IKW50N65H5英飞凌单管Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | IGBT 晶体管 | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 650 V | |
| 集电极—射极饱和电压: | 2.1 V | |
| 栅极/发射极最大电压: | 20 V | |
| 在25 C的连续集电极电流: | 80 A | |
| 栅极—射极漏泄电流: | 100 nA | |
| Pd-功率耗散: | 145 W | |
| 安装风格: | Through Hole | |
| 封装 / 箱体: | PG-TO-247-3 | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 工厂包装数量: | 240 | |
| 零件号别名: | IKW50N65H5FKSA1 SP001001734 |
