SKM100GB128D西门康

赛米控SKM100GB128D

产品性能和作用

赛米控SKM100GB128D采用了软穿通技术，与前代相比大大的减少了整体元件的损耗，使IGBT和二极管达到很好的静态和动态特性。赛米控SKM100GB128D增加了一个深的、低掺杂的SPT缓冲层，使元

件与NPT结构设计相比，总厚度减薄了20%。SPT缓冲层能确保像这样的元件维持软关断的特性。大功率、高电压电路不可避免的有很大的寄生电感，它将在元件关断的时候引起电压尖峰和大的振荡，并诱发电磁干扰(EMI)。

赛米控SKM100GB128D除了这些明显的优点外，还表明SPT技术可以使IGBT和二极管的SOA均有大的增加。HV-IGBT的设计平台利用一个先进的、极为可靠的平面单元设计，防止了闩锁效应，使SOA增加。SPT IGBT的输入电容设计可以提供对开通di/dt很好的控制，di/dt是门极电阻的函数，在门极-发射极端不需要额外的电容。这一点使IGBT的通态电压延迟更短，其开通损耗大大的降低。

赛米控SKM100GB128D基本参数：SPT IGBT模块,100A/1200V

赛米控SKM100GB128D外形封装尺寸和结构图（mm）

赛米控SKM100GB128D等效电路图

赛米控SKM100GB128D STP IGBT模块的结构优势

IGBT芯片与高压快速和软恢复SPT二极管一起使用，共同构成有很大优势的SPT-IGBTs。高压二极管有一个高掺杂的P+阳极，与低浓度P型阳极二极管相比， SOA特性更好，更加耐用。这是因为二极管在反向恢复期间，在极端的动态雪崩条件下减少了穿通效应。高掺杂的P+二极管反向恢复时减少了阳极周边的强电场和电流密度，使pn结更耐用。为了控制恢复过程和达到高的SOA，通过局部与整体的载流子寿命控制相结合的方法，适当的分布了电子-空穴等离子浓度。最终，在大的电流模块中，并联芯片的均流很好，在通态电压下降时保证了IGBT和二极管的正的温度系数。