赛米控SKM195GB066D和SKM195GAL066D产品描述
赛米控SKM195GB066D是采用MOS技术的两单元半桥模块，其基本参数：195A/600V，沟道式NPT型IGBT;赛米控SKM195GAL066D是采用MOS技术的斩波结构的IGBT模块，其基本参数：195A/600V，沟道式NPT型IGBT。两款IGBT模块深圳德意志工业有限公司都有库存现货。
赛米控两款典型的沟道IGBT模块，SKM195GB066D和SKM195GAL066D通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性，大大提高了开关能效与最大开关频率。SKM195GB066D和SKM195GAL066D的裸片非常薄，这有助于提高开关和散热性能。优化的沟栅式（trench-gate）场截止型（field-stop）工艺降低了热阻，最高结温高达175°C，同时实现了对饱和电压等参数的严格控制，允许多个IGBT安全并联，提高电流密度和通态能效。 SKM195GB066D和SKM195GAL066D结构和特性都很非常稳定，具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复（soft-recovery）二极管可最大限度降低导通能耗。
SKM195GB066D和SKM195GAL066D在电力换流和电力传动领域（变频器 AFE SVG 中频感应熔炼炉电源 超大功率逆变）运用十分广泛！
赛米控 SKM195GB066D和SKM195GAL066D 外形封装尺寸和结构图
赛米控SKM195GB066D等效电路图
赛米控SKM195GAL066D等效电路图
SKM195GB066D和SKM195GAL066D的并联与均流
目前，国外单管IGBT的最大容量为2000A/2500V，实际的商品器件容量为1200A/2400V，根据大功率斩波的需要，通常，额定工作电流为400A——1500A，考虑到器件工作安全，必须留有2倍左右的电流裕度，再结合本文前述的IGBT最大电流标称问题，单一器件无法满足要求，必须采用器件并联。半导体器件并联存在的均流问题是影响可靠性的关键，由于受离散性的限制，并联器件的参数不可能完全一致，于是导致并联器件的电流不均，此时的1+1小于2，特别是严重不均流时，通态电流大的器件将损坏，这是半导体器件并联中老大难的问题，为此，要提高斩波包括其它电力电子设备的可靠性，应该尽量避免器件并联，而采用单管大电流器件。
从理论上讲，IGBT在大电流状态具有正温度系数，可以改善均流性能，但是毕竟有限，加上可控半导体器件的均流还要考虑驱动一致性，否则，既使导通特性一致，也无法实现均流，这样，就给IGBT并联造成了极大困难。
