英飞凌IGBT芯片技术及选型
IGBT是一种十分重要的电力电子器件。它既有功率MOSFET驱动功率小、开关频率高的优点，又有大功率晶体管导通电压低、通态电流大的优点。它在任何时刻可关断通态电流，避免了普通晶闸管在一个半波内只能导通不能关断的弱点。在电力电子领域是一个十分有发展前途的大功率半导体器件。
IGBT这种新型功率半导体器件又称绝缘栅双极型晶体管，是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制等产业领域。它问世近三十年，已做到12吋硅晶片、6500伏的高水平。
“薄如蝉翼”的IGBT芯片
IGBT芯片发展趋势是：薄片工艺，主要是减少热阻，减小衬底电阻从而减小通态损耗[9];小管芯，主要是提高器件的电流密度，15年来管芯的 面积减少了2/3；大硅片，硅片由5英寸变为12英寸，面积增加了5.76倍，折算后每颗芯粒的成本可以大大的降低。Infineon英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称。
英飞凌分别针对小、中、大功率应用而设计的三种IGBT4芯片
英飞凌IGBT4芯片技术： •基于沟槽栅+场终止结构，1200V和1700V；
•1200V三种类型：小功率T4、中功率E4、大功率P4；
•1700V两种类型：中功率E4、大功率P4；
•P4实现软关断特性的明显提升，关断时电压尖峰小，无振荡；
•T4和E4提高关断速度，开关频率较高时输出能力优于T3和E3；
•配用反向恢复特性更"软"的EmCon4续流二极管；
•饱和电压正温度系数，10 µs短路承受时间不变。
英飞凌IGBT芯片选型（以下芯片如有需要，请联系我司相关人员）
