英飞凌FZ1600R12KE3
产品特点和作用
英飞凌FZ1600R12KE3和FZ1600R12HP4 IGBT模块经历20多年的市场检验，已经成为如逆变电路DC/AC、变频器、电机传动等电子产品中主要器件，。 英飞凌FZ1600R12KE3和FZ1600R12HP4 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
英飞凌FZ1600R12KE3和FZ1600R12HP4 IGBT模块的基本参数：IGBT模块 1600A/1200V/1U 采用英飞凌IHM 130mm封装。
英飞凌：FZ1600R12KE3和FZ1600R12HP4型号专用MA40xExx模块适配器板的特点：
电气特性和机械特性都适合满足IHM 模块系列
设计的目标工作温度： -55℃至85℃
开通和关断过程可以设置不同的门极驱动电阻值
通过有源箝位保护了IGBT在关断期间的暂态过电压
采 用二极管监控IGBT的欠饱和，实现短路保护
除了接插口外，所有器件都是采用260℃无铅焊接的表面贴装器件（SM D） 。
PCB设计满足IEC61800-5-1,污染级别2,过压种类III(爬电距离–11mm)的要求。
英飞凌FZ1600R12KE3与英飞凌FZ1600R12HP4产品参数
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| 品牌和型号 | 英飞凌FZ1600R12KE3 英飞凌FZ1600R12HP4 |
| 配置： | Dual Common Emitter Common Gate |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 1600 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| 功率耗散： | 7.8 kW |
| 最大工作温度： | + 125 C |
| 封装 / 箱体： | IHM 130X140-7 |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 工厂包装数量： | 8 |
英飞凌FZ1600R12KE3与英飞凌FZ1600R12HP4产品参数 封装尺寸和电路图：
英飞凌FZ1600R12KE3 IGBT模块的优势
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT的特点:
1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
