图像 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | 现有数量 ![]() |
最低订购数量 ![]() |
包装 | 系列 | 零件状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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NTA4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 | 171,000 - 立即发货 可供应: 171,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 915mA(Ta) | 1.5V,4.5V | 230 毫欧 @ 600mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 1.82nC @ 4.5V | ±6V | 110pF @ 16V |
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300mW(Tj) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75,SOT-416 | SC-75,SOT-416 |
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NTA4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 | 174,722 - 立即发货 可供应: 174,722 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 915mA(Ta) | 1.5V,4.5V | 230 毫欧 @ 600mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 1.82nC @ 4.5V | ±6V | 110pF @ 16V |
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300mW(Tj) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75,SOT-416 | SC-75,SOT-416 |
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NTA4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 | 174,722 - 立即发货 可供应: 174,722 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 915mA(Ta) | 1.5V,4.5V | 230 毫欧 @ 600mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 1.82nC @ 4.5V | ±6V | 110pF @ 16V |
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300mW(Tj) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75,SOT-416 | SC-75,SOT-416 |
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AO3416 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 | 252,000 - 立即发货 可供应: 252,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 22 毫欧 @ 6.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 16nC @ 4.5V | ±8V | 1160pF @ 10V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO3416 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 | 254,330 - 立即发货 可供应: 254,330 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 22 毫欧 @ 6.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 16nC @ 4.5V | ±8V | 1160pF @ 10V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO3416 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 | 254,330 - 立即发货 可供应: 254,330 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 22 毫欧 @ 6.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 16nC @ 4.5V | ±8V | 1160pF @ 10V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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CSD23382F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR | 57,000 - 立即发货 可供应: 57,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 3.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 76 毫欧 @ 500mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 1.35nC @ 6V | ±8V | 235pF @ 6V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD23382F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR | 62,597 - 立即发货 可供应: 62,597 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 3.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 76 毫欧 @ 500mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 1.35nC @ 6V | ±8V | 235pF @ 6V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD23382F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR | 62,597 - 立即发货 可供应: 62,597 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 3.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 76 毫欧 @ 500mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 1.35nC @ 6V | ±8V | 235pF @ 6V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 | 39,000 - 立即发货 180,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 8V |
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1.8V,4.5V | 52 毫欧 @ 3.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 15nC @ 4.5V | ±8V | 1173pF @ 4V |
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960mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 | 39,628 - 立即发货 182,736 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 8V |
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1.8V,4.5V | 52 毫欧 @ 3.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 15nC @ 4.5V | ±8V | 1173pF @ 4V |
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960mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 | 39,628 - 立即发货 182,736 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 8V |
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1.8V,4.5V | 52 毫欧 @ 3.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 15nC @ 4.5V | ±8V | 1173pF @ 4V |
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960mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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CSD25481F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR | 84,000 - 立即发货 可供应: 84,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 88 毫欧 @ 500mA,8V | 1.2V @ 250µA | 0.913nC @ 4.5V | -12V | 189pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD25481F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR | 87,268 - 立即发货 2 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 88 毫欧 @ 500mA,8V | 1.2V @ 250µA | 0.913nC @ 4.5V | -12V | 189pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD25481F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR | 87,268 - 立即发货 2 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 88 毫欧 @ 500mA,8V | 1.2V @ 250µA | 0.913nC @ 4.5V | -12V | 189pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | 162,000 - 立即发货 可供应: 162,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.1A(Tc) | 2.5V,4.5V | 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 405pF @ 10V |
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860mW(Ta),1.6W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | 164,655 - 立即发货 可供应: 164,655 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.1A(Tc) | 2.5V,4.5V | 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 405pF @ 10V |
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860mW(Ta),1.6W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | 164,655 - 立即发货 可供应: 164,655 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.1A(Tc) | 2.5V,4.5V | 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 405pF @ 10V |
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860mW(Ta),1.6W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | 51,000 - 立即发货 可供应: 51,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.1A(Tc) | 2.5V,4.5V | 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 405pF @ 10V |
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860mW(Ta),1.6W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | 52,746 - 立即发货 可供应: 52,746 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.1A(Tc) | 2.5V,4.5V | 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 405pF @ 10V |
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860mW(Ta),1.6W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | 52,746 - 立即发货 可供应: 52,746 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.1A(Tc) | 2.5V,4.5V | 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 405pF @ 10V |
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860mW(Ta),1.6W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.8A(Tc) | 2.5V,10V | 45 毫欧 @ 3.7A,10V | 1.5V @ 250µA | 35nC @ 10V | ±12V |
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1W(Ta),1.7W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 | 4,939 - 立即发货 可供应: 4,939 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.8A(Tc) | 2.5V,10V | 45 毫欧 @ 3.7A,10V | 1.5V @ 250µA | 35nC @ 10V | ±12V |
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1W(Ta),1.7W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 | 4,939 - 立即发货 可供应: 4,939 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.8A(Tc) | 2.5V,10V | 45 毫欧 @ 3.7A,10V | 1.5V @ 250µA | 35nC @ 10V | ±12V |
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1W(Ta),1.7W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 | 138,000 - 立即发货 可供应: 138,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 3.7µA | 0.8nC @ 5V | ±12V | 143pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 | 141,447 - 立即发货 可供应: 141,447 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 3.7µA | 0.8nC @ 5V | ±12V | 143pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 | 141,447 - 立即发货 可供应: 141,447 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 3.7µA | 0.8nC @ 5V | ±12V | 143pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTR4501NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 | 168,000 - 立即发货 可供应: 168,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.2A(Ta) | 1.8V,4.5V | 80 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 6nC @ 4.5V | ±12V | 200pF @ 10V |
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1.25W(Tj) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTR4501NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 | 168,655 - 立即发货 可供应: 168,655 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.2A(Ta) | 1.8V,4.5V | 80 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 6nC @ 4.5V | ±12V | 200pF @ 10V |
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1.25W(Tj) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTR4501NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 | 168,655 - 立即发货 可供应: 168,655 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.2A(Ta) | 1.8V,4.5V | 80 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 6nC @ 4.5V | ±12V | 200pF @ 10V |
|
1.25W(Tj) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 | 27,000 - 立即发货 可供应: 27,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 2.9nC @ 4.5V | ±12V | 270pF @ 24V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 | 30,767 - 立即发货 可供应: 30,767 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 2.9nC @ 4.5V | ±12V | 270pF @ 24V |
|
1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 | 30,767 - 立即发货 可供应: 30,767 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 2.9nC @ 4.5V | ±12V | 270pF @ 24V |
|
1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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CSD17484F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR | 93,000 - 立即发货 6,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3A(Ta) | 1.8V,8V | 121 毫欧 @ 500mA,8V | 1.1V @ 250µA | 1.2nC @ 4.5V | 12V | 195pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD17484F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR | 96,470 - 立即发货 6,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3A(Ta) | 1.8V,8V | 121 毫欧 @ 500mA,8V | 1.1V @ 250µA | 1.2nC @ 4.5V | 12V | 195pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD17484F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR | 96,470 - 立即发货 6,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3A(Ta) | 1.8V,8V | 121 毫欧 @ 500mA,8V | 1.1V @ 250µA | 1.2nC @ 4.5V | 12V | 195pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 | 63,000 - 立即发货 可供应: 63,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.1A(Ta) | 2.5V,4.5V | 46 毫欧 @ 4.1A,4.5V | 1.1V @ 5µA | 3.5nC @ 4.5V | ±12V | 290pF @ 16V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 | 64,296 - 立即发货 可供应: 64,296 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.1A(Ta) | 2.5V,4.5V | 46 毫欧 @ 4.1A,4.5V | 1.1V @ 5µA | 3.5nC @ 4.5V | ±12V | 290pF @ 16V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 | 64,296 - 立即发货 可供应: 64,296 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.1A(Ta) | 2.5V,4.5V | 46 毫欧 @ 4.1A,4.5V | 1.1V @ 5µA | 3.5nC @ 4.5V | ±12V | 290pF @ 16V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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2N7002 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | 117,000 - 立即发货 1,017,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 115mA(Tc) | 5V,10V | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 250µA |
|
40V | 50pF @ 25V |
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350mW(Ta) | -65°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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2N7002 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | 119,758 - 立即发货 1,017,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 115mA(Tc) | 5V,10V | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 250µA |
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40V | 50pF @ 25V |
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350mW(Ta) | -65°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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2N7002 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | 119,758 - 立即发货 1,017,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 115mA(Tc) | 5V,10V | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 250µA |
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40V | 50pF @ 25V |
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350mW(Ta) | -65°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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MTM232270LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B | 57,000 - 立即发货 可供应: 57,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2A(Ta) | 2.5V,4V | 110 毫欧 @ 1A,4V | 1.3V @ 1mA |
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±10V | 290pF @ 10V |
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500mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | S迷你型3-G1-B | SC-70,SOT-323 |
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MTM232270LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B | 59,246 - 立即发货 可供应: 59,246 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2A(Ta) | 2.5V,4V | 110 毫欧 @ 1A,4V | 1.3V @ 1mA |
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±10V | 290pF @ 10V |
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500mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | S迷你型3-G1-B | SC-70,SOT-323 |
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MTM232270LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B | 59,246 - 立即发货 可供应: 59,246 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2A(Ta) | 2.5V,4V | 110 毫欧 @ 1A,4V | 1.3V @ 1mA |
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±10V | 290pF @ 10V |
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500mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | S迷你型3-G1-B | SC-70,SOT-323 |
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CSD25484F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR | 48,000 - 立即发货 9,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.5A(Ta) | 1.8V,8V | 94 毫欧 @ 500mA,8V | 1.2V @ 250µA | 1.42nC @ 4.5V | -12V | 230pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD25484F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR | 52,127 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.5A(Ta) | 1.8V,8V | 94 毫欧 @ 500mA,8V | 1.2V @ 250µA | 1.42nC @ 4.5V | -12V | 230pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD25484F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR | 52,127 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.5A(Ta) | 1.8V,8V | 94 毫欧 @ 500mA,8V | 1.2V @ 250µA | 1.42nC @ 4.5V | -12V | 230pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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DMP2035U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 | 840,000 - 立即发货 可供应: 840,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.6A(Ta) | 1.8V,4.5V | 35 毫欧 @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 15.4nC @ 4.5V | ±8V | 1610pF @ 10V |
|
810mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP2035U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 | 842,350 - 立即发货 可供应: 842,350 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.6A(Ta) | 1.8V,4.5V | 35 毫欧 @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 15.4nC @ 4.5V | ±8V | 1610pF @ 10V |
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810mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP2035U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 | 842,350 - 立即发货 可供应: 842,350 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.6A(Ta) | 1.8V,4.5V | 35 毫欧 @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 15.4nC @ 4.5V | ±8V | 1610pF @ 10V |
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810mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | 327,000 - 立即发货 可供应: 327,000 |
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带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
不適用於新設計 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4A(Ta) | 1.8V,4.5V | 39 毫欧 @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 9.1nC @ 4.5V | ±8V | 294pF @ 10V |
|
900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | 327,440 - 立即发货 可供应: 327,440 |
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剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
不適用於新設計 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4A(Ta) | 1.8V,4.5V | 39 毫欧 @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 9.1nC @ 4.5V | ±8V | 294pF @ 10V |
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900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | 327,440 - 立即发货 可供应: 327,440 |
|
Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
不適用於新設計 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4A(Ta) | 1.8V,4.5V | 39 毫欧 @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 9.1nC @ 4.5V | ±8V | 294pF @ 10V |
|
900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN5L06WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 | 168,000 - 立即发货 可供应: 168,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 50V | 300mA(Ta) | 1.8V,5V | 2 欧姆 @ 50mA,5V | 1V @ 250µA |
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±20V | 50pF @ 25V |
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250mW(Ta) | -65°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
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DMN5L06WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 | 172,614 - 立即发货 可供应: 172,614 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 50V | 300mA(Ta) | 1.8V,5V | 2 欧姆 @ 50mA,5V | 1V @ 250µA |
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±20V | 50pF @ 25V |
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250mW(Ta) | -65°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
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DMN5L06WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 | 172,614 - 立即发货 可供应: 172,614 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 50V | 300mA(Ta) | 1.8V,5V | 2 欧姆 @ 50mA,5V | 1V @ 250µA |
|
±20V | 50pF @ 25V |
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250mW(Ta) | -65°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
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DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 | 147,000 - 立即发货 可供应: 147,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
汽车级,AEC-Q101 | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 540mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V | 1V @ 250µA |
|
±8V | 150pF @ 16V |
|
200mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
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DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 | 147,687 - 立即发货 可供应: 147,687 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
汽车级,AEC-Q101 | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 540mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V | 1V @ 250µA |
|
±8V | 150pF @ 16V |
|
200mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
![]() |
DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 | 147,687 - 立即发货 可供应: 147,687 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
汽车级,AEC-Q101 | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 540mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V | 1V @ 250µA |
|
±8V | 150pF @ 16V |
|
200mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
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DMN3042L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | 72,000 - 立即发货 可供应: 72,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5.8A(Ta) | 2.5V,10V | 26.5 毫欧 @ 5.8A,10V | 1.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±12V | 860pF @ 15V |
|
720mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
DMN3042L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | 72,594 - 立即发货 可供应: 72,594 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5.8A(Ta) | 2.5V,10V | 26.5 毫欧 @ 5.8A,10V | 1.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±12V | 860pF @ 15V |
|
720mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN3042L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | 72,594 - 立即发货 可供应: 72,594 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5.8A(Ta) | 2.5V,10V | 26.5 毫欧 @ 5.8A,10V | 1.4V @ 250µA | 20nC @ 10V | ±12V | 860pF @ 15V |
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720mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS331N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 | 135,000 - 立即发货 可供应: 135,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.3A(Ta) | 2.7V,4.5V | 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | ±8V | 162pF @ 10V |
|
500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS331N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 | 137,989 - 立即发货 可供应: 137,989 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.3A(Ta) | 2.7V,4.5V | 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | ±8V | 162pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS331N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 | 137,989 - 立即发货 可供应: 137,989 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.3A(Ta) | 2.7V,4.5V | 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | ±8V | 162pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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MMBF2201NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 | 81,000 - 立即发货 可供应: 81,000 |
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带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 300mA(Ta) | 4.5V,10V | 1 欧姆 @ 300mA,10V | 2.4V @ 250µA |
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±20V | 45pF @ 5V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3(SOT323) | SC-70,SOT-323 |
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MMBF2201NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 | 82,384 - 立即发货 可供应: 82,384 |
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剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 300mA(Ta) | 4.5V,10V | 1 欧姆 @ 300mA,10V | 2.4V @ 250µA |
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±20V | 45pF @ 5V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3(SOT323) | SC-70,SOT-323 |
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MMBF2201NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 | 82,384 - 立即发货 可供应: 82,384 |
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Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 300mA(Ta) | 4.5V,10V | 1 欧姆 @ 300mA,10V | 2.4V @ 250µA |
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±20V | 45pF @ 5V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3(SOT323) | SC-70,SOT-323 |
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AO3442 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 1A SOT23 | 399,000 - 立即发货 可供应: 399,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 1A(Ta) | 4.5V,10V | 630 毫欧 @ 1A,10V | 2.9V @ 250µA | 6nC @ 10V | ±20V | 100pF @ 50V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO3442 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 1A SOT23 | 399,651 - 立即发货 可供应: 399,651 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 1A(Ta) | 4.5V,10V | 630 毫欧 @ 1A,10V | 2.9V @ 250µA | 6nC @ 10V | ±20V | 100pF @ 50V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO3442 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 1A SOT23 | 399,651 - 立即发货 可供应: 399,651 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 1A(Ta) | 4.5V,10V | 630 毫欧 @ 1A,10V | 2.9V @ 250µA | 6nC @ 10V | ±20V | 100pF @ 50V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2302CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 | 165,000 - 立即发货 可供应: 165,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 850mV @ 250µA | 5.5nC @ 4.5V | ±8V |
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710mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2302CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 | 166,819 - 立即发货 可供应: 166,819 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 850mV @ 250µA | 5.5nC @ 4.5V | ±8V |
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710mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2302CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 | 166,819 - 立即发货 可供应: 166,819 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 850mV @ 250µA | 5.5nC @ 4.5V | ±8V |
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710mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP4065S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 | 234,000 - 立即发货 可供应: 234,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 2.4A(Ta) | 4.5V,10V | 80 毫欧 @ 4.2A,10V | 3V @ 250µA | 12.2nC @ 10V | ±20V | 587pF @ 20V |
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720mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP4065S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 | 236,329 - 立即发货 可供应: 236,329 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 2.4A(Ta) | 4.5V,10V | 80 毫欧 @ 4.2A,10V | 3V @ 250µA | 12.2nC @ 10V | ±20V | 587pF @ 20V |
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720mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP4065S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 | 236,329 - 立即发货 可供应: 236,329 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 2.4A(Ta) | 4.5V,10V | 80 毫欧 @ 4.2A,10V | 3V @ 250µA | 12.2nC @ 10V | ±20V | 587pF @ 20V |
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720mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS351AN | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 | 180,000 - 立即发货 可供应: 180,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 160 毫欧 @ 1.4A,10V | 3V @ 250µA | 1.8nC @ 4.5V | ±20V | 145pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS351AN | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 | 181,236 - 立即发货 可供应: 181,236 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 160 毫欧 @ 1.4A,10V | 3V @ 250µA | 1.8nC @ 4.5V | ±20V | 145pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS351AN | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 | 181,236 - 立即发货 可供应: 181,236 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 160 毫欧 @ 1.4A,10V | 3V @ 250µA | 1.8nC @ 4.5V | ±20V | 145pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTR4170NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 | 108,000 - 立即发货 可供应: 108,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V |
|
2.5V,10V | 55 毫欧 @ 3.2A,10V | 1.4V @ 250µA | 4.76nC @ 4.5V | ±12V | 432pF @ 15V |
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480mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTR4170NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 | 108,517 - 立即发货 可供应: 108,517 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V |
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2.5V,10V | 55 毫欧 @ 3.2A,10V | 1.4V @ 250µA | 4.76nC @ 4.5V | ±12V | 432pF @ 15V |
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480mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTR4170NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 | 108,517 - 立即发货 可供应: 108,517 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V |
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2.5V,10V | 55 毫欧 @ 3.2A,10V | 1.4V @ 250µA | 4.76nC @ 4.5V | ±12V | 432pF @ 15V |
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480mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTJS3151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 | 72,000 - 立即发货 可供应: 72,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 2.7A(Ta) | 1.8V,4.5V | 60 毫欧 @ 3.3A,4.5V | 1.2V @ 100µA | 8.6nC @ 4.5V | ±12V | 850pF @ 12V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
![]() |
NTJS3151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 | 78,000 - 立即发货 可供应: 78,000 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 2.7A(Ta) | 1.8V,4.5V | 60 毫欧 @ 3.3A,4.5V | 1.2V @ 100µA | 8.6nC @ 4.5V | ±12V | 850pF @ 12V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
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NTJS3151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 | 78,000 - 立即发货 可供应: 78,000 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 2.7A(Ta) | 1.8V,4.5V | 60 毫欧 @ 3.3A,4.5V | 1.2V @ 100µA | 8.6nC @ 4.5V | ±12V | 850pF @ 12V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
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FDN338P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 | 84,000 - 立即发货 可供应: 84,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 115 毫欧 @ 1.6A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 6.2nC @ 4.5V | ±8V | 451pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
FDN338P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 | 85,666 - 立即发货 可供应: 85,666 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 115 毫欧 @ 1.6A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 6.2nC @ 4.5V | ±8V | 451pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
FDN338P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 | 85,666 - 立即发货 可供应: 85,666 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 115 毫欧 @ 1.6A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 6.2nC @ 4.5V | ±8V | 451pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V |
|
1.5V,4.5V | 396 毫欧 @ 600mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2nC @ 8V | ±8V | 43pF @ 10V |
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240mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75,SOT-416 |
![]() |
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A | 19,624 - 立即发货 可供应: 19,624 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V |
|
1.5V,4.5V | 396 毫欧 @ 600mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2nC @ 8V | ±8V | 43pF @ 10V |
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240mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75,SOT-416 |
![]() |
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A | 19,624 - 立即发货 可供应: 19,624 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V |
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1.5V,4.5V | 396 毫欧 @ 600mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2nC @ 8V | ±8V | 43pF @ 10V |
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240mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75,SOT-416 |
![]() |
DMN3065LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 | 210,000 - 立即发货 可供应: 210,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4A(Ta) | 2.5V,10V | 52 毫欧 @ 4A,10V | 1.5V @ 250µA | 11.7nC @ 10V | ±12V | 465pF @ 15V |
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770mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
![]() |
DMN3065LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 | 212,329 - 立即发货 可供应: 212,329 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4A(Ta) | 2.5V,10V | 52 毫欧 @ 4A,10V | 1.5V @ 250µA | 11.7nC @ 10V | ±12V | 465pF @ 15V |
|
770mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
![]() |
DMN3065LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323 | 212,329 - 立即发货 可供应: 212,329 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4A(Ta) | 2.5V,10V | 52 毫欧 @ 4A,10V | 1.5V @ 250µA | 11.7nC @ 10V | ±12V | 465pF @ 15V |
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770mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
![]() |
IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 | 57,000 - 立即发货 可供应: 57,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 760mA(Ta) | 4.5V,10V | 600 毫欧 @ 600mA,10V | 1V @ 250µA | 5.1nC @ 10V | ±20V | 75pF @ 25V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 | 61,427 - 立即发货 可供应: 61,427 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 760mA(Ta) | 4.5V,10V | 600 毫欧 @ 600mA,10V | 1V @ 250µA | 5.1nC @ 10V | ±20V | 75pF @ 25V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML5103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 | 61,427 - 立即发货 可供应: 61,427 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 760mA(Ta) | 4.5V,10V | 600 毫欧 @ 600mA,10V | 1V @ 250µA | 5.1nC @ 10V | ±20V | 75pF @ 25V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO3422 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23 | 891,000 - 立即发货 可供应: 891,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 55V | 2.1A(Ta) | 2.5V,4.5V | 160 毫欧 @ 2.1A,4.5V | 2V @ 250µA | 3.3nC @ 4.5V | ±12V | 300pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO3422 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23 | 894,365 - 立即发货 可供应: 894,365 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 55V | 2.1A(Ta) | 2.5V,4.5V | 160 毫欧 @ 2.1A,4.5V | 2V @ 250µA | 3.3nC @ 4.5V | ±12V | 300pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO3422 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23 | 894,365 - 立即发货 可供应: 894,365 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 55V | 2.1A(Ta) | 2.5V,4.5V | 160 毫欧 @ 2.1A,4.5V | 2V @ 250µA | 3.3nC @ 4.5V | ±12V | 300pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3L | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | 189,000 - 立即发货 可供应: 189,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 100 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 950mV @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 375pF @ 6V |
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700mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | 192,370 - 立即发货 可供应: 192,370 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 100 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 950mV @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 375pF @ 6V |
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700mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | 192,370 - 立即发货 可供应: 192,370 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 100 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 950mV @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 375pF @ 6V |
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700mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SSM3J351R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
U-MOSVI | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 3.5A(Ta) | 4V,10V | 134 毫欧 @ 1A,10V | 2V @ 1mA | 15.1nC @ 10V | +10V,-20V | 660pF @ 10V |
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2W(Ta) | 150°C | 表面贴装 | SOT-23F | SOT-23-3 扁平引线 |
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SSM3J351R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F | 12,027 - 立即发货 可供应: 12,027 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
U-MOSVI | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 3.5A(Ta) | 4V,10V | 134 毫欧 @ 1A,10V | 2V @ 1mA | 15.1nC @ 10V | +10V,-20V | 660pF @ 10V |
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2W(Ta) | 150°C | 表面贴装 | SOT-23F | SOT-23-3 扁平引线 |
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SSM3J351R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F | 12,027 - 立即发货 可供应: 12,027 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
U-MOSVI | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 3.5A(Ta) | 4V,10V | 134 毫欧 @ 1A,10V | 2V @ 1mA | 15.1nC @ 10V | +10V,-20V | 660pF @ 10V |
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2W(Ta) | 150°C | 表面贴装 | SOT-23F | SOT-23-3 扁平引线 |
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PMV40UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 | 264,000 - 立即发货 可供应: 264,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.7A(Ta) | 1.8V,4.5V | 44 毫欧 @ 3.7A,4.5V | 900mV @ 250µA | 12nC @ 4.5V | ±12V | 635pF @ 15V |
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490mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV40UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 | 265,249 - 立即发货 可供应: 265,249 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.7A(Ta) | 1.8V,4.5V | 44 毫欧 @ 3.7A,4.5V | 900mV @ 250µA | 12nC @ 4.5V | ±12V | 635pF @ 15V |
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490mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV40UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 | 265,249 - 立即发货 可供应: 265,249 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.7A(Ta) | 1.8V,4.5V | 44 毫欧 @ 3.7A,4.5V | 900mV @ 250µA | 12nC @ 4.5V | ±12V | 635pF @ 15V |
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490mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV45EN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT23 | 135,000 - 立即发货 可供应: 135,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.1A(Ta) | 4.5V,10V | 42 毫欧 @ 4.1A,10V | 2V @ 250µA | 6.3nC @ 10V | ±20V | 209pF @ 15V |
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510mW(Ta), 5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV45EN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT23 | 137,668 - 立即发货 可供应: 137,668 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.1A(Ta) | 4.5V,10V | 42 毫欧 @ 4.1A,10V | 2V @ 250µA | 6.3nC @ 10V | ±20V | 209pF @ 15V |
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510mW(Ta), 5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV45EN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT23 | 137,668 - 立即发货 可供应: 137,668 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.1A(Ta) | 4.5V,10V | 42 毫欧 @ 4.1A,10V | 2V @ 250µA | 6.3nC @ 10V | ±20V | 209pF @ 15V |
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510mW(Ta), 5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | 63,000 - 立即发货 可供应: 63,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 135 毫欧 @ 2.6A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 2.9nC @ 4.5V | ±12V | 220pF @ 16V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | 63,660 - 立即发货 可供应: 63,660 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 135 毫欧 @ 2.6A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 2.9nC @ 4.5V | ±12V | 220pF @ 16V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | 63,660 - 立即发货 可供应: 63,660 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 135 毫欧 @ 2.6A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 2.9nC @ 4.5V | ±12V | 220pF @ 16V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDV305N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23 | 60,000 - 立即发货 可供应: 60,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 900mA(Ta) | 2.5V,4.5V | 220 毫欧 @ 900mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.5nC @ 4.5V | ±12V | 109pF @ 10V |
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350mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDV305N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23 | 66,814 - 立即发货 可供应: 66,814 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 900mA(Ta) | 2.5V,4.5V | 220 毫欧 @ 900mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.5nC @ 4.5V | ±12V | 109pF @ 10V |
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350mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDV305N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23 | 66,814 - 立即发货 可供应: 66,814 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 900mA(Ta) | 2.5V,4.5V | 220 毫欧 @ 900mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.5nC @ 4.5V | ±12V | 109pF @ 10V |
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350mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NTS2101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | 291,000 - 立即发货 可供应: 291,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 8V | 1.4A(Ta) | 1.8V,4.5V | 100 毫欧 @ 1A,4.5V | 700mV @ 250µA | 6.4nC @ 5V | ±8V | 640pF @ 8V |
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290mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3(SOT323) | SC-70,SOT-323 |
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NTS2101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | 293,820 - 立即发货 可供应: 293,820 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 8V | 1.4A(Ta) | 1.8V,4.5V | 100 毫欧 @ 1A,4.5V | 700mV @ 250µA | 6.4nC @ 5V | ±8V | 640pF @ 8V |
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290mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3(SOT323) | SC-70,SOT-323 |
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NTS2101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | 293,820 - 立即发货 可供应: 293,820 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 8V | 1.4A(Ta) | 1.8V,4.5V | 100 毫欧 @ 1A,4.5V | 700mV @ 250µA | 6.4nC @ 5V | ±8V | 640pF @ 8V |
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290mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3(SOT323) | SC-70,SOT-323 |
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IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.2A(Ta) | 4.5V,10V | 480 毫欧 @ 1.2A,10V | 2.5V @ 25µA | 0.67nC @ 4.5V | ±16V | 64pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 20,107 - 立即发货 可供应: 20,107 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.2A(Ta) | 4.5V,10V | 480 毫欧 @ 1.2A,10V | 2.5V @ 25µA | 0.67nC @ 4.5V | ±16V | 64pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 20,107 - 立即发货 可供应: 20,107 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.2A(Ta) | 4.5V,10V | 480 毫欧 @ 1.2A,10V | 2.5V @ 25µA | 0.67nC @ 4.5V | ±16V | 64pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 | 177,000 - 立即发货 可供应: 177,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 25 毫欧 @ 6.5A,4.5V | 900mV @ 250µA | 8.5nC @ 4.5V | ±12V | 151pF @ 10V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 | 178,795 - 立即发货 可供应: 178,795 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 25 毫欧 @ 6.5A,4.5V | 900mV @ 250µA | 8.5nC @ 4.5V | ±12V | 151pF @ 10V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 | 178,795 - 立即发货 可供应: 178,795 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 25 毫欧 @ 6.5A,4.5V | 900mV @ 250µA | 8.5nC @ 4.5V | ±12V | 151pF @ 10V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | 102,000 - 立即发货 可供应: 102,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 170mA(Ta) | 4.5V,10V | 6 欧姆 @ 100mA,10V | 2.8V @ 1mA |
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±20V | 20pF @ 25V |
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360mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | 103,413 - 立即发货 可供应: 103,413 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 170mA(Ta) | 4.5V,10V | 6 欧姆 @ 100mA,10V | 2.8V @ 1mA |
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±20V | 20pF @ 25V |
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360mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | 103,413 - 立即发货 可供应: 103,413 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 170mA(Ta) | 4.5V,10V | 6 欧姆 @ 100mA,10V | 2.8V @ 1mA |
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±20V | 20pF @ 25V |
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360mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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RTR040N03TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 | 60,000 - 立即发货 可供应: 60,000 |
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带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 48 毫欧 @ 4A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 8.3nC @ 4.5V | ±12V | 475pF @ 10V |
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1W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TSMT3 | SC-96 |
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RTR040N03TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 | 60,597 - 立即发货 可供应: 60,597 |
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剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 48 毫欧 @ 4A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 8.3nC @ 4.5V | ±12V | 475pF @ 10V |
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1W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TSMT3 | SC-96 |
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RTR040N03TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 | 60,597 - 立即发货 可供应: 60,597 |
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Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 48 毫欧 @ 4A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 8.3nC @ 4.5V | ±12V | 475pF @ 10V |
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1W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TSMT3 | SC-96 |
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BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 150 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 11µA | 3.6nC @ 4.5V | ±12V | 346pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 | 23,065 - 立即发货 可供应: 23,065 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 150 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 11µA | 3.6nC @ 4.5V | ±12V | 346pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 | 23,065 - 立即发货 可供应: 23,065 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 150 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 11µA | 3.6nC @ 4.5V | ±12V | 346pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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TP0610K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 | 363,000 - 立即发货 可供应: 363,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 185mA(Ta) | 4.5V,10V | 6 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 250µA | 1.7nC @ 15V | ±20V | 23pF @ 25V |
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350mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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TP0610K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 | 365,862 - 立即发货 可供应: 365,862 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 185mA(Ta) | 4.5V,10V | 6 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 250µA | 1.7nC @ 15V | ±20V | 23pF @ 25V |
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350mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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TP0610K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 | 365,862 - 立即发货 可供应: 365,862 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 185mA(Ta) | 4.5V,10V | 6 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 250µA | 1.7nC @ 15V | ±20V | 23pF @ 25V |
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350mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 | 108,000 - 立即发货 可供应: 108,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.8A(Ta) | 4.5V,10V | 70 毫欧 @ 3.8A,10V | 2.1V @ 250µA |
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±20V | 336pF @ 25V |
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1.08W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 | 108,133 - 立即发货 可供应: 108,133 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.8A(Ta) | 4.5V,10V | 70 毫欧 @ 3.8A,10V | 2.1V @ 250µA |
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±20V | 336pF @ 25V |
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1.08W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 | 108,133 - 立即发货 可供应: 108,133 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.8A(Ta) | 4.5V,10V | 70 毫欧 @ 3.8A,10V | 2.1V @ 250µA |
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±20V | 336pF @ 25V |
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1.08W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 | 39,000 - 立即发货 可供应: 39,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2.3A(Ta) | 4.5V,10V | 57 毫欧 @ 2.3A,10V | 2V @ 11µA | 1.5nC @ 5V | ±20V | 275pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 | 39,887 - 立即发货 可供应: 39,887 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2.3A(Ta) | 4.5V,10V | 57 毫欧 @ 2.3A,10V | 2V @ 11µA | 1.5nC @ 5V | ±20V | 275pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 | 39,887 - 立即发货 可供应: 39,887 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2.3A(Ta) | 4.5V,10V | 57 毫欧 @ 2.3A,10V | 2V @ 11µA | 1.5nC @ 5V | ±20V | 275pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT23 | 39,000 - 立即发货 可供应: 39,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.2A(Ta) | 1.2V,4.5V | 32 毫欧 @ 4.2A,4.5V | 900mV @ 250µA | 11nC @ 4.5V | ±12V | 655pF @ 10V |
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490mW(Ta), 5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT23 | 39,477 - 立即发货 可供应: 39,477 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.2A(Ta) | 1.2V,4.5V | 32 毫欧 @ 4.2A,4.5V | 900mV @ 250µA | 11nC @ 4.5V | ±12V | 655pF @ 10V |
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490mW(Ta), 5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT23 | 39,477 - 立即发货 可供应: 39,477 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.2A(Ta) | 1.2V,4.5V | 32 毫欧 @ 4.2A,4.5V | 900mV @ 250µA | 11nC @ 4.5V | ±12V | 655pF @ 10V |
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490mW(Ta), 5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO6405 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5A(Ta) | 4.5V,10V | 52 毫欧 @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 840pF @ 15V |
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2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-TSOP | SC-74,SOT-457 |
![]() |
AO6405 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP | 8,464 - 立即发货 可供应: 8,464 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5A(Ta) | 4.5V,10V | 52 毫欧 @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 840pF @ 15V |
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2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-TSOP | SC-74,SOT-457 |
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AO6405 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP | 8,464 - 立即发货 可供应: 8,464 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5A(Ta) | 4.5V,10V | 52 毫欧 @ 5A,10V | 3V @ 250µA | 18nC @ 10V | ±20V | 840pF @ 15V |
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2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-TSOP | SC-74,SOT-457 |
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BSH103,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 147,000 - 立即发货 可供应: 147,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 850mA(Ta) | 2.5V | 400 毫欧 @ 500mA,4.5V | 400mV @ 1mA(最小) | 2.1nC @ 4.5V | ±8V | 83pF @ 24V |
|
540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
BSH103,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 0 可供应: 0 | 10,000 最低订购数量 : 10,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 850mA(Ta) | 2.5V | 400 毫欧 @ 500mA,4.5V | 400mV @ 1mA(最小) | 2.1nC @ 4.5V | ±8V | 83pF @ 24V |
|
540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
BSH103,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 0 可供应: 0 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 850mA(Ta) | 2.5V | 400 毫欧 @ 500mA,4.5V | 400mV @ 1mA(最小) | 2.1nC @ 4.5V | ±8V | 83pF @ 24V |
|
540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
BSH103,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 148,572 - 立即发货 可供应: 148,572 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 850mA(Ta) | 2.5V | 400 毫欧 @ 500mA,4.5V | 400mV @ 1mA(最小) | 2.1nC @ 4.5V | ±8V | 83pF @ 24V |
|
540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
BSH103,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 0 可供应: 0 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 850mA(Ta) | 2.5V | 400 毫欧 @ 500mA,4.5V | 400mV @ 1mA(最小) | 2.1nC @ 4.5V | ±8V | 83pF @ 24V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
BSH103,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 | 148,572 - 立即发货 可供应: 148,572 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 850mA(Ta) | 2.5V | 400 毫欧 @ 500mA,4.5V | 400mV @ 1mA(最小) | 2.1nC @ 4.5V | ±8V | 83pF @ 24V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN335N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 | 378,000 - 立即发货 可供应: 378,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.7A(Ta) | 2.5V,4.5V | 70 毫欧 @ 1.7A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | ±8V | 310pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
FDN335N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 | 380,159 - 立即发货 可供应: 380,159 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.7A(Ta) | 2.5V,4.5V | 70 毫欧 @ 1.7A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | ±8V | 310pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
FDN335N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 | 380,159 - 立即发货 可供应: 380,159 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.7A(Ta) | 2.5V,4.5V | 70 毫欧 @ 1.7A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | ±8V | 310pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN352AP | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 | 243,000 - 立即发货 可供应: 243,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.3A(Ta) | 4.5V,10V | 180 毫欧 @ 1.3A,10V | 2.5V @ 250µA | 1.9nC @ 4.5V | ±25V | 150pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN352AP | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 | 244,670 - 立即发货 可供应: 244,670 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.3A(Ta) | 4.5V,10V | 180 毫欧 @ 1.3A,10V | 2.5V @ 250µA | 1.9nC @ 4.5V | ±25V | 150pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN352AP | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 | 244,670 - 立即发货 可供应: 244,670 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.3A(Ta) | 4.5V,10V | 180 毫欧 @ 1.3A,10V | 2.5V @ 250µA | 1.9nC @ 4.5V | ±25V | 150pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2356DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 | 81,000 - 立即发货 可供应: 81,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 4.3A(Tc) | 2.5V,10V | 51 毫欧 @ 3.2A,10V | 1.5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±12V | 370pF @ 20V |
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960mW(Ta),1.7W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2356DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 | 81,666 - 立即发货 可供应: 81,666 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 4.3A(Tc) | 2.5V,10V | 51 毫欧 @ 3.2A,10V | 1.5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±12V | 370pF @ 20V |
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960mW(Ta),1.7W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2356DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 | 81,666 - 立即发货 可供应: 81,666 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 40V | 4.3A(Tc) | 2.5V,10V | 51 毫欧 @ 3.2A,10V | 1.5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±12V | 370pF @ 20V |
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960mW(Ta),1.7W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 | 72,000 - 立即发货 可供应: 72,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.2A(Ta) | 4.5V,10V | 250 毫欧 @ 910mA,10V | 1V @ 250µA | 5nC @ 10V | ±20V | 85pF @ 25V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 | 74,692 - 立即发货 可供应: 74,692 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.2A(Ta) | 4.5V,10V | 250 毫欧 @ 910mA,10V | 1V @ 250µA | 5nC @ 10V | ±20V | 85pF @ 25V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 | 74,692 - 立即发货 可供应: 74,692 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.2A(Ta) | 4.5V,10V | 250 毫欧 @ 910mA,10V | 1V @ 250µA | 5nC @ 10V | ±20V | 85pF @ 25V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | 381,000 - 立即发货 可供应: 381,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.2A(Ta) | 2.7V,4.5V | 250 毫欧 @ 930mA,4.5V | 700mV @ 250µA | 3.9nC @ 4.5V | ±12V | 110pF @ 15V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | 381,946 - 立即发货 可供应: 381,946 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.2A(Ta) | 2.7V,4.5V | 250 毫欧 @ 930mA,4.5V | 700mV @ 250µA | 3.9nC @ 4.5V | ±12V | 110pF @ 15V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | 381,946 - 立即发货 可供应: 381,946 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.2A(Ta) | 2.7V,4.5V | 250 毫欧 @ 930mA,4.5V | 700mV @ 250µA | 3.9nC @ 4.5V | ±12V | 110pF @ 15V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN340P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3 | 108,000 - 立即发货 可供应: 108,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 70 毫欧 @ 2A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 779pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN340P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3 | 109,686 - 立即发货 可供应: 109,686 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 70 毫欧 @ 2A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 779pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN340P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3 | 109,686 - 立即发货 可供应: 109,686 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 70 毫欧 @ 2A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | ±8V | 779pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 | 170,000 - 立即发货 30,000 - 厂方库存 ![]() |
10,000 最低订购数量 : 10,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 25V | 260mA(Ta) | 2.7V,4.5V | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.36nC @ 4.5V | 8V | 27.9pF @ 10V |
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320mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 | 175,170 - 立即发货 30,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 25V | 260mA(Ta) | 2.7V,4.5V | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.36nC @ 4.5V | 8V | 27.9pF @ 10V |
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320mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 | 175,170 - 立即发货 30,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 25V | 260mA(Ta) | 2.7V,4.5V | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.36nC @ 4.5V | 8V | 27.9pF @ 10V |
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320mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | 118,000 - 立即发货 可供应: 118,000 | 2,000 最低订购数量 : 2,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 10.5A(Ta) | 4.5V,10V | 11 毫欧 @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 26.7nC @ 10V | ±20V | 1281pF @ 15V |
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900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerDI3333-8 | 8-PowerWDFN | |
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | 119,310 - 立即发货 可供应: 119,310 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 10.5A(Ta) | 4.5V,10V | 11 毫欧 @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 26.7nC @ 10V | ±20V | 1281pF @ 15V |
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900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerDI3333-8 | 8-PowerWDFN | |
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | 119,310 - 立即发货 可供应: 119,310 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 10.5A(Ta) | 4.5V,10V | 11 毫欧 @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 26.7nC @ 10V | ±20V | 1281pF @ 15V |
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900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerDI3333-8 | 8-PowerWDFN | |
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DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN | 63,000 - 立即发货 48,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 150 毫欧 @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA |
|
±12V | 320pF @ 16V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-DFN1411(1.4x1.1) | 3-XDFN |
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DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN | 66,179 - 立即发货 48,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 150 毫欧 @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA |
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±12V | 320pF @ 16V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-DFN1411(1.4x1.1) | 3-XDFN |
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DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN | 66,179 - 立即发货 48,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 150 毫欧 @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA |
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±12V | 320pF @ 16V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-DFN1411(1.4x1.1) | 3-XDFN |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 | 36,000 - 立即发货 可供应: 36,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2A(Ta) | 4.5V,10V | 80 毫欧 @ 2A,10V | 2V @ 11µA | 5nC @ 10V | ±20V | 500pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 | 38,635 - 立即发货 可供应: 38,635 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2A(Ta) | 4.5V,10V | 80 毫欧 @ 2A,10V | 2V @ 11µA | 5nC @ 10V | ±20V | 500pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 | 38,635 - 立即发货 可供应: 38,635 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2A(Ta) | 4.5V,10V | 80 毫欧 @ 2A,10V | 2V @ 11µA | 5nC @ 10V | ±20V | 500pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6.3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 21 毫欧 @ 6.3A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 8.9nC @ 4.5V | ±12V | 700pF @ 16V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 | 5,192 - 立即发货 可供应: 5,192 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6.3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 21 毫欧 @ 6.3A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 8.9nC @ 4.5V | ±12V | 700pF @ 16V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
IRLML6244TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 | 5,192 - 立即发货 可供应: 5,192 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6.3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 21 毫欧 @ 6.3A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 8.9nC @ 4.5V | ±12V | 700pF @ 16V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 | 117,000 - 立即发货 150,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.3A(Ta) | 4.5V,10V | 50 毫欧 @ 6A,10V | 2.1V @ 250µA | 11.8nC @ 10V | ±25V | 642pF @ 25V |
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1.38W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 | 118,633 - 立即发货 151,285 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.3A(Ta) | 4.5V,10V | 50 毫欧 @ 6A,10V | 2.1V @ 250µA | 11.8nC @ 10V | ±25V | 642pF @ 25V |
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1.38W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 | 118,633 - 立即发货 151,285 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.3A(Ta) | 4.5V,10V | 50 毫欧 @ 6A,10V | 2.1V @ 250µA | 11.8nC @ 10V | ±25V | 642pF @ 25V |
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1.38W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI1032R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | 48,000 - 立即发货 可供应: 48,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 140mA(Ta) | 1.5V,4.5V | 5 欧姆 @ 200mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 0.75nC @ 4.5V | ±6V |
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250mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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SI1032R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | 49,909 - 立即发货 可供应: 49,909 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 140mA(Ta) | 1.5V,4.5V | 5 欧姆 @ 200mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 0.75nC @ 4.5V | ±6V |
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250mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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SI1032R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | 49,909 - 立即发货 可供应: 49,909 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 140mA(Ta) | 1.5V,4.5V | 5 欧姆 @ 200mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 0.75nC @ 4.5V | ±6V |
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250mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 | 42,000 - 立即发货 可供应: 42,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.7A(Ta) | 2.5V,4.5V | 65 毫欧 @ 3.7A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 12nC @ 5V | ±12V | 633pF @ 10V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 | 44,684 - 立即发货 可供应: 44,684 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.7A(Ta) | 2.5V,4.5V | 65 毫欧 @ 3.7A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 12nC @ 5V | ±12V | 633pF @ 10V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 | 44,684 - 立即发货 可供应: 44,684 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.7A(Ta) | 2.5V,4.5V | 65 毫欧 @ 3.7A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 12nC @ 5V | ±12V | 633pF @ 10V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN360P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | 180,000 - 立即发货 可供应: 180,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2A(Ta) | 4.5V,10V | 80 毫欧 @ 2A,10V | 3V @ 250µA | 9nC @ 10V | ±20V | 298pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN360P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | 182,171 - 立即发货 可供应: 182,171 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2A(Ta) | 4.5V,10V | 80 毫欧 @ 2A,10V | 3V @ 250µA | 9nC @ 10V | ±20V | 298pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN360P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | 182,171 - 立即发货 可供应: 182,171 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2A(Ta) | 4.5V,10V | 80 毫欧 @ 2A,10V | 3V @ 250µA | 9nC @ 10V | ±20V | 298pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.6A(Ta) | 4.5V,10V | 64 毫欧 @ 3.6A,10V | 2.4V @ 10µA | 4.8nC @ 4.5V | ±20V | 388pF @ 25V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3 | 12,059 - 立即发货 可供应: 12,059 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.6A(Ta) | 4.5V,10V | 64 毫欧 @ 3.6A,10V | 2.4V @ 10µA | 4.8nC @ 4.5V | ±20V | 388pF @ 25V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3 | 12,059 - 立即发货 可供应: 12,059 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.6A(Ta) | 4.5V,10V | 64 毫欧 @ 3.6A,10V | 2.4V @ 10µA | 4.8nC @ 4.5V | ±20V | 388pF @ 25V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN337N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 | 42,000 - 立即发货 可供应: 42,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 9nC @ 4.5V | ±8V | 300pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN337N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 | 42,870 - 立即发货 可供应: 42,870 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 9nC @ 4.5V | ±8V | 300pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN337N | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 | 42,870 - 立即发货 可供应: 42,870 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 9nC @ 4.5V | ±8V | 300pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS355AN | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 | 114,000 - 立即发货 可供应: 114,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.7A(Ta) | 4.5V,10V | 85 毫欧 @ 1.9A,10V | 2V @ 250µA | 5nC @ 5V | ±20V | 195pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS355AN | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 | 115,331 - 立即发货 可供应: 115,331 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.7A(Ta) | 4.5V,10V | 85 毫欧 @ 1.9A,10V | 2V @ 250µA | 5nC @ 5V | ±20V | 195pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS355AN | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 | 115,331 - 立即发货 可供应: 115,331 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.7A(Ta) | 4.5V,10V | 85 毫欧 @ 1.9A,10V | 2V @ 250µA | 5nC @ 5V | ±20V | 195pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN2B01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.1A(Ta) | 1.8V,4.5V | 100 毫欧 @ 2.4A,4.5V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | ±8V | 370pF @ 10V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN2B01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | 47,527 - 立即发货 可供应: 47,527 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.1A(Ta) | 1.8V,4.5V | 100 毫欧 @ 2.4A,4.5V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | ±8V | 370pF @ 10V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN2B01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | 47,527 - 立即发货 可供应: 47,527 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.1A(Ta) | 1.8V,4.5V | 100 毫欧 @ 2.4A,4.5V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | ±8V | 370pF @ 10V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS352AP | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3 | 105,000 - 立即发货 可供应: 105,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 900mA(Ta) | 4.5V,10V | 300 毫欧 @ 1A,10V | 2.5V @ 250µA | 3nC @ 4.5V | ±20V | 135pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS352AP | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3 | 106,162 - 立即发货 可供应: 106,162 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 900mA(Ta) | 4.5V,10V | 300 毫欧 @ 1A,10V | 2.5V @ 250µA | 3nC @ 4.5V | ±20V | 135pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NDS352AP | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3 | 106,162 - 立即发货 可供应: 106,162 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 900mA(Ta) | 4.5V,10V | 300 毫欧 @ 1A,10V | 2.5V @ 250µA | 3nC @ 4.5V | ±20V | 135pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 | 399,000 - 立即发货 可供应: 399,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 29 毫欧 @ 5A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 6.8nC @ 4.5V | ±12V | 650pF @ 25V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 | 401,581 - 立即发货 可供应: 401,581 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 29 毫欧 @ 5A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 6.8nC @ 4.5V | ±12V | 650pF @ 25V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 | 401,581 - 立即发货 可供应: 401,581 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 29 毫欧 @ 5A,4.5V | 1.1V @ 10µA | 6.8nC @ 4.5V | ±12V | 650pF @ 25V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | 183,000 - 立即发货 可供应: 183,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 1.6A(Ta) | 1.8V,4.5V | 34 毫欧 @ 1A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 2.9nC @ 4.5V | ±8V | 462pF @ 6V |
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1.2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 4-DSBGA(1x1) | 4-UFBGA,DSBGA |
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CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | 185,886 - 立即发货 可供应: 185,886 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 1.6A(Ta) | 1.8V,4.5V | 34 毫欧 @ 1A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 2.9nC @ 4.5V | ±8V | 462pF @ 6V |
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1.2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 4-DSBGA(1x1) | 4-UFBGA,DSBGA |
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CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | 185,886 - 立即发货 可供应: 185,886 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 1.6A(Ta) | 1.8V,4.5V | 34 毫欧 @ 1A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 2.9nC @ 4.5V | ±8V | 462pF @ 6V |
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1.2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 4-DSBGA(1x1) | 4-UFBGA,DSBGA |
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IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 | 96,000 - 立即发货 可供应: 96,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 780mA(Ta) | 2.7V,4.5V | 600 毫欧 @ 610mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 3.6nC @ 4.45V | ±12V | 97pF @ 15V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 | 97,009 - 立即发货 可供应: 97,009 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 780mA(Ta) | 2.7V,4.5V | 600 毫欧 @ 610mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 3.6nC @ 4.45V | ±12V | 97pF @ 15V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 | 97,009 - 立即发货 可供应: 97,009 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 780mA(Ta) | 2.7V,4.5V | 600 毫欧 @ 610mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 3.6nC @ 4.45V | ±12V | 97pF @ 15V |
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540mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5.3A(Ta) | 4.5V,10V | 27 毫欧 @ 5.2A,10V | 2.3V @ 25µA | 2.6nC @ 4.5V | ±20V | 382pF @ 15V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 12,861 - 立即发货 可供应: 12,861 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5.3A(Ta) | 4.5V,10V | 27 毫欧 @ 5.2A,10V | 2.3V @ 25µA | 2.6nC @ 4.5V | ±20V | 382pF @ 15V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 12,861 - 立即发货 可供应: 12,861 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5.3A(Ta) | 4.5V,10V | 27 毫欧 @ 5.2A,10V | 2.3V @ 25µA | 2.6nC @ 4.5V | ±20V | 382pF @ 15V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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CPH3351-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 | 69,000 - 立即发货 可供应: 69,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.8A(Ta) | 4V,10V | 250 毫欧 @ 1A,10V | 2.6V @ 1mA | 6nC @ 10V | ±20V | 262pF @ 20V |
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1W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-CPH | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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CPH3351-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 | 70,361 - 立即发货 可供应: 70,361 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.8A(Ta) | 4V,10V | 250 毫欧 @ 1A,10V | 2.6V @ 1mA | 6nC @ 10V | ±20V | 262pF @ 20V |
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1W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-CPH | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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CPH3351-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 | 70,361 - 立即发货 可供应: 70,361 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.8A(Ta) | 4V,10V | 250 毫欧 @ 1A,10V | 2.6V @ 1mA | 6nC @ 10V | ±20V | 262pF @ 20V |
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1W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-CPH | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 | 525,000 - 立即发货 可供应: 525,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.5A(Ta) | 2.5V,10V | 77 毫欧 @ 4.2A,10V | 1.3V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±12V | 432pF @ 15V |
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700mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 | 527,078 - 立即发货 可供应: 527,078 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.5A(Ta) | 2.5V,10V | 77 毫欧 @ 4.2A,10V | 1.3V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±12V | 432pF @ 15V |
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700mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 | 527,078 - 立即发货 可供应: 527,078 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.5A(Ta) | 2.5V,10V | 77 毫欧 @ 4.2A,10V | 1.3V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±12V | 432pF @ 15V |
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700mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 | 126,000 - 立即发货 9,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.1A(Ta) | 2.5V,4.5V | 45 毫欧 @ 2.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | ±12V | 452pF @ 10V |
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960mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 | 126,727 - 立即发货 9,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.1A(Ta) | 2.5V,4.5V | 45 毫欧 @ 2.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | ±12V | 452pF @ 10V |
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960mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 | 126,727 - 立即发货 9,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.1A(Ta) | 2.5V,4.5V | 45 毫欧 @ 2.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | ±12V | 452pF @ 10V |
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960mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP2123L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 | 72,000 - 立即发货 可供应: 72,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 72 毫欧 @ 3.5A,4.5V | 1.25V @ 250µA | 7.3nC @ 4.5V | ±12V | 443pF @ 16V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP2123L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23 | 74,406 - 立即发货 可供应: 74,406 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 72 毫欧 @ 3.5A,4.5V | 1.25V @ 250µA | 7.3nC @ 4.5V | ±12V | 443pF @ 16V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP2123L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 | 74,406 - 立即发货 可供应: 74,406 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 72 毫欧 @ 3.5A,4.5V | 1.25V @ 250µA | 7.3nC @ 4.5V | ±12V | 443pF @ 16V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23 | 81,000 - 立即发货 可供应: 81,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 750mA(Ta) | 4.5V,10V | 90 毫欧 @ 1.2A,10V | 2.4V @ 250µA |
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±20V | 125pF @ 5V |
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400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23 | 83,069 - 立即发货 可供应: 83,069 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 750mA(Ta) | 4.5V,10V | 90 毫欧 @ 1.2A,10V | 2.4V @ 250µA |
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±20V | 125pF @ 5V |
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400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23 | 83,069 - 立即发货 可供应: 83,069 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 750mA(Ta) | 4.5V,10V | 90 毫欧 @ 1.2A,10V | 2.4V @ 250µA |
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±20V | 125pF @ 5V |
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400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV30XPEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V TO-236AB | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
汽车级,AEC-Q101 | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 34 毫欧 @ 3A,4.5V | 1.25V @ 250µA | 17nC @ 4.5V | ±12V | 1465pF @ 10V |
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490mW(Ta), 5.435W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV30XPEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V TO-236AB | 16,557 - 立即发货 可供应: 16,557 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
汽车级,AEC-Q101 | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 34 毫欧 @ 3A,4.5V | 1.25V @ 250µA | 17nC @ 4.5V | ±12V | 1465pF @ 10V |
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490mW(Ta), 5.435W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV30XPEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V TO-236AB | 16,557 - 立即发货 可供应: 16,557 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
汽车级,AEC-Q101 | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 34 毫欧 @ 3A,4.5V | 1.25V @ 250µA | 17nC @ 4.5V | ±12V | 1465pF @ 10V |
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490mW(Ta), 5.435W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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RUF015N02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 | 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 180 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1V @ 1mA | 2.5nC @ 4.5V | ±10V | 110pF @ 10V |
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800mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TUMT3 | 3-SMD,扁平引线 |
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RUF015N02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 | 30,246 - 立即发货 可供应: 30,246 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 180 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1V @ 1mA | 2.5nC @ 4.5V | ±10V | 110pF @ 10V |
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800mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TUMT3 | 3-SMD,扁平引线 |
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RUF015N02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 | 30,246 - 立即发货 可供应: 30,246 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 1.8V,4.5V | 180 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1V @ 1mA | 2.5nC @ 4.5V | ±10V | 110pF @ 10V |
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800mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TUMT3 | 3-SMD,扁平引线 |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323 | 114,000 - 立即发货 可供应: 114,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Tc) | 2.5V,10V | 132 毫欧 @ 1.4A,10V | 1.5V @ 250µA | 4.1nC @ 10V | ±12V | 105pF @ 15V |
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400mW(Ta),500mW(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.4A SC-70-3 | 117,122 - 立即发货 可供应: 117,122 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Tc) | 2.5V,10V | 132 毫欧 @ 1.4A,10V | 1.5V @ 250µA | 4.1nC @ 10V | ±12V | 105pF @ 15V |
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400mW(Ta),500mW(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.4A SC-70-3 | 117,122 - 立即发货 可供应: 117,122 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Tc) | 2.5V,10V | 132 毫欧 @ 1.4A,10V | 1.5V @ 250µA | 4.1nC @ 10V | ±12V | 105pF @ 15V |
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400mW(Ta),500mW(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
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RSR030N06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 | 162,000 - 立即发货 可供应: 162,000 |
|
带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 3A(Ta) | 4V,10V | 85 毫欧 @ 3A,10V | 2.5V @ 1mA |
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±20V | 380pF @ 10V |
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540mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TSMT3 | SC-96 |
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RSR030N06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 | 163,452 - 立即发货 可供应: 163,452 |
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剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 3A(Ta) | 4V,10V | 85 毫欧 @ 3A,10V | 2.5V @ 1mA |
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±20V | 380pF @ 10V |
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540mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TSMT3 | SC-96 |
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RSR030N06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 | 163,452 - 立即发货 可供应: 163,452 |
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Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 3A(Ta) | 4V,10V | 85 毫欧 @ 3A,10V | 2.5V @ 1mA |
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±20V | 380pF @ 10V |
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540mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TSMT3 | SC-96 |
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SI1013R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | 120,000 - 立即发货 可供应: 120,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 350mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V | 450mV @ 250µA(最小) | 1.5nC @ 4.5V | ±6V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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SI1013R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | 123,960 - 立即发货 可供应: 123,960 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 350mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V | 450mV @ 250µA(最小) | 1.5nC @ 4.5V | ±6V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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SI1013R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A | 123,960 - 立即发货 可供应: 123,960 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 350mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V | 450mV @ 250µA(最小) | 1.5nC @ 4.5V | ±6V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | 96,000 - 立即发货 可供应: 96,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.9A(Ta) | 2.5V,4.5V | 120 毫欧 @ 4A,4.5V | 700mV @ 250µA | 3nC @ 4.5V | ±12V | 303pF @ 15V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | 97,226 - 立即发货 可供应: 97,226 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.9A(Ta) | 2.5V,4.5V | 120 毫欧 @ 4A,4.5V | 700mV @ 250µA | 3nC @ 4.5V | ±12V | 303pF @ 15V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | 97,226 - 立即发货 可供应: 97,226 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.9A(Ta) | 2.5V,4.5V | 120 毫欧 @ 4A,4.5V | 700mV @ 250µA | 3nC @ 4.5V | ±12V | 303pF @ 15V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI1012X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 500mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 700 毫欧 @ 600mA,4.5V | 900mV @ 250µA | 0.75nC @ 4.5V | ±6V |
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250mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-89-3 | SC-89,SOT-490 |
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SI1012X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 | 7,875 - 立即发货 可供应: 7,875 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 500mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 700 毫欧 @ 600mA,4.5V | 900mV @ 250µA | 0.75nC @ 4.5V | ±6V |
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250mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-89-3 | SC-89,SOT-490 |
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SI1012X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 | 7,875 - 立即发货 可供应: 7,875 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 500mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 700 毫欧 @ 600mA,4.5V | 900mV @ 250µA | 0.75nC @ 4.5V | ±6V |
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250mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-89-3 | SC-89,SOT-490 |
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CSD23202W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | 147,000 - 立即发货 可供应: 147,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 2.2A(Ta) | 1.5V,4.5V | 53 毫欧 @ 500mA,4.5V | 900mV @ 250µA | 3.8nC @ 4.5V | -6V | 512pF @ 6V |
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1W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 4-DSBGA(1x1) | 4-UFBGA,DSBGA |
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CSD23202W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | 150,701 - 立即发货 可供应: 150,701 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 2.2A(Ta) | 1.5V,4.5V | 53 毫欧 @ 500mA,4.5V | 900mV @ 250µA | 3.8nC @ 4.5V | -6V | 512pF @ 6V |
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1W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 4-DSBGA(1x1) | 4-UFBGA,DSBGA |
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CSD23202W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | 150,701 - 立即发货 可供应: 150,701 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 2.2A(Ta) | 1.5V,4.5V | 53 毫欧 @ 500mA,4.5V | 900mV @ 250µA | 3.8nC @ 4.5V | -6V | 512pF @ 6V |
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1W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 4-DSBGA(1x1) | 4-UFBGA,DSBGA |
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SI1416EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.9A(Tc) | 2.5V,10V | 58 毫欧 @ 3.1A,10V | 1.4V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±12V |
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1.56W(Ta),2.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-363 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
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SI1416EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.9A(Tc) | 2.5V,10V | 58 毫欧 @ 3.1A,10V | 1.4V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±12V |
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2.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-363 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
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SI1416EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.9A(Tc) | 2.5V,10V | 58 毫欧 @ 3.1A,10V | 1.4V @ 250µA | 12nC @ 10V | ±12V |
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2.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-363 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
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MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | 111,000 - 立即发货 可供应: 111,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.6A(Ta) | 4.5V,10V | 100 毫欧 @ 1.2A,10V | 2.4V @ 250µA |
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±20V | 140pF @ 5V |
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420mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | 112,852 - 立即发货 可供应: 112,852 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.6A(Ta) | 4.5V,10V | 100 毫欧 @ 1.2A,10V | 2.4V @ 250µA |
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±20V | 140pF @ 5V |
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420mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | 112,852 - 立即发货 可供应: 112,852 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.6A(Ta) | 4.5V,10V | 100 毫欧 @ 1.2A,10V | 2.4V @ 250µA |
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±20V | 140pF @ 5V |
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420mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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CPH6350-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 | 57,000 - 立即发货 15,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 6A(Ta) | 4V,10V | 43 毫欧 @ 3A,10V |
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13nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 10V |
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1.6W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-CPH | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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CPH6350-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 | 57,298 - 立即发货 17,091 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 6A(Ta) | 4V,10V | 43 毫欧 @ 3A,10V |
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13nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 10V |
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1.6W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-CPH | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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CPH6350-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 | 57,298 - 立即发货 17,091 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 6A(Ta) | 4V,10V | 43 毫欧 @ 3A,10V |
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13nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 10V |
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1.6W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-CPH | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | 174,000 - 立即发货 可供应: 174,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.24A(Ta) | 1.8V,4.5V | 175 毫欧 @ 300mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.6nC @ 4.5V | ±8V | 64.3pF @ 25V |
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430mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | 176,555 - 立即发货 可供应: 176,555 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.24A(Ta) | 1.8V,4.5V | 175 毫欧 @ 300mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.6nC @ 4.5V | ±8V | 64.3pF @ 25V |
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430mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | 176,555 - 立即发货 可供应: 176,555 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.24A(Ta) | 1.8V,4.5V | 175 毫欧 @ 300mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.6nC @ 4.5V | ±8V | 64.3pF @ 25V |
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430mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 | 147,000 - 立即发货 可供应: 147,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 750mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 460 毫欧 @ 200mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.6nC @ 4.5V | ±8V | 64.3pF @ 25V |
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450mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 | 149,201 - 立即发货 可供应: 149,201 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 750mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 460 毫欧 @ 200mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.6nC @ 4.5V | ±8V | 64.3pF @ 25V |
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450mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 | 149,201 - 立即发货 可供应: 149,201 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 750mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 460 毫欧 @ 200mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.6nC @ 4.5V | ±8V | 64.3pF @ 25V |
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450mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 | 57,000 - 立即发货 261,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 900mA(Ta) | 2.7V,4.5V | 600 毫欧 @ 610mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 3.5nC @ 4.5V | ±12V | 150pF @ 15V |
|
625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 | 58,457 - 立即发货 261,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 900mA(Ta) | 2.7V,4.5V | 600 毫欧 @ 610mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 3.5nC @ 4.5V | ±12V | 150pF @ 15V |
|
625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 | 58,457 - 立即发货 261,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 900mA(Ta) | 2.7V,4.5V | 600 毫欧 @ 610mA,4.5V | 1.5V @ 250µA | 3.5nC @ 4.5V | ±12V | 150pF @ 15V |
|
625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 | 90,000 - 立即发货 6,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 60 毫欧 @ 2.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 2.8nC @ 4.5V | ±12V | 277pF @ 10V |
|
950mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 | 91,114 - 立即发货 6,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 60 毫欧 @ 2.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 2.8nC @ 4.5V | ±12V | 277pF @ 10V |
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950mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 | 91,114 - 立即发货 6,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 60 毫欧 @ 2.5A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 2.8nC @ 4.5V | ±12V | 277pF @ 10V |
|
950mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A | 165,000 - 立即发货 可供应: 165,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 500mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 700 毫欧 @ 600mA,4.5V | 900mV @ 250µA | 0.75nC @ 4.5V | ±6V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A | 169,618 - 立即发货 可供应: 169,618 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 500mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 700 毫欧 @ 600mA,4.5V | 900mV @ 250µA | 0.75nC @ 4.5V | ±6V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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SI1012R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A | 169,618 - 立即发货 可供应: 169,618 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 500mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 700 毫欧 @ 600mA,4.5V | 900mV @ 250µA | 0.75nC @ 4.5V | ±6V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V SC89-6 | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V |
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1.5V,4.5V | 78 毫欧 @ 1.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 31.1nC @ 8V | ±8V | 965pF @ 10V |
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330mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-89-6 | SOT-563,SOT-666 |
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V SC89-6 | 19,010 - 立即发货 可供应: 19,010 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V |
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1.5V,4.5V | 78 毫欧 @ 1.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 31.1nC @ 8V | ±8V | 965pF @ 10V |
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330mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-89-6 | SOT-563,SOT-666 |
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V SC89-6 | 19,010 - 立即发货 可供应: 19,010 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V |
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1.5V,4.5V | 78 毫欧 @ 1.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 31.1nC @ 8V | ±8V | 965pF @ 10V |
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330mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-89-6 | SOT-563,SOT-666 |
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IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 45 毫欧 @ 4.2A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 12nC @ 5V | ±12V | 740pF @ 15V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 | 18,807 - 立即发货 可供应: 18,807 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 45 毫欧 @ 4.2A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 12nC @ 5V | ±12V | 740pF @ 15V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 | 18,807 - 立即发货 可供应: 18,807 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 45 毫欧 @ 4.2A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 12nC @ 5V | ±12V | 740pF @ 15V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SSM3J130TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
U-MOSVI | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.4A(Ta) | 1.5V,4.5V | 25.8 毫欧 @ 4A,4.5V | 1V @ 1mA | 24.8nC @ 4.5V | ±8V | 1800pF @ 10V |
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500mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | UFM | 3-SMD,扁平引线 |
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SSM3J130TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM | 17,090 - 立即发货 可供应: 17,090 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
U-MOSVI | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.4A(Ta) | 1.5V,4.5V | 25.8 毫欧 @ 4A,4.5V | 1V @ 1mA | 24.8nC @ 4.5V | ±8V | 1800pF @ 10V |
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500mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | UFM | 3-SMD,扁平引线 |
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SSM3J130TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM | 17,090 - 立即发货 可供应: 17,090 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
U-MOSVI | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.4A(Ta) | 1.5V,4.5V | 25.8 毫欧 @ 4A,4.5V | 1V @ 1mA | 24.8nC @ 4.5V | ±8V | 1800pF @ 10V |
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500mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | UFM | 3-SMD,扁平引线 |
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BSV236SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363 | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 175 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 8µA | 5.7nC @ 4.5V | ±12V | 228pF @ 15V |
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560mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PG-SOT363-6 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
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BSV236SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363 | 5,830 - 立即发货 可供应: 5,830 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 175 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 8µA | 5.7nC @ 4.5V | ±12V | 228pF @ 15V |
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560mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PG-SOT363-6 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
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BSV236SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363 | 5,830 - 立即发货 可供应: 5,830 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
OptiMOS™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.5A(Ta) | 2.5V,4.5V | 175 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 8µA | 5.7nC @ 4.5V | ±12V | 228pF @ 15V |
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560mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PG-SOT363-6 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
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PMV65XP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | 126,000 - 立即发货 可供应: 126,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.8A(Ta) | 1.8V,4.5V | 74 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 900mV @ 250µA | 7.7nC @ 4.5V | ±12V | 744pF @ 20V |
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480mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV65XP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | 129,185 - 立即发货 可供应: 129,185 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.8A(Ta) | 1.8V,4.5V | 74 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 900mV @ 250µA | 7.7nC @ 4.5V | ±12V | 744pF @ 20V |
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480mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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PMV65XP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | 129,185 - 立即发货 可供应: 129,185 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.8A(Ta) | 1.8V,4.5V | 74 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 900mV @ 250µA | 7.7nC @ 4.5V | ±12V | 744pF @ 20V |
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480mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236AB | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN306P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 | 171,000 - 立即发货 可供应: 171,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 2.6A(Ta) | 1.8V,4.5V | 40 毫欧 @ 2.6A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nC @ 4.5V | ±8V | 1138pF @ 6V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN306P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 | 173,223 - 立即发货 可供应: 173,223 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 2.6A(Ta) | 1.8V,4.5V | 40 毫欧 @ 2.6A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nC @ 4.5V | ±8V | 1138pF @ 6V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN306P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 | 173,223 - 立即发货 可供应: 173,223 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 2.6A(Ta) | 1.8V,4.5V | 40 毫欧 @ 2.6A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nC @ 4.5V | ±8V | 1138pF @ 6V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | 249,000 - 立即发货 可供应: 249,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.7A(Ta) | 2.7V,4.5V | 180 毫欧 @ 930mA,4.5V | 700mV @ 250µA | 3.4nC @ 4.5V | ±12V | 160pF @ 15V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | 250,619 - 立即发货 可供应: 250,619 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.7A(Ta) | 2.7V,4.5V | 180 毫欧 @ 930mA,4.5V | 700mV @ 250µA | 3.4nC @ 4.5V | ±12V | 160pF @ 15V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 | 250,619 - 立即发货 可供应: 250,619 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.7A(Ta) | 2.7V,4.5V | 180 毫欧 @ 930mA,4.5V | 700mV @ 250µA | 3.4nC @ 4.5V | ±12V | 160pF @ 15V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | 138,000 - 立即发货 可供应: 138,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 12A(Tc) | 1.8V,4.5V | 33 毫欧 @ 5.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 45nC @ 8V | ±8V | 1300pF @ 10V |
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3.4W(Ta),17.9W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | 140,253 - 立即发货 可供应: 140,253 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 12A(Tc) | 1.8V,4.5V | 33 毫欧 @ 5.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 45nC @ 8V | ±8V | 1300pF @ 10V |
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3.4W(Ta),17.9W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | 140,253 - 立即发货 可供应: 140,253 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 12A(Tc) | 1.8V,4.5V | 33 毫欧 @ 5.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 45nC @ 8V | ±8V | 1300pF @ 10V |
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3.4W(Ta),17.9W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 240mA(Ta) | 10V | 3 欧姆 @ 250mA,10V | 2.5V @ 250µA | 0.6nC @ 4.5V | ±20V | 21pF @ 5V |
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350mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | 12,576 - 立即发货 可供应: 12,576 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 240mA(Ta) | 10V | 3 欧姆 @ 250mA,10V | 2.5V @ 250µA | 0.6nC @ 4.5V | ±20V | 21pF @ 5V |
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350mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 |
|
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | 12,576 - 立即发货 可供应: 12,576 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 240mA(Ta) | 10V | 3 欧姆 @ 250mA,10V | 2.5V @ 250µA | 0.6nC @ 4.5V | ±20V | 21pF @ 5V |
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350mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 |
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN5630 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | 39,000 - 立即发货 可供应: 39,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.7A(Ta) | 6V,10V | 100 毫欧 @ 1.7A,10V | 3V @ 250µA | 10nC @ 10V | ±20V | 400pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN5630 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | 41,418 - 立即发货 可供应: 41,418 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.7A(Ta) | 6V,10V | 100 毫欧 @ 1.7A,10V | 3V @ 250µA | 10nC @ 10V | ±20V | 400pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN5630 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | 41,418 - 立即发货 可供应: 41,418 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.7A(Ta) | 6V,10V | 100 毫欧 @ 1.7A,10V | 3V @ 250µA | 10nC @ 10V | ±20V | 400pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2369DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 | 30,000 - 立即发货 可供应: 30,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 7.6A(Tc) | 4.5V,10V | 29 毫欧 @ 5.4A,10V | 2.5V @ 250µA | 36nC @ 10V | ±20V | 1295pF @ 15V |
|
1.25W(Ta),2.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2369DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 | 31,901 - 立即发货 可供应: 31,901 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 7.6A(Tc) | 4.5V,10V | 29 毫欧 @ 5.4A,10V | 2.5V @ 250µA | 36nC @ 10V | ±20V | 1295pF @ 15V |
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1.25W(Ta),2.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2369DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 | 31,901 - 立即发货 可供应: 31,901 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 7.6A(Tc) | 4.5V,10V | 29 毫欧 @ 5.4A,10V | 2.5V @ 250µA | 36nC @ 10V | ±20V | 1295pF @ 15V |
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1.25W(Ta),2.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-236 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NVR5198NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.7A(Ta) | 4.5V,10V | 155 毫欧 @ 1A,10V | 2.5V @ 250µA | 5.1nC @ 10V | ±20V | 182pF @ 25V |
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900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NVR5198NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23 | 6,782 - 立即发货 可供应: 6,782 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.7A(Ta) | 4.5V,10V | 155 毫欧 @ 1A,10V | 2.5V @ 250µA | 5.1nC @ 10V | ±20V | 182pF @ 25V |
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900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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NVR5198NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23 | 6,782 - 立即发货 可供应: 6,782 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.7A(Ta) | 4.5V,10V | 155 毫欧 @ 1A,10V | 2.5V @ 250µA | 5.1nC @ 10V | ±20V | 182pF @ 25V |
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900mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2315BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | 177,000 - 立即发货 可供应: 177,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 3A(Ta) | 1.8V,4.5V | 50 毫欧 @ 3.85A,4.5V | 900mV @ 250µA | 15nC @ 4.5V | ±8V | 715pF @ 6V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2315BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | 180,798 - 立即发货 可供应: 180,798 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 3A(Ta) | 1.8V,4.5V | 50 毫欧 @ 3.85A,4.5V | 900mV @ 250µA | 15nC @ 4.5V | ±8V | 715pF @ 6V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2315BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | 180,798 - 立即发货 可供应: 180,798 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 3A(Ta) | 1.8V,4.5V | 50 毫欧 @ 3.85A,4.5V | 900mV @ 250µA | 15nC @ 4.5V | ±8V | 715pF @ 6V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI1302DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3 | 69,000 - 立即发货 可供应: 69,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 600mA(Ta) | 4.5V,10V | 480 毫欧 @ 600mA,10V | 3V @ 250µA | 1.4nC @ 10V | ±20V |
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280mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3 | SC-70,SOT-323 |
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SI1302DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3 | 74,803 - 立即发货 可供应: 74,803 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 600mA(Ta) | 4.5V,10V | 480 毫欧 @ 600mA,10V | 3V @ 250µA | 1.4nC @ 10V | ±20V |
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280mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3 | SC-70,SOT-323 |
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SI1302DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3 | 74,803 - 立即发货 可供应: 74,803 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 600mA(Ta) | 4.5V,10V | 480 毫欧 @ 600mA,10V | 3V @ 250µA | 1.4nC @ 10V | ±20V |
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280mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3 | SC-70,SOT-323 |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | 42,000 - 立即发货 可供应: 42,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.5A(Tc) | 4.5V,10V | 88 毫欧 @ 3.5A,10V | 3V @ 250µA | 6.2nC @ 4.5V | ±20V | 340pF @ 15V |
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1.1W(Ta),1.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | 43,550 - 立即发货 可供应: 43,550 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.5A(Tc) | 4.5V,10V | 88 毫欧 @ 3.5A,10V | 3V @ 250µA | 6.2nC @ 4.5V | ±20V | 340pF @ 15V |
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1.1W(Ta),1.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | 43,550 - 立即发货 可供应: 43,550 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.5A(Tc) | 4.5V,10V | 88 毫欧 @ 3.5A,10V | 3V @ 250µA | 6.2nC @ 4.5V | ±20V | 340pF @ 15V |
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1.1W(Ta),1.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2307CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.5A(Tc) | 4.5V,10V | 88 毫欧 @ 3.5A,10V | 3V @ 250µA | 6.2nC @ 4.5V | ±20V | 340pF @ 15V |
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1.1W(Ta),1.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2307CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | 15,985 - 立即发货 可供应: 15,985 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.5A(Tc) | 4.5V,10V | 88 毫欧 @ 3.5A,10V | 3V @ 250µA | 6.2nC @ 4.5V | ±20V | 340pF @ 15V |
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1.1W(Ta),1.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2307CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | 15,985 - 立即发货 可供应: 15,985 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3.5A(Tc) | 4.5V,10V | 88 毫欧 @ 3.5A,10V | 3V @ 250µA | 6.2nC @ 4.5V | ±20V | 340pF @ 15V |
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1.1W(Ta),1.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO6420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP | 60,000 - 立即发货 可供应: 60,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 4.2A(Ta) | 4.5V,10V | 60 毫欧 @ 4.2A,10V | 3V @ 250µA | 11.5nC @ 10V | ±20V | 540pF @ 30V |
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2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-TSOP | SC-74,SOT-457 |
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AO6420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP | 60,994 - 立即发货 可供应: 60,994 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 4.2A(Ta) | 4.5V,10V | 60 毫欧 @ 4.2A,10V | 3V @ 250µA | 11.5nC @ 10V | ±20V | 540pF @ 30V |
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2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-TSOP | SC-74,SOT-457 |
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AO6420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP | 60,994 - 立即发货 可供应: 60,994 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 4.2A(Ta) | 4.5V,10V | 60 毫欧 @ 4.2A,10V | 3V @ 250µA | 11.5nC @ 10V | ±20V | 540pF @ 30V |
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2W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-TSOP | SC-74,SOT-457 |
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CPH6354-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 | 39,000 - 立即发货 可供应: 39,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 4A(Ta) | 4V,10V | 100 毫欧 @ 2A,10V | 2.6V @ 1mA | 14nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 20V |
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1.6W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-CPH | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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CPH6354-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 | 40,633 - 立即发货 可供应: 40,633 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 4A(Ta) | 4V,10V | 100 毫欧 @ 2A,10V | 2.6V @ 1mA | 14nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 20V |
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1.6W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-CPH | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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CPH6354-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 | 40,633 - 立即发货 可供应: 40,633 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 4A(Ta) | 4V,10V | 100 毫欧 @ 2A,10V | 2.6V @ 1mA | 14nC @ 10V | ±20V | 600pF @ 20V |
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1.6W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-CPH | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 | 87,000 - 立即发货 可供应: 87,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 210 毫欧 @ 1.4A,10V | 1V @ 250µA | 6.4nC @ 10V | ±20V | 206pF @ 15V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 | 87,570 - 立即发货 可供应: 87,570 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 210 毫欧 @ 1.4A,10V | 1V @ 250µA | 6.4nC @ 10V | ±20V | 206pF @ 15V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 | 87,570 - 立即发货 可供应: 87,570 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 210 毫欧 @ 1.4A,10V | 1V @ 250µA | 6.4nC @ 10V | ±20V | 206pF @ 15V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN | 381,000 - 立即发货 可供应: 381,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 9.1A(Ta) | 1.2V,4.5V | 16 毫欧 @ 8.2A,4.5V | 800mV @ 250µA | 42.6nC @ 5V | ±8V | 2953pF @ 4V |
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660mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | U-DFN2020-6(E 类) | 6-UDFN 裸露焊盘 |
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DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN | 381,704 - 立即发货 可供应: 381,704 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 9.1A(Ta) | 1.2V,4.5V | 16 毫欧 @ 8.2A,4.5V | 800mV @ 250µA | 42.6nC @ 5V | ±8V | 2953pF @ 4V |
|
660mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | U-DFN2020-6(E 类) | 6-UDFN 裸露焊盘 |
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DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN | 381,704 - 立即发货 可供应: 381,704 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 9.1A(Ta) | 1.2V,4.5V | 16 毫欧 @ 8.2A,4.5V | 800mV @ 250µA | 42.6nC @ 5V | ±8V | 2953pF @ 4V |
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660mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | U-DFN2020-6(E 类) | 6-UDFN 裸露焊盘 |
![]() |
DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | 39,000 - 立即发货 177,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 540mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V | 1V @ 250µA |
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±8V | 150pF @ 16V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-523 | SOT-523 |
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DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | 41,508 - 立即发货 177,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 540mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V | 1V @ 250µA |
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±8V | 150pF @ 16V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-523 | SOT-523 |
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DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | 41,508 - 立即发货 177,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 540mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 550 毫欧 @ 540mA,4.5V | 1V @ 250µA |
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±8V | 150pF @ 16V |
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150mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-523 | SOT-523 |
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ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | 63,000 - 立即发货 225,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.1A(Ta) | 4.5V,10V | 350 毫欧 @ 600mA,10V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 10V | ±20V | 140pF @ 25V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | 65,041 - 立即发货 225,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.1A(Ta) | 4.5V,10V | 350 毫欧 @ 600mA,10V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 10V | ±20V | 140pF @ 25V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | 65,041 - 立即发货 225,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.1A(Ta) | 4.5V,10V | 350 毫欧 @ 600mA,10V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 10V | ±20V | 140pF @ 25V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | 33,000 - 立即发货 可供应: 33,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 700mA(Ta) | 6V,10V | 700 毫欧 @ 1.5A,10V | 4V @ 250µA | 2.9nC @ 10V | ±20V | 138pF @ 50V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | 33,158 - 立即发货 可供应: 33,158 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 700mA(Ta) | 6V,10V | 700 毫欧 @ 1.5A,10V | 4V @ 250µA | 2.9nC @ 10V | ±20V | 138pF @ 50V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | 33,158 - 立即发货 可供应: 33,158 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 700mA(Ta) | 6V,10V | 700 毫欧 @ 1.5A,10V | 4V @ 250µA | 2.9nC @ 10V | ±20V | 138pF @ 50V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP3056LDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.3A(Ta) | 4.5V,10V | 45 毫欧 @ 5A,10V | 2.1V @ 250µA | 21.1nC @ 10V | ±20V | 948pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-26 | SOT-23-6 |
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DMP3056LDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 | 10,903 - 立即发货 可供应: 10,903 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.3A(Ta) | 4.5V,10V | 45 毫欧 @ 5A,10V | 2.1V @ 250µA | 21.1nC @ 10V | ±20V | 948pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-26 | SOT-23-6 |
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DMP3056LDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 | 10,903 - 立即发货 可供应: 10,903 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.3A(Ta) | 4.5V,10V | 45 毫欧 @ 5A,10V | 2.1V @ 250µA | 21.1nC @ 10V | ±20V | 948pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-26 | SOT-23-6 |
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ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 150mA(Ta) | 10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.4V @ 1mA |
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±20V | 35pF @ 18V |
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330mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 | 8,511 - 立即发货 可供应: 8,511 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 150mA(Ta) | 10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.4V @ 1mA |
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±20V | 35pF @ 18V |
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330mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 | 8,511 - 立即发货 可供应: 8,511 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 150mA(Ta) | 10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 2.4V @ 1mA |
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±20V | 35pF @ 18V |
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330mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 | 66,000 - 立即发货 可供应: 66,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6A(Tc) | 1.8V,4.5V | 31.8 毫欧 @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 18nC @ 5V | ±8V | 865pF @ 10V |
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1.25W(Ta),2.1W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 | 68,523 - 立即发货 可供应: 68,523 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6A(Tc) | 1.8V,4.5V | 31.8 毫欧 @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 18nC @ 5V | ±8V | 865pF @ 10V |
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1.25W(Ta),2.1W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 | 68,523 - 立即发货 可供应: 68,523 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6A(Tc) | 1.8V,4.5V | 31.8 毫欧 @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 18nC @ 5V | ±8V | 865pF @ 10V |
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1.25W(Ta),2.1W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI1302DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3 | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 600mA(Ta) | 4.5V,10V | 480 毫欧 @ 600mA,10V | 3V @ 250µA | 1.4nC @ 10V | ±20V |
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280mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3 | SC-70,SOT-323 |
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SI1302DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3 | 10,215 - 立即发货 可供应: 10,215 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 600mA(Ta) | 4.5V,10V | 480 毫欧 @ 600mA,10V | 3V @ 250µA | 1.4nC @ 10V | ±20V |
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280mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3 | SC-70,SOT-323 |
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SI1302DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3 | 10,215 - 立即发货 可供应: 10,215 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 600mA(Ta) | 4.5V,10V | 480 毫欧 @ 600mA,10V | 3V @ 250µA | 1.4nC @ 10V | ±20V |
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280mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-70-3 | SC-70,SOT-323 |
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DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23 | 591,000 - 立即发货 可供应: 591,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 220 毫欧 @ 1.6A,10V | 2.5V @ 250µA | 8.3nC @ 10V | ±16V | 401pF @ 25V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23 | 592,607 - 立即发货 可供应: 592,607 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 220 毫欧 @ 1.6A,10V | 2.5V @ 250µA | 8.3nC @ 10V | ±16V | 401pF @ 25V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23 | 592,607 - 立即发货 可供应: 592,607 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 100V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 220 毫欧 @ 1.6A,10V | 2.5V @ 250µA | 8.3nC @ 10V | ±16V | 401pF @ 25V |
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1.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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RTR030N05TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 | 75,000 - 立即发货 可供应: 75,000 |
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带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 45V | 3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 67 毫欧 @ 3A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 6.2nC @ 4.5V | ±12V | 510pF @ 10V |
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1W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TSMT3 | SC-96 |
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RTR030N05TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 | 77,593 - 立即发货 可供应: 77,593 |
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剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 45V | 3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 67 毫欧 @ 3A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 6.2nC @ 4.5V | ±12V | 510pF @ 10V |
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1W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TSMT3 | SC-96 |
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RTR030N05TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 | 77,593 - 立即发货 可供应: 77,593 |
|
Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
|
不適用於新設計 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 45V | 3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 67 毫欧 @ 3A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 6.2nC @ 4.5V | ±12V | 510pF @ 10V |
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1W(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | TSMT3 | SC-96 |
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FDG316P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 | 42,000 - 立即发货 可供应: 42,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.6A(Ta) | 4.5V,10V | 190 毫欧 @ 1.6A,10V | 3V @ 250µA | 5nC @ 10V | ±20V | 165pF @ 15V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-88(SC-70-6) | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
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FDG316P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 | 44,646 - 立即发货 可供应: 44,646 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.6A(Ta) | 4.5V,10V | 190 毫欧 @ 1.6A,10V | 3V @ 250µA | 5nC @ 10V | ±20V | 165pF @ 15V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-88(SC-70-6) | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
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FDG316P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 | 44,646 - 立即发货 可供应: 44,646 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.6A(Ta) | 4.5V,10V | 190 毫欧 @ 1.6A,10V | 3V @ 250µA | 5nC @ 10V | ±20V | 165pF @ 15V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-88(SC-70-6) | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
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SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | 189,000 - 立即发货 可供应: 189,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.9A(Ta) | 1.8V,4.5V | 31 毫欧 @ 5A,4.5V | 850mV @ 250µA | 12nC @ 4.5V | ±8V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | 189,809 - 立即发货 可供应: 189,809 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.9A(Ta) | 1.8V,4.5V | 31 毫欧 @ 5A,4.5V | 850mV @ 250µA | 12nC @ 4.5V | ±8V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | 189,809 - 立即发货 可供应: 189,809 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.9A(Ta) | 1.8V,4.5V | 31 毫欧 @ 5A,4.5V | 850mV @ 250µA | 12nC @ 4.5V | ±8V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
SI2312BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | 138,000 - 立即发货 可供应: 138,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.9A(Ta) | 1.8V,4.5V | 31 毫欧 @ 5A,4.5V | 850mV @ 250µA | 12nC @ 4.5V | ±8V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
SI2312BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | 141,197 - 立即发货 可供应: 141,197 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.9A(Ta) | 1.8V,4.5V | 31 毫欧 @ 5A,4.5V | 850mV @ 250µA | 12nC @ 4.5V | ±8V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2312BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | 141,197 - 立即发货 可供应: 141,197 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3.9A(Ta) | 1.8V,4.5V | 31 毫欧 @ 5A,4.5V | 850mV @ 250µA | 12nC @ 4.5V | ±8V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AON7522E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN | 85,000 - 立即发货 可供应: 85,000 | 5,000 最低订购数量 : 5,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 21A(Ta),34A(Tc) | 4.5V,10V | 4 毫欧 @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 45nC @ 10V | ±20V | 1540pF @ 15V |
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3.1W(Ta),31W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 8-DFN(3x3) | 8-PowerVDFN |
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AON7522E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN | 93,031 - 立即发货 可供应: 93,031 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 21A(Ta),34A(Tc) | 4.5V,10V | 4 毫欧 @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 45nC @ 10V | ±20V | 1540pF @ 15V |
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3.1W(Ta),31W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 8-DFN(3x3) | 8-PowerVDFN |
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AON7522E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN | 93,031 - 立即发货 可供应: 93,031 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 21A(Ta),34A(Tc) | 4.5V,10V | 4 毫欧 @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 45nC @ 10V | ±20V | 1540pF @ 15V |
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3.1W(Ta),31W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 8-DFN(3x3) | 8-PowerVDFN |
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 | 426,000 - 立即发货 可供应: 426,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 2.7A(Ta) | 4.5V,10V | 92 毫欧 @ 2.7A,10V | 2.5V @ 25µA | 2.5nC @ 4.5V | ±16V | 290pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 | 426,723 - 立即发货 可供应: 426,723 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 2.7A(Ta) | 4.5V,10V | 92 毫欧 @ 2.7A,10V | 2.5V @ 25µA | 2.5nC @ 4.5V | ±16V | 290pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 | 426,723 - 立即发货 可供应: 426,723 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
HEXFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 2.7A(Ta) | 4.5V,10V | 92 毫欧 @ 2.7A,10V | 2.5V @ 25µA | 2.5nC @ 4.5V | ±16V | 290pF @ 25V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN3033LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | 51,000 - 立即发货 可供应: 51,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 6A(Ta) | 4.5V,10V | 30 毫欧 @ 6A,10V | 2.1V @ 250µA | 10.5nC @ 5V | ±20V | 755pF @ 10V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-59-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN3033LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | 52,543 - 立即发货 可供应: 52,543 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 6A(Ta) | 4.5V,10V | 30 毫欧 @ 6A,10V | 2.1V @ 250µA | 10.5nC @ 5V | ±20V | 755pF @ 10V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-59-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN3033LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | 52,543 - 立即发货 可供应: 52,543 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 6A(Ta) | 4.5V,10V | 30 毫欧 @ 6A,10V | 2.1V @ 250µA | 10.5nC @ 5V | ±20V | 755pF @ 10V |
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1.4W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-59-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP6350S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23 | 39,000 - 立即发货 可供应: 39,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
汽车级,AEC-Q101 | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.5A(Ta) | 4.5V,10V | 350 毫欧 @ 900mA,10V | 3V @ 250µA | 4.1nC @ 10V | ±20V | 206pF @ 30V |
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720mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP6350S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23 | 40,759 - 立即发货 可供应: 40,759 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
汽车级,AEC-Q101 | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.5A(Ta) | 4.5V,10V | 350 毫欧 @ 900mA,10V | 3V @ 250µA | 4.1nC @ 10V | ±20V | 206pF @ 30V |
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720mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMP6350S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23 | 40,759 - 立即发货 可供应: 40,759 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
汽车级,AEC-Q101 | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.5A(Ta) | 4.5V,10V | 350 毫欧 @ 900mA,10V | 3V @ 250µA | 4.1nC @ 10V | ±20V | 206pF @ 30V |
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720mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301-TP | Micro Commercial Co | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.8A(Ta) | 2.5V,4.5V | 120 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 450mV @ 250µA(最小) | 14.5nC @ 4.5V | ±8V | 880pF @ 6V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301-TP | Micro Commercial Co | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | 22,413 - 立即发货 可供应: 22,413 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.8A(Ta) | 2.5V,4.5V | 120 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 450mV @ 250µA(最小) | 14.5nC @ 4.5V | ±8V | 880pF @ 6V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2301-TP | Micro Commercial Co | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | 22,413 - 立即发货 可供应: 22,413 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.8A(Ta) | 2.5V,4.5V | 120 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 450mV @ 250µA(最小) | 14.5nC @ 4.5V | ±8V | 880pF @ 6V |
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1.25W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | 39,000 - 立即发货 可供应: 39,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 190mA(Ta) | 4.5V,10V | 4 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 250µA | 1.7nC @ 15V | ±20V | 23pF @ 25V |
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250mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | 39,760 - 立即发货 可供应: 39,760 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 190mA(Ta) | 4.5V,10V | 4 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 250µA | 1.7nC @ 15V | ±20V | 23pF @ 25V |
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250mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | 39,760 - 立即发货 可供应: 39,760 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 190mA(Ta) | 4.5V,10V | 4 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 250µA | 1.7nC @ 15V | ±20V | 23pF @ 25V |
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250mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-75A | SC-75A |
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BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 | 66,000 - 立即发货 可供应: 66,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 250V | 100mA(Ta) | 0V,10V | 14 欧姆 @ 100µA,10V | 1V @ 56µA | 3.5nC @ 5V | ±20V | 76pF @ 25V | 耗尽模式 | 360mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 | 67,370 - 立即发货 可供应: 67,370 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 250V | 100mA(Ta) | 0V,10V | 14 欧姆 @ 100µA,10V | 1V @ 56µA | 3.5nC @ 5V | ±20V | 76pF @ 25V | 耗尽模式 | 360mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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BSS139H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 | 67,370 - 立即发货 可供应: 67,370 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
SIPMOS® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 250V | 100mA(Ta) | 0V,10V | 14 欧姆 @ 100µA,10V | 1V @ 56µA | 3.5nC @ 5V | ±20V | 76pF @ 25V | 耗尽模式 | 360mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | 69,000 - 立即发货 可供应: 69,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 2.3A(Tc) | 4.5V,10V | 156 毫欧 @ 1.9A,10V | 3V @ 250µA | 6.8nC @ 10V | ±20V | 190pF @ 30V |
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1.09W(Ta),1.66W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | 69,437 - 立即发货 可供应: 69,437 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 2.3A(Tc) | 4.5V,10V | 156 毫欧 @ 1.9A,10V | 3V @ 250µA | 6.8nC @ 10V | ±20V | 190pF @ 30V |
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1.09W(Ta),1.66W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | 69,437 - 立即发货 可供应: 69,437 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 2.3A(Tc) | 4.5V,10V | 156 毫欧 @ 1.9A,10V | 3V @ 250µA | 6.8nC @ 10V | ±20V | 190pF @ 30V |
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1.09W(Ta),1.66W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN336P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 200 毫欧 @ 1.3A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | ±8V | 330pF @ 10V |
|
500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN336P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 | 8,738 - 立即发货 可供应: 8,738 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 200 毫欧 @ 1.3A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | ±8V | 330pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN336P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 | 8,738 - 立即发货 可供应: 8,738 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 1.3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 200 毫欧 @ 1.3A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | ±8V | 330pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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CSD22205L | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 8V | 7.4A(Ta) | 1.5V,4.5V | 9.9 毫欧 @ 1A, 4.5V | 1.05V @ 250µA | 8.5nC @ 4.5V | -6V | 1390pF @ 4V |
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600mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 4-PICOSTAR | 4-XFLGA |
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CSD22205L | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR | 13,361 - 立即发货 可供应: 13,361 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 8V | 7.4A(Ta) | 1.5V,4.5V | 9.9 毫欧 @ 1A, 4.5V | 1.05V @ 250µA | 8.5nC @ 4.5V | -6V | 1390pF @ 4V |
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600mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 4-PICOSTAR | 4-XFLGA |
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CSD22205L | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR | 13,361 - 立即发货 可供应: 13,361 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 8V | 7.4A(Ta) | 1.5V,4.5V | 9.9 毫欧 @ 1A, 4.5V | 1.05V @ 250µA | 8.5nC @ 4.5V | -6V | 1390pF @ 4V |
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600mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 4-PICOSTAR | 4-XFLGA |
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MTM231232LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 20V 3A | 63,000 - 立即发货 可供应: 63,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 55 毫欧 @ 1A,4V | 1.3V @ 1mA |
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±10V | 1000pF @ 10V |
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500mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | S迷你型3-G1-B | SC-70,SOT-323 |
![]() |
MTM231232LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 20V 3A | 67,165 - 立即发货 可供应: 67,165 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 55 毫欧 @ 1A,4V | 1.3V @ 1mA |
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±10V | 1000pF @ 10V |
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500mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | S迷你型3-G1-B | SC-70,SOT-323 |
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MTM231232LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 20V 3A | 67,165 - 立即发货 可供应: 67,165 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 3A(Ta) | 2.5V,4.5V | 55 毫欧 @ 1A,4V | 1.3V @ 1mA |
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±10V | 1000pF @ 10V |
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500mW(Ta) | 150°C(TJ) | 表面贴装 | S迷你型3-G1-B | SC-70,SOT-323 |
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CSD16301Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 6-SON | 9,000 - 立即发货 可供应: 9,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 25V | 5A(Tc) | 3V,8V | 24 毫欧 @ 4A,8V | 1.55V @ 250µA | 2.8nC @ 4.5V | +10V,-8V | 340pF @ 12.5V |
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2.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-SON | 6-SMD,扁平引线 |
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CSD16301Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 6-SON | 13,668 - 立即发货 可供应: 13,668 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 25V | 5A(Tc) | 3V,8V | 24 毫欧 @ 4A,8V | 1.55V @ 250µA | 2.8nC @ 4.5V | +10V,-8V | 340pF @ 12.5V |
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2.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-SON | 6-SMD,扁平引线 |
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CSD16301Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 6-SON | 13,668 - 立即发货 可供应: 13,668 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 25V | 5A(Tc) | 3V,8V | 24 毫欧 @ 4A,8V | 1.55V @ 250µA | 2.8nC @ 4.5V | +10V,-8V | 340pF @ 12.5V |
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2.3W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-SON | 6-SMD,扁平引线 |
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FDN342P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 | 36,000 - 立即发货 558,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 80 毫欧 @ 2A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 9nC @ 4.5V | ±12V | 635pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN342P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 | 38,702 - 立即发货 558,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 80 毫欧 @ 2A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 9nC @ 4.5V | ±12V | 635pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN342P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 | 38,702 - 立即发货 558,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2A(Ta) | 2.5V,4.5V | 80 毫欧 @ 2A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 9nC @ 4.5V | ±12V | 635pF @ 10V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | 1,194,000 - 立即发货 可供应: 1,194,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 11A(Ta) | 1.2V,4.5V | 10 毫欧 @ 9.7A,4.5V | 800mV @ 250µA | 50.6nC @ 8V | ±8V | 2425pF @ 10V |
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690mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | U-DFN2020-6(E 类) | 6-UDFN 裸露焊盘 |
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DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | 1,199,754 - 立即发货 可供应: 1,199,754 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 11A(Ta) | 1.2V,4.5V | 10 毫欧 @ 9.7A,4.5V | 800mV @ 250µA | 50.6nC @ 8V | ±8V | 2425pF @ 10V |
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690mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | U-DFN2020-6(E 类) | 6-UDFN 裸露焊盘 |
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DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | 1,199,754 - 立即发货 可供应: 1,199,754 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 11A(Ta) | 1.2V,4.5V | 10 毫欧 @ 9.7A,4.5V | 800mV @ 250µA | 50.6nC @ 8V | ±8V | 2425pF @ 10V |
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690mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | U-DFN2020-6(E 类) | 6-UDFN 裸露焊盘 |
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SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | 21,000 - 立即发货 可供应: 21,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 12A(Tc) | 4.5V,10V | 21 毫欧 @ 5A,10V | 2.2V @ 250µA | 45nC @ 10V | ±20V | 1550pF @ 15V |
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3.5W(Ta),19W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | 22,596 - 立即发货 可供应: 22,596 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 12A(Tc) | 4.5V,10V | 21 毫欧 @ 5A,10V | 2.2V @ 250µA | 45nC @ 10V | ±20V | 1550pF @ 15V |
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3.5W(Ta),19W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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SIA483DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 | 22,596 - 立即发货 可供应: 22,596 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 12A(Tc) | 4.5V,10V | 21 毫欧 @ 5A,10V | 2.2V @ 250µA | 45nC @ 10V | ±20V | 1550pF @ 15V |
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3.5W(Ta),19W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | PowerPAK® SC-70-6 |
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FDC642P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 65 毫欧 @ 4A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 16nC @ 4.5V | ±8V | 925pF @ 10V |
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1.6W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT™-6 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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FDC642P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 | 8,938 - 立即发货 可供应: 8,938 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 65 毫欧 @ 4A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 16nC @ 4.5V | ±8V | 925pF @ 10V |
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1.6W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT™-6 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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FDC642P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 | 8,938 - 立即发货 可供应: 8,938 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4A(Ta) | 2.5V,4.5V | 65 毫欧 @ 4A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 16nC @ 4.5V | ±8V | 925pF @ 10V |
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1.6W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT™-6 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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FDN5618P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 | 51,000 - 立即发货 可供应: 51,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.25A(Ta) | 4.5V,10V | 170 毫欧 @ 1.25A,10V | 3V @ 250µA | 13.8nC @ 10V | ±20V | 430pF @ 30V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN5618P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 | 53,251 - 立即发货 可供应: 53,251 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.25A(Ta) | 4.5V,10V | 170 毫欧 @ 1.25A,10V | 3V @ 250µA | 13.8nC @ 10V | ±20V | 430pF @ 30V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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FDN5618P | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 | 53,251 - 立即发货 可供应: 53,251 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
PowerTrench® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.25A(Ta) | 4.5V,10V | 170 毫欧 @ 1.25A,10V | 3V @ 250µA | 13.8nC @ 10V | ±20V | 430pF @ 30V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SuperSOT-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 | 141,000 - 立即发货 可供应: 141,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.8A(Ta) | 4.5V,10V | 120 毫欧 @ 2.5A,10V | 1V @ 250µA | 3.9nC @ 10V | ±20V | 190pF @ 25V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 | 144,421 - 立即发货 可供应: 144,421 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.8A(Ta) | 4.5V,10V | 120 毫欧 @ 2.5A,10V | 1V @ 250µA | 3.9nC @ 10V | ±20V | 190pF @ 25V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 | 144,421 - 立即发货 可供应: 144,421 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.8A(Ta) | 4.5V,10V | 120 毫欧 @ 2.5A,10V | 1V @ 250µA | 3.9nC @ 10V | ±20V | 190pF @ 25V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN6A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 96,000 - 立即发货 可供应: 96,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.2A(Ta) | 4.5V,10V | 250 毫欧 @ 1.8A,10V | 3V @ 250µA | 3.2nC @ 10V | ±20V | 166pF @ 40V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN6A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 99,538 - 立即发货 可供应: 99,538 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.2A(Ta) | 4.5V,10V | 250 毫欧 @ 1.8A,10V | 3V @ 250µA | 3.2nC @ 10V | ±20V | 166pF @ 40V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXMN6A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | 99,538 - 立即发货 可供应: 99,538 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 1.2A(Ta) | 4.5V,10V | 250 毫欧 @ 1.8A,10V | 3V @ 250µA | 3.2nC @ 10V | ±20V | 166pF @ 40V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | 81,000 - 立即发货 可供应: 81,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 220 毫欧 @ 910mA,10V | 1V @ 250µA | 4.1nC @ 10V | ±20V | 150pF @ 25V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | 83,885 - 立即发货 可供应: 83,885 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 220 毫欧 @ 910mA,10V | 1V @ 250µA | 4.1nC @ 10V | ±20V | 150pF @ 25V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | 83,885 - 立即发货 可供应: 83,885 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 1.4A(Ta) | 4.5V,10V | 220 毫欧 @ 910mA,10V | 1V @ 250µA | 4.1nC @ 10V | ±20V | 150pF @ 25V |
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625mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
![]() |
DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | 57,000 - 立即发货 可供应: 57,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 750mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 460 毫欧 @ 200mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.6nC @ 4.5V | ±8V | 64.3pF @ 25V |
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470mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | X2-DFN1006-3 | 3-XFDFN |
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DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | 60,559 - 立即发货 可供应: 60,559 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 750mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 460 毫欧 @ 200mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.6nC @ 4.5V | ±8V | 64.3pF @ 25V |
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470mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | X2-DFN1006-3 | 3-XFDFN |
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DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | 60,559 - 立即发货 可供应: 60,559 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 750mA(Ta) | 1.8V,4.5V | 460 毫欧 @ 200mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.6nC @ 4.5V | ±8V | 64.3pF @ 25V |
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470mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | X2-DFN1006-3 | 3-XFDFN |
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ZVP3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 | 54,000 - 立即发货 570,000 - 厂方库存 ![]() |
3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 90mA(Ta) | 10V | 14 欧姆 @ 200mA,10V | 3.5V @ 1mA |
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±20V | 50pF @ 18V |
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330mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZVP3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 | 56,880 - 立即发货 570,000 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 90mA(Ta) | 10V | 14 欧姆 @ 200mA,10V | 3.5V @ 1mA |
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±20V | 50pF @ 18V |
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330mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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ZVP3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 | 56,880 - 立即发货 570,000 - 厂方库存 ![]() |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 90mA(Ta) | 10V | 14 欧姆 @ 200mA,10V | 3.5V @ 1mA |
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±20V | 50pF @ 18V |
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330mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | 45,000 - 立即发货 可供应: 45,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.2A(Ta) | 1.8V,4.5V | 25 毫欧 @ 8.2A,4.5V | 900mV @ 250µA | 9.6nC @ 4.5V | ±8V | 829.9pF @ 10V |
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780mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | 51,323 - 立即发货 可供应: 51,323 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.2A(Ta) | 1.8V,4.5V | 25 毫欧 @ 8.2A,4.5V | 900mV @ 250µA | 9.6nC @ 4.5V | ±8V | 829.9pF @ 10V |
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780mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | 51,323 - 立即发货 可供应: 51,323 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 4.2A(Ta) | 1.8V,4.5V | 25 毫欧 @ 8.2A,4.5V | 900mV @ 250µA | 9.6nC @ 4.5V | ±8V | 829.9pF @ 10V |
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780mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2308BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | 75,000 - 立即发货 可供应: 75,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 2.3A(Tc) | 4.5V,10V | 156 毫欧 @ 1.9A,10V | 3V @ 250µA | 6.8nC @ 10V | ±20V | 190pF @ 30V |
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1.09W(Ta),1.66W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2308BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | 76,665 - 立即发货 可供应: 76,665 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 2.3A(Tc) | 4.5V,10V | 156 毫欧 @ 1.9A,10V | 3V @ 250µA | 6.8nC @ 10V | ±20V | 190pF @ 30V |
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1.09W(Ta),1.66W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2308BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | 76,665 - 立即发货 可供应: 76,665 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 60V | 2.3A(Tc) | 4.5V,10V | 156 毫欧 @ 1.9A,10V | 3V @ 250µA | 6.8nC @ 10V | ±20V | 190pF @ 30V |
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1.09W(Ta),1.66W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2333CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 | 66,000 - 立即发货 可供应: 66,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 7.1A(Tc) | 1.8V,4.5V | 35 毫欧 @ 5.1A,4.5V | 1V @ 250µA | 25nC @ 4.5V | ±8V | 1225pF @ 6V |
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1.25W(Ta),2.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2333CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 | 67,711 - 立即发货 可供应: 67,711 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 7.1A(Tc) | 1.8V,4.5V | 35 毫欧 @ 5.1A,4.5V | 1V @ 250µA | 25nC @ 4.5V | ±8V | 1225pF @ 6V |
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1.25W(Ta),2.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2333CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 | 67,711 - 立即发货 可供应: 67,711 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 7.1A(Tc) | 1.8V,4.5V | 35 毫欧 @ 5.1A,4.5V | 1V @ 250µA | 25nC @ 4.5V | ±8V | 1225pF @ 6V |
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1.25W(Ta),2.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP | 12,000 - 立即发货 可供应: 12,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6A(Tc) | 1.8V,4.5V | 38 毫欧 @ 5.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 45nC @ 8V | ±8V | 1300pF @ 10V |
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1.6W(Ta),3.3W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP | 13,377 - 立即发货 可供应: 13,377 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6A(Tc) | 1.8V,4.5V | 38 毫欧 @ 5.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 45nC @ 8V | ±8V | 1300pF @ 10V |
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1.6W(Ta),3.3W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP | 13,377 - 立即发货 可供应: 13,377 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 6A(Tc) | 1.8V,4.5V | 38 毫欧 @ 5.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 45nC @ 8V | ±8V | 1300pF @ 10V |
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1.6W(Ta),3.3W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-TSOP | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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BUK98150-55A/CUF | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | 24,000 - 立即发货 可供应: 24,000 | 4,000 最低订购数量 : 4,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 55V | 5.5A(Tc) | 4.5V,10V | 137 毫欧 @ 5A,10V | 2V @ 1mA | 5.3nC @ 5V | ±15V | 320pF @ 25V |
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8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-73 | TO-261-4,TO-261AA |
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BUK98150-55A/CUF | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | 28,171 - 立即发货 可供应: 28,171 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 55V | 5.5A(Tc) | 4.5V,10V | 137 毫欧 @ 5A,10V | 2V @ 1mA | 5.3nC @ 5V | ±15V | 320pF @ 25V |
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8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-73 | TO-261-4,TO-261AA |
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BUK98150-55A/CUF | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | 28,171 - 立即发货 可供应: 28,171 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchMOS™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 55V | 5.5A(Tc) | 4.5V,10V | 137 毫欧 @ 5A,10V | 2V @ 1mA | 5.3nC @ 5V | ±15V | 320pF @ 25V |
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8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SC-73 | TO-261-4,TO-261AA |
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CSD13202Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 76A 6SON | 51,000 - 立即发货 可供应: 51,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 22A(Ta) | 2.5V,4.5V | 9.3 毫欧 @ 5A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 6.6nC @ 4.5V | ±8V | 997pF @ 6V |
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2.7W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-WSON(2x2) | 6-VDFN 裸露焊盘 |
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CSD13202Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 76A 6SON | 54,523 - 立即发货 可供应: 54,523 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 22A(Ta) | 2.5V,4.5V | 9.3 毫欧 @ 5A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 6.6nC @ 4.5V | ±8V | 997pF @ 6V |
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2.7W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-WSON(2x2) | 6-VDFN 裸露焊盘 |
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CSD13202Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 76A 6SON | 54,523 - 立即发货 可供应: 54,523 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
NexFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 12V | 22A(Ta) | 2.5V,4.5V | 9.3 毫欧 @ 5A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 6.6nC @ 4.5V | ±8V | 997pF @ 6V |
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2.7W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 6-WSON(2x2) | 6-VDFN 裸露焊盘 |
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AOD1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 | 112,500 - 立即发货 可供应: 112,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 600V | 1.3A(Tc) | 10V | 9 欧姆 @ 650mA,10V | 4.5V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±30V | 160pF @ 25V |
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45W(Tc) | -50°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-252,(D-Pak) | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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AOD1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 | 112,737 - 立即发货 可供应: 112,737 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 600V | 1.3A(Tc) | 10V | 9 欧姆 @ 650mA,10V | 4.5V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±30V | 160pF @ 25V |
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45W(Tc) | -50°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-252,(D-Pak) | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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AOD1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 | 112,737 - 立即发货 可供应: 112,737 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 600V | 1.3A(Tc) | 10V | 9 欧姆 @ 650mA,10V | 4.5V @ 250µA | 8nC @ 10V | ±30V | 160pF @ 25V |
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45W(Tc) | -50°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | TO-252,(D-Pak) | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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AOD417 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 25A TO252 | 27,500 - 立即发货 可供应: 27,500 | 2,500 最低订购数量 : 2,500 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 25A(Ta) | 4.5V,10V | 34 毫欧 @ 20A,10V | 3V @ 250µA | 16.2nC @ 10V | ±20V | 920pF @ 15V |
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2.5W(Ta),50W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | TO-252,(D-Pak) | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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AOD417 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 25A TO252 | 29,909 - 立即发货 可供应: 29,909 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 25A(Ta) | 4.5V,10V | 34 毫欧 @ 20A,10V | 3V @ 250µA | 16.2nC @ 10V | ±20V | 920pF @ 15V |
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2.5W(Ta),50W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | TO-252,(D-Pak) | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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AOD417 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 25A TO252 | 29,909 - 立即发货 可供应: 29,909 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 25A(Ta) | 4.5V,10V | 34 毫欧 @ 20A,10V | 3V @ 250µA | 16.2nC @ 10V | ±20V | 920pF @ 15V |
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2.5W(Ta),50W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装 | TO-252,(D-Pak) | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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AO4576 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC | 3,000 - 立即发货 可供应: 3,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 20A(Ta) | 4.5V,10V | 5.8 毫欧 @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 22.5nC @ 10V | ±20V | 951pF @ 15V |
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3.1W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
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AO4576 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC | 5,052 - 立即发货 可供应: 5,052 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 20A(Ta) | 4.5V,10V | 5.8 毫欧 @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 22.5nC @ 10V | ±20V | 951pF @ 15V |
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3.1W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
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AO4576 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC | 5,052 - 立即发货 可供应: 5,052 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
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在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 20A(Ta) | 4.5V,10V | 5.8 毫欧 @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 22.5nC @ 10V | ±20V | 951pF @ 15V |
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3.1W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
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CSD17484F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR | 160,250 - 立即发货 10,000 - 厂方库存 ![]() |
250 最低订购数量 : 250 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3A(Ta) | 1.8V,8V | 121 毫欧 @ 500mA,8V | 1.1V @ 250µA | 0.2nC @ 8V | 12V | 195pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD17484F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR | 164,380 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3A(Ta) | 1.8V,8V | 121 毫欧 @ 500mA,8V | 1.1V @ 250µA | 0.2nC @ 8V | 12V | 195pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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CSD17484F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR | 164,380 - 立即发货 10,001 - 厂方库存 ![]() |
1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
FemtoFET™ | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 3A(Ta) | 1.8V,8V | 121 毫欧 @ 500mA,8V | 1.1V @ 250µA | 0.2nC @ 8V | 12V | 195pF @ 15V |
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500mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | 3-PICOSTAR | 3-XFDFN |
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SI2338DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 | 6,000 - 立即发货 可供应: 6,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 6A(Tc) | 4.5V,10V | 28 毫欧 @ 5.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±20V | 424pF @ 15V |
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1.3W(Ta),2.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2338DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 | 8,643 - 立即发货 可供应: 8,643 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 6A(Tc) | 4.5V,10V | 28 毫欧 @ 5.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±20V | 424pF @ 15V |
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1.3W(Ta),2.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2338DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 | 8,643 - 立即发货 可供应: 8,643 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 6A(Tc) | 4.5V,10V | 28 毫欧 @ 5.5A,10V | 2.5V @ 250µA | 13nC @ 10V | ±20V | 424pF @ 15V |
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1.3W(Ta),2.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 | 27,000 - 立即发货 可供应: 27,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 850mV @ 250µA | 5.5nC @ 4.5V | ±8V |
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710mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 | 27,185 - 立即发货 可供应: 27,185 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 850mV @ 250µA | 5.5nC @ 4.5V | ±8V |
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710mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 | 27,185 - 立即发货 可供应: 27,185 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 20V | 2.6A(Ta) | 2.5V,4.5V | 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 850mV @ 250µA | 5.5nC @ 4.5V | ±8V |
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710mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6 | 18,000 - 立即发货 可供应: 18,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
LITTLE FOOT® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.5A(Tc) | 2.5V,10V | 65 毫欧 @ 3A,10V | 1.3V @ 250µA | 23nC @ 10V | ±12V | 600pF @ 15V | 肖特基二极管(隔离式) | 1.9W(Ta),6.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 双 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
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SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6 | 19,859 - 立即发货 可供应: 19,859 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
LITTLE FOOT® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.5A(Tc) | 2.5V,10V | 65 毫欧 @ 3A,10V | 1.3V @ 250µA | 23nC @ 10V | ±12V | 600pF @ 15V | 肖特基二极管(隔离式) | 1.9W(Ta),6.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 双 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
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SIA817EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6 | 19,859 - 立即发货 可供应: 19,859 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
LITTLE FOOT® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 4.5A(Tc) | 2.5V,10V | 65 毫欧 @ 3A,10V | 1.3V @ 250µA | 23nC @ 10V | ±12V | 600pF @ 15V | 肖特基二极管(隔离式) | 1.9W(Ta),6.5W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | PowerPAK® SC-70-6 双 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
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SI2307BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2.5A(Ta) | 4.5V,10V | 78 毫欧 @ 3.2A,10V | 3V @ 250µA | 15nC @ 10V | ±20V | 380pF @ 15V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2307BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 | 16,918 - 立即发货 可供应: 16,918 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2.5A(Ta) | 4.5V,10V | 78 毫欧 @ 3.2A,10V | 3V @ 250µA | 15nC @ 10V | ±20V | 380pF @ 15V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2307BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 | 16,918 - 立即发货 可供应: 16,918 | 1 最低订购数量 : 1 | Digi-Reel®![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | P 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 2.5A(Ta) | 4.5V,10V | 78 毫欧 @ 3.2A,10V | 3V @ 250µA | 15nC @ 10V | ±20V | 380pF @ 15V |
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750mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 | 15,000 - 立即发货 可供应: 15,000 | 3,000 最低订购数量 : 3,000 | 带卷(TR)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5.2A(Tc) | 1.8V,4.5V | 42 毫欧 @ 3.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 15nC @ 8V | ±8V | 560pF @ 15V |
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1.25W(Ta),1.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 | 18,909 - 立即发货 可供应: 18,909 | 1 最低订购数量 : 1 | 剪切带(CT)![]() 可替代的包装 |
TrenchFET® | 在售 | N 沟道 | MOSFET(金属氧化物) | 30V | 5.2A(Tc) | 1.8V,4.5V | 42 毫欧 @ 3.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 15nC @ 8V | ±8V | 560pF @ 15V |
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1.25W(Ta),1.8W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装 | SOT-23-3(TO-236) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |