IGBT驱动栅极电压及功率考虑

1、驱动电压的选择

IGBT模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的IGBT驱动电路如图5.1 所示。

图5.1 IGBT 驱动电路示意图

Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时，最好加一个负偏电压，且负偏电压比MOSFET 大，IGBT 负偏压值最好在－5V~―10V之内；开通时，驱动电压最佳值为15V10%，15V的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V，则IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱动状态；若VGE>20V，则难以实现电流的过流、短路保护，影响IGBT 可靠工作。转载请注明出处：http://www.igbt8.com/jc/453.html

2、栅极驱动功率的计算

由于IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT，或要求并联运行的IGBT 则需考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE(on)和关断VGE(off)电压，栅极总电荷QG 和开关频率f 的影响。栅极驱动电源的平均功率PAV 计算公式为：

PAV＝（VGE(on)＋VGE(off)）·QG·f

对一般情况VGE(on)＝15V，VGE(off)＝10V，则PAV 简化为：PAV=25×QG×f。

QG 为栅极总电荷与CGE 有关，从EUPEC 的数据资料上可查到。若IGBT 并联，则QG 是各个IGBT QG 之和。

f 为IGBT 开关频率。

栅极峰值电流IGP 为：

注意：Rg 应为内部和外部驱动电阻之和,EUPEC 部分IGBT 模块内部封有驱动电阻。