FF200R12MT4英飞凌
IGBT 模块 IGBT-MODULE 200A/1200V
英飞凌FF200R12MT4产品描述
英飞凌FF200R12MT4绝缘闸极双载子性电晶体(IGBT)藉助英飞凌第四代沟槽式场截止高速技术提升太阳能转换器、焊机(welder)、不间断电源和功率因子校正(PFC)转换器的耐用性和能效。降低多达15%的关机损耗和导通损耗。饱和电压(Vce(sat))减少至2.1V (在标准集极电流和100℃下的典型值)，这能确保总体损耗降至最低，在20kHz开关频率下更高效地工作。英飞凌FF200R12MT4 EconoDUAL™2模块内含终止IGBT和第四代发射极控制二极管带有温度检测NTC（见等效电路图），被广泛运用于经典电机传动系统以及UPS系统中，英飞凌FF200R12MT4深圳德意志工业库存在60只以上，需要资料和报价问询的可以联系我们。
英飞凌FF200R12MT4等效电路图
英飞凌FF200R12MT4产品特性
电气特性
• 提高工作结温Tvjop
• 高电流密度
• 低开关损耗
• VCEsat带正温度系数
• 低VCEsat
机械特性
• 绝缘的基板
• 标封装
英飞凌FF200R12MT4外形封装尺寸和结构图.mm
英飞凌FF200R12MT4 详细参数（中文PDF资料请联系深圳德意志工业的客服索取）
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 配置： | Dual |
| 品牌和型号 | 英飞凌 FF200R12MT4 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.15 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 295 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| 功率耗散： | 1050 W |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 封装 / 箱体： | Econo D |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 工厂包装数量： | 14 |
