BSM200GB120DLC英飞凌
英飞凌BSM200GB120DLC
产品性能和作用
英飞凌BSM200GB120DLC是由欧佩克生产的新型IGBT之一，BSM200GB120DLC比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，BSM200GB120DLC能实现高效和可靠的逆变器系统。英飞凌BSM200GB120DLC电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。
英飞凌BSM200GB120DLC基本参数：EUPEC 200A/1200V,两单元半桥模块
英飞凌BSM200GB120DLC外形封装尺寸和结构图（mm）
英飞凌BSM200GB120DLC 产品参数
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 品牌和型号 | 英飞凌BSM200GB120DLC |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 420 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| 功率耗散： | 1550 W |
| 最大工作温度： | + 125 C |
| 封装 / 箱体： | 62 mm |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 工厂包装数量： | 500 |
英飞凌BSM200GB120DLC 等效电路图
英飞凌BSM200GB120DLC IGBT逆变器的运用原理
在逆变器驱动UPS或电机应用中，IGBT如果在故障电机、输出短路或输入总线电压直通情形中导通，可能会损坏。在这些条件下，经过IGBT的电流快速增加直至饱和。在故障检测和保护功能激活前，IGBT将承受电压力。从拓扑上看，三级中点箝位拓扑越来越普遍，甚至可应用到中低功率逆变器，因为更好的输出电压性能可减小滤波器尺寸并降低成本，同时在不过分牺牲开关损耗的情况下增加开关频率。在这种情况下，1200V击穿电压为满足应用要求提供了极大的帮助。由于无法在三级NPC拓扑中完美平衡直流母线电压，较高的阻断电压对此拓扑极其重要。开发1200V IGBT时，将开关和传导损耗保持在与120000V IGBT相同水平至关重要。通常较高的击穿电压会造成Vce(sat)增加，并导致逆变器应用中的性能降低。
