IXYS IGBT选型指导

IGBT 是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的缩写，即“绝缘栅双极晶体管”，在结构和性能上都可以把它等效成一个沟道型场效应管和一个双极性晶体管的组合，从输入端看，是一个高阻的VMOS，从输出端看，是一个大功率的双极型。IGBT 主要用于工业控制，如电机驱动、高频感应电源等。高压供电条件下，20～50kHz 的硬开关是 IGBT 的主要应用领域。最常见的应用是电磁炉。与 VMOS 不同，IGBT 的电路原理图符号中一般并不画出二极管（MOS 区寄生的二极管），如果符号中的集电极和发射极之间并联了二极管，则表示是额外集成了快恢复二极管。这个快恢复二极管在一般电路中可以充当续流二极管使用，电路中可以不必再并联高速二极管，从而简化了电路连接。

一 IGBT模块选型需要的主要参数和术语

◆ Vces：栅极与发射极等电位，集电极 - 发射极之间所能承受的最大直流电压，如果有快恢复二极管，指的是反向电压，属于极限参数

◆ Ic：IGBT 处于饱和导通状态，集电极 - 发射极所能承受的最大直流电流，属于极限参数，测试时不用散热片，通电时间一般是10s 以内。这个参数与散热片。（管子底板而非外挂的散热器）温度有直接关系，比较通用的是25℃，为了更近实际，很多厂商会同时给出75℃、90℃、120℃等温度下的一种或多种数值。温度标识是 Tc，表示集电极的温度（集电极与管子底板相连）。

◆ Vce(sat)：饱和压降，IGBT饱和导通时集电极 -发射极之间的电压差，这个数值越小，说明IGBT的导通功耗越小。

◆ t fi ：关断时间，表示IGBT开关速度的一个参数。指的是以一定频率的脉冲信号对 IGBT 的开关特性进行测试时，输出脉冲的下降沿的宽度。

◆ If ：集成的快恢复二极管正向能承受的最大正向直流电流，属于极限参数，对非纯阻性电路的设计有参考意义。

◆ tr ：集成的快恢复二极管的反向恢复时间，表示快恢复二极管开关速度的参数，也标识为trr。如IXYS 的IGBT，字母后缀包含D1的，一般表示内部集成快恢复二极管，集成有快恢复二极管的系列型号除外。例如：IXGC16N60B2中没有快速恢复二极管，而IXGC16N60B2D1 中则有快恢复二极管，IXYS IGBT其他规格相同。

◆ VGE ：IGBT饱和导通时栅极所需要的最小电压（典型值）。

◆ NPT IGBT和PT IGBT：NPT是“Non －Punch-Through”的缩写，指IGBT的芯片生产工艺中的离子注入工艺，IXYS的NPT工艺已经发展到了第三代，即NPT3 。NPT IGBT的中文意思是 “单晶非穿通型IGBT” ，常简写为“非穿通型 IGBT” ，更常见的写法仍然是“NPT IGBT”。NPT工艺是90年代发展起来的，与之前主流的PT IGBT（穿通型 IGBT）相比，NPT IGBT的开关损耗下降了20%，安全工作区(SOA)、短路承受能力、可靠性都相应有所提高，已经成为600V以上IGBT 器件的主流生产工艺。2008 年， IXYS 发布了最新的用于高压、高速 IGBT 制程的 XPT （Xtreme light PunchThrough），中文大意是超乎想像的 NPT 工艺。

◆ co-pack：一种不同种类多管芯封装工艺，“co-”有共同，联合之意，对于 IGBT，一般是指将IGBT和快恢复二极管两种不同的管芯封装到一个单管中的方法，也写作co-packaged。需要说明的是，co-pack并不是唯一的多管芯封装方法，它只是一种广泛应用的方法，尤以IR为甚。

◆ Sonic快恢复二极管：Sonic-FRD，IXYS推出超快速二极管：Sonic-FRD, 主要特点：很高的 di/dt 能力，良好的软恢复特性，反向恢复时间极短，拖尾电流非常小，有很好的高温稳定性，比较易于并联。

二 IXYS 高速 PT IGBT型号参数
1、IXYS 低饱和压降IGBT单管

型号	Vces/V	Ic(25℃）/A	Ic(90℃）/A	Vce（sat）/V	tfi(25℃）/ns	封装形式
IXGH60N60	600	75	60	1.7	360	TO-247
IXGK60N60	600	75	60	1.7	360	TO-264
IXGT60N60	600	75	60	1.7	360	TO-268
IXGN60N60	600	100	60	1.7	360	SOT-227B
IXGN200N60A2	600	200	100	1.35	250	SOT-227B
IXGA8N100	1000	16	8	2.7	390	TO-263
IXGP8N100	1000	16	8	3	390	TO-220
IXGA20N100	1000	40	20	3	280	TO-263
IXGH20N100	1000	40	20	3	280	TO-247
IXGP20N100	1000	40	20	3	280	TO-220
IXGT20N100	1000	40	20	3	280	TO-268
IXGA20N120	1200	40	20	3	280	TO-263
IXGH20N120	1200	40	20	3	280	TO-247
IXGP20N120	1200	40	20	3	280	TO-220
IXGT20N120	1200	40	20	3	280	TO-268
IXGH45N120	1200	75	45	2.5	390	TO-247
IXGT45N120	1200	75	45	2.5	390	TO-268

2、 IXYS 中速系列 IGBT 单管(可适用15kHz-40kHz的硬开关)型号参数www.henlito.com

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	tfi(25℃)/ns	封装形式
IXGA16N60B2	600	40	16	2.3	80	TO-263
IXGP16N60B2	600	40	16	2.3	80	TO-220
IXGP30N60B2	600	45	30	1.8	82	TO-220
IXGR40N60B2	600	60	33	1.9	82	ISOPLUS2
IXGR50N60B2	600	60	36	2.2	82	ISOPLUS2
IXGH30N60B2	600	70	30	1.8	82	TO-247
IXGT30N60B2	600	70	30	1.8	82	TO-268
IXGH40N60B2	600	75	40	1.7	82	TO-247
IXGH50N60B2	600	75	50	2	82	TO-247
IXGH60N60B2	600	75	60	1.8	100	TO-247
IXGR60N60B2	600	75	47	2	100	ISOPLUS2
IXGT40N60B2	600	75	40	1.7	82	TO-268
IXGT50N60B2	600	75	50	2	82	TO-268
IXGT60N60B2	600	75	60	1.8	100	TO-268
IXGH32N90B2	900	64	32	2.7	150	TO-247
IXGT32N90B2	900	64	32	2.7	150	TO-268
IXGH50N90B2	900	75	50	2.7	200	TO-247
IXGT50N90B2	900	75	50	2.7	200	TO-268
IXGC16N60B2	600	13	2.3	80	80	ISOPLUS220
IXGA7N60B	600	7	2	150	150	TO-263
IXGA7N60C	600	7	2.7	45	45	TO-263
IXGP7N60B	600	7	2	150	150	TO-220
IXGP7N60C	600	7	2.7	45	45	TO-220
IXGR120N60B	600	80	2.1	160	160	ISOPLUS247
IXGK120N60B	600	120	2.1	160	160	TO-264
IXGN200N60B	600	120	2.1	160	160	SOT-227B
IXGX120N60B	600	120	2.1	160	160	PLUS247
IXGQ20N120B	1200	20	3.4	160	160	TO-3P
IXGA15N120B	1200	15	3.2	160	160	TO-263
IXGH15N120B	1200	15	3.2	160	160	TO-247
IXGP15N120B	1200	15	3.2	160	160	TO-220
IXGT15N120B	1200	15	3.2	160	160	TO-268
IXGH20N120B	1200	20	3.4	160	160	TO-247
IXGT20N120B	1200	20	3.4	160	160	TO-268
IXGH28N120B	1200	28	3.5	160	160	TO-247
IXGT28N120B	1200	28	3.5	160	160	TO-268
IXGH35N120B	1200	35	3.3	160	160	TO-247
IXGK35N120B	1200	35	3.3	160	160	TO-264
IXGR35N120B	1200	23	3.3	160	160	ISOPLUS247
IXGT35N120B	1200	35	3.3	160	160	TO-268
IXGX35N120B	1200	35	3.3	160	160	PLUS247

3、 IXYS中速系列集成快恢复二极管的IGBT单管(可适用 15kHz-40kHz 的硬开关)型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce（sat）/V	tfi(25℃)/ns	If（110℃）/A	封装形式
IXGC16N60B2D1	600	28	13	2.3	80	10	ISOPLUS220
IXGA16N60B2D1	600	40	16	2.3	80	11	TO-263
IXGH16N60B2D1	600	40	16	2.3	80	11	TO-247
IXGP16N60B2D1	600	40	16	2.3	80	11	TO-220
IXGR40N60B2D1	600	60	33	1.9	82	25	ISOPLUS247
IXGR50N60B2D1	600	60	36	2.2	65	39	ISOPLUS247
IXGH30N60B2D1	600	70	30	1.8	82	30	TO-247
IXGT30N60B2D1	600	70	30	1.8	82	30	TO-268
IXGH40N60B2D1	600	75	40	1.7	82	30	TO-247
IXGK50N60B2D1	600	75	50	2.0	65	48	TO-264
IXGK60N60B2D1	600	75	60	1.8	100	48	TO-264
IXGR60N60B2D1	600	75	47	2.0	100	39	ISOPLUS247
IXGT40N60B2D1	600	75	40	1.7	82	30	TO-268
IXGX50N60B2D1	600	75	50	2.0	65	48	TO-247
IXGX60N60B2D1	600	75	60	1.8	100	48	PLUS247
IXGR32N90B2D1	900	47	22	2.9	150	22	ISOPLUS247
IXGH50N90B2D1	900	64	32	2.7	150	26	TO-247
IXGK50N90B2D1	900	75	50	2.7	200	26	TO-247
IXGX50N90B2D1	900	75	50	2.7	200	26	TO-264
IXGR35N120BD1	1200	54	28	3.5	160	8	ISOPLUS247

4. ixys高速系列 IGBT 单管型号参数（可以适用 40kHz 以上的硬开关电路）

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	tfi(25℃)/ns	封装形式
IXGC16N60C2	600	20	8	3.0	35	ISOPLUS220TM
IXGA16N60C2	600	40	16	3.0	35	TO-263
IXGP16N60C2	600	40	16	3.0	35	TO-220
IXGR40N60C2	600	56	26	2.7	32	ISOPLUS247
IXGH30N60C2	600	70	30	2.5	32	TO-247
IXGP30N60C2	600	70	30	2.5	32	TO-220
IXGT30N60C2	600	70	30	2.5	32	TO-268
IXGH40N60C2	600	75	40	2.5	32	TO-247
IXGR50N60C2	600	75	40	2.7	48	ISOPLUS247
IXGT40N60C2	600	75	40	2.5	32	TO-268
IXGR60N60C2	600	75	48	2.7	35	ISOPLUS247
IXGH50N60C2	600	75	50	2.5	48	TO-247
IXGT50N60C2	600	75	50	2.5	48	TO-268
IXGH60N60C2	600	75	60	2.5	35	TO-247
IXGN60N60C2	600	75	60	2.5	35	SOT-227B
IXGT60N60C2	600	75	60	2.5	35	TO-268
IXGK120N60C2	600	75	75	2.5	45	TO-264
IXGR120N60C2	600	75	60	2.7	45	ISOPLUS247
IXGX120N60C2	600	75	75	2.4	45	PLUS247

三、高峰值电流耐受能力的 PT IGBT
1、IXYS低饱和压降系列型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Vce(sat)/V	tfi(25℃)/ns	封装形式
IXSH24N60	600	48	2.2	500	TO-247
IXSH45N100	1000	50	2.7	1000	TO-247
IXSH45N120B	1200	75	3.0	380	TO-247
IXST45N120B	1200	75	3.0	380	TO-268

2、 IXYS高速系列型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Vce(sat)/V	tfi(25℃)/ns	封装形式
IXSP24N60B	600	40	2.5	170	TO-220
IXSH24N60B	600	48	2.5	170	TO-247
IXST24N60B	600	48	2.5	170	TO-268
IXSH30N60B	600	55	2.0	140	TO-247
IXSH30N60C	600	55	2.5	70	TO-247
IXST30N60B	600	55	2.0	140	TO-268
IXST30N60C	600	55	2.5	70	TO-268
IXSH40N60B	600	75	2.2	120	TO-247
IXSH50N60B	600	75	2.5	150	TO-247
IXST40N60B	600	75	2.2	120	TO-268
IXSK80N60B	600	80	2.5	180	TO-264
IXSX80N60B	600	80	2.5	180	PLUS 247
IXSH35N100A	1000	70	3.5	700	TO-247
IXSA15N120B	1200	30	3.4	298	TO-263AA
IXSH15N120B	1200	30	3.4	600	TO-247
IXSP15N120B	1200	30	3.4	298	TO-220AB
IXST15N120B	1200	30	3.4	600	TO-268
IXSH25N120A	1200	50	4.0	650	TO-247
IXSH35N120A	1200	70	4.0	700	TO-247
IXSH35N120B	1200	70	3.6	180	TO-247
IXST35N120B	1200	70	3.6	180	TO-268
IXSN55N120A	1200	80	4.0	700	SOT-227B
IXSH35N140A	1400	70	4.0	400	TO-247

四、 IXYS集成反向阻断二极管的 IGBT 单管型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	tr/μs	tr/ns	封装形式
IXRA15N120	1200	25	15	2.5	300	41	TO-263AA
IXRP15N120	1200	25	15	2.5	300	41	TO-220
IXRH40N120	1200	55	35	2.7	1600	70	TO-247
IXRR40N120	1200	45	28	2.5	1600	70	ISOPLUS247

五、 IXYS采用 Co-Pack 封装、集成快恢复二极管的高速 IGBT型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Vce(sat)/V	tfi(25℃)/ns	封装形式
IXSQ20N60B2D1	600	35	2.5	126	TO-268
IXSH20N60B2D1	600	35	2.5	126	TO-247
IXSP20N60B2D1	600	35	2.5	126	TO-220
IXSA20N60B2D1	600	35	2.5	126	TO-263
IXSP10N60B2D1	600	10	2.5	165	TO-220
IXSA10N60B2D1	600	10	2.5	165	TO-263
IXST40N60B2D1	600	48	2.5	140	TO-268
IXSH40N60B2D1	600	48	2.5	140	TO-247
IXSQ10N60B2D1	600	10	2.5	165	TO-3P
IXSH10N60B2D1	600	10	2.5	165	TO-247
IXST30N60B2D1	600	48	2.5	140	TO-268
IXSH30N60B2D1	600	48	2	140	TO-247

六、 IXYS采用第三代 NPT 工艺的 NPT3 IGBT型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	Ir(90℃)/A	封装形式
IXEH25N120	1200	36	24	3.2	-	TO-247AD
IXEH25N120D1	1200	36	24	3.2	20	TO-247AD
IXER35N120D1	1200	50	32	2.2	25	ISOPLUS247
IXEH40N120	1200	60	40	2.4	-	TO-247AD
IXEH40N120D1	1200	60	40	2.4	35	TO-247AD
IXEH40N120B2D4	1200	65	41	2.4	12	TO-247AD
IXER60N120	1200	95	60	2.1	-	ISOPLUS247
IXEN60N120	1200	100	65	2.1	-	SOT-277B
IXEN60N120D1	1200	100	65	2.1	60	SOT-227B

七、IXYS NPT IGBT型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	体二极管	Ir(90℃)/A	封装形式
IXDP20N60B	600	32	20	2.2	-	-	TO-220
IXDP20N60BD1	600	32	20	2.2	Diode	14	TO-220
IXDR35N60BD1	600	38	24	2.7	Diode	18	SOPLUS247
IXDH35N60B	600	60	35	2.1	-	-	TO-247
IXDH35N60BD1	600	60	35	2.1	Diode	21	TO-247
IXDP35N60B	600	60	35	2.1	-	-	TO-220
IXDA20N120AS	1200	34	25	2.8	-	-	TO-263
IXDH20N120	1200	38	25	2.4	-	-	TO-247
IXDH20N120D1	1200	38	25	2.4	Diode	20	TO-247
IXDR30N120	1200	50	30	2.4	Diode	27	SOPLUS247
IXDR30N120D1	1200	50	30	2.4	-	-	SOPLUS247
IXDH30N120	1200	60	38	2.4	-	-	TO-247
IXDH30N120D1	1200	60	38	2.4	Diode	35	TO-247
IXDT30N120	1200	60	38	2.4	-	-	TO-268
IXDT30N120D1	1200	60	38	2.4	Diode	35	TO-268
IXDN55N120	1200	100	62	2.3	-	-	SOT-227B
IXDN55N120D1	1200	100	62	2.3	Diode	60	SOT-227B
IXDN75N120	1200	150	95	2.2	-	-	SOT-227B

八、高压 NPT IGBT

1.IXYS 低饱和压降系列型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	封装形式
IXGH25N160	1600	75	35	2.5	TO-247
IXGT25N160	1600	75	35	2.5	TO-268
IXGH6N170	1700	12	6	4	TO-247
IXGT6N170	1700	12	6	4	TO-268
IXGH10N170	1700	20	10	4	TO-247
IXGT10N170	1700	20	10	4	TO-268
IXGH16N170	1700	32	16	3.5	TO-247
IXGT16N170	1700	32	16	3.5	TO-268
IXGH24N170	1700	50	24	3.3	TO-247
IXGT24N170	1700	50	24	3.3	TO-268
IXGH32N170	1700	75	35	3.3	TO-247
IXGT32N170	1700	75	35	3.3	TO-268

2.ixys集成 SONIC 快恢复二极管的低饱和压降系列型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	Ir(90℃)/A	封装形式
IXGX32N170H1	1700	75	35	3.3	60	PLUS-247

3、 IXYS 高速系列 IGBT型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	封装形式
IXGH6N170A	1700	6	3	7	TO-247
IXGT6N170A	1700	6	3	7	TO-268
IXGH10N170A	1700	10	5	6	TO-247
IXGT10N170A	1700	10	5	6	TO-268
IXGH16N170A	1700	16	8	5	TO-247
IXGT16N170A	1700	16	8	5	TO-268
IXGH24N170A	1700	24	16	5	TO-247
IXGT24N170A	1700	24	16	5	TO-268
IXGH32N170A	1700	32	21	5	TO-247
IXGT32N170A	1700	32	21	5	TO-268

4、 IXYS集成 SONIC 快恢复二极管的高速系列 IGBT型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Vce(sat)/V	tfi(25℃)/ns	Ir(90℃)/A	封装形式
IXGT16N170AH1	1700	16	5	40	TBD	TO-268
IXGH16N170AH1	1700	16	5	40	TBD	TO-247
IXGR16N170AH1	1700	16	5	40	14	ISOPLUS247
IXGR32N170AH1	1700	26	5.2	50	14	ISOPLUS247
IXGX32N170AH1	1700	32	5	50	55	PLUS247

九、 IXYS超高压 NPT IGBT 单管型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	tfi(25℃)/ns	封装形式
IXLF19N250A	2500	32	19	3.9	250	ISOPLUS i4-PAC-3
IXGF25N250	2500	30	15	2.9	200	ISOPLUS i4-Pak
IXGF30N400	4000	30	15	3.1	514	ISOPLUS i4-Pak
IXGF36N300	3000	36	16	2.7	540	ISOPLUS i4-Pak
IXEL40N400	4000	62	40	4	450	ISOPLUS i5

十、 IXYS采用 5 引脚 ISOPLUS i4-PAC 封装的 NPT IGBT 模块型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	内部管芯配置	封装形式
FII30-06D	600	30	18	1.9	单桥臂	ISOPLUS i4-PAC-5
FID35-06C	600	38	24	1.9	高速升压斩波	ISOPLUS i4-PAC-5
FII40-06D	600	40	25	1.8	单桥臂	ISOPLUS i4-PAC-5
FID36-06D	600	38	24	1.9	升压斩波	ISOPLUS i4-PAC-5
FID60-06D	600	65	40	1.6	升压斩波	ISOPLUS i4-PAC-5
FII30-06D	600	30	18	1.9	单桥臂	ISOPLUS i4-PAC-5
FII40-06D	600	40	25	1.8	单桥臂	ISOPLUS i4-PAC-5
FII30-12E	1200	33	20	2.4	单桥臂	ISOPLUS i4-PAC-5
FII50-12E	1200	50	32	2	单桥臂	ISOPLUS i4-PAC-5
FIO50-12BD	1200	50	32	2	双向开关	ISOPLUS i4-PAC-5
FII24N17AH1	1700	18	10	4.5	单桥臂	ISOPLUS i4-PAC-5

十一、 IXYS BiMOSFET 系列 IGBT型号参数

型号	Vces/V	Ic(25℃)/A	Ic(90℃)/A	Vce(sat)/V	VGE/V	tfi(25℃)/ns	封装形式
IXBF9N140G	1400	7	4	4.9	10	70	ISOPLUS i4-PAC-3
IXBH9N140G	1400	9	5	4.9	10	70	TO-247 AD
IXBH40N140	1400	33	20	6.2	15	40	TO-247 AD
IXBF40N140	1400	28	16	6.2	15	40	ISOPLUS i4-PAC-3
IXBP5N160G	1600	5.7	3.5	4.9	10	70	TO-220
IXBF9N160G	1600	7	4	4.9	10	70	ISOPLUS i4-PAC-3
IXBH9N160G	1600	9	5	4.9	10	70	TO-247 AD
IXBH40N160	1600	33	20	6.2	15	40	TO-247 AD
IXBF40N160	1600	28	16	6.2	15	40	ISOPLUS i4-PAC-3
IXBH5N160G	1600	5.7	3.5	4.9	15	70	TO-247
IXBN42N170A	1700	42	21	4.5	15	50	SOT-227B
IXBT16N170A	1700	16	10	4.7	15	50	TO-268
IXBT42N170	1700	70	42	2.3	15	1200	TO-268
IXBH42N170	1700	70	42	2.3	15	1200	TO-247
IXBH16N170A	1700	16	10	4.7	15	50	TO-247
IXBT16N170	1700	25	16	2.3	15	1200	TO-268
IXBN75N170A	1700	75	42	4.5	15	60	SOT-227B
IXBH42N170A	1700	42	42	4.5	15	50	TO-247
IXBT42N170A	1700	21	21	4.5	15	50	TO-268
IXBH10N170	1700	20	10	3.4	15	1200	TO-247
IXBT10N170	1700	20	10	3.4	15	1200	TO-268
IXBH6N170	1700	10	6	2.3	15	1200	TO-247 AD
IXBH16N170	1700	25	10	4.7	15	50	TO-247 AD

十二、IXYS IGBT 封装形式大全