集成电路连动等
