【IGBT模块结构】
由图可以看出一个IGBT模块包含P+/N-/P/N+四层结构,一般IGBT是由一个MOSFET和一个PNP三极管组成,由栅极控制的MOSFET来驱动PNP晶体管；也可以把它看成是由一个VDMOS和一个PN二极管组成.
【IGBT模块工作原理】
在图所示的结构中,栅极G与发射极E短接且接正电压、集电极接负压时,器件处于反向截止状态.此时J1、J3结反偏、J2结正偏,J1、J3反偏结阻止电流的流通,反向电压主要由J1承担.当栅极G与发射极E短接,集电极C相对于栅极加正电压时,J1、J3结正偏、J2结反偏,电流仍然不能导通,电压主要由反偏结J2承担,此时IGBT处于正向截止.PT型IGBT由于缓冲层的存在通过牺牲反向阻断特性来获得较好的正向阻断特性,而NPT型IGBT则拥有较好的正反向阻断特性.当集电极C加正电压,栅极G与发射极E施加电压大于阈值电压时,IGBT的MOS沟道开启,器件进入正向导通状态.
