BSM200GB120DN2英飞凌
英飞凌BSM200GB120DN2
产品性能和作用
英飞凌BSM200GB120DN2 IGBT功率模块是英飞凌公司专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而在前代IGBT模块上进行了优化设计的。对于输出逆变器 TIG 焊机应用，BSM200GB120DN2在额定电流时提供了当前市场上同系列模块中最低的 Vce(on)。BSM200GB120DN2采用EUPEC经典的绝缘金属基板封装，内含多个快速二极管。
英飞凌BSM200GB120DN2基本参数： IGBT功率模块，290A/1200V
英飞凌BSM200GB120DN2 外形封装尺寸和结构图mm
英飞凌BSM200GB120DN2 产品参数
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| 品牌和型号 | 英飞凌BSM200GB120DN2 |
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 配置： | Half Bridge Module |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 290 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| 功率耗散： | 1.4 kW |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 封装 / 箱体： | Half Bridge2 |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 安装风格： | Screw |
| 深圳亨力拓库存数量 | 60个 |
| 产品就价格和中文资料 | 联系我们咨询和索取 |
| 工厂包装数量： | 500 |
英飞凌BSM200GB120DN2 等效电路图
基于英飞凌BSM200GB120DN2 的电源逆变器工作原理
由于电源逆变器一般采用全桥拓扑，因此这个太阳能逆变器设计采用了4个高压IGBT。晶体管Q1和Q2用作高压端IGBT，Q3和Q4用作低压端功率器件。为保持低的总功率损耗低和高的电源转换效率，这个DC/DC逆变器解决方案利用低压端和高压端IGBT产生频率为60Hz的单相交流纯正弦波形。
实质上，为保持谐波分量低和功率损耗最小，逆变器的高压端IGBT采用脉宽调制(PWM)，低压端IGBT则以60Hz频率变换电流方向。通过让高压端IGBT使用20kHz或20kHz以上的PWM频率和50/60Hz调制方案，输出电感L1和L2在实例中可以做得很小，并且照样能对谐波分量进行高效滤波。此外，来自逆变器的可闻噪声也很小，因为开关频率高于人耳听觉频率。
比较各种开关技术和IGBT的发现，获得最低功率损耗和最高逆变器性能的最佳组合是高压端晶体管使用超快速沟道型IGBT，低压端晶体管使用标准速度的平面工艺IGBT。
