PGA26E19BA PanasonicMOSFET 600VDC, 10A, GaN GIT Eng Prototype Sample
| 制造商: | Panasonic | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |  详细信息 |
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| 技术: | Si | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V | |
| Qg-栅极电荷: | 120 nC | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标: | Panasonic | |
| 配置: | 1 N-Channel | |
| 开发套件: | - | |
| 下降时间: | - | |
| 正向跨导 - 最小值: | - | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 上升时间: | - | |
| 系列: | GaN-FET | |
| 工厂包装数量: | 200 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | - | |
| 典型接通延迟时间: | - |
