IXZ210N50L & IXZ2210N50L全新现货IXYS代理IXZ210N50L & IXZ2210N50L射频功率MOSFET 深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082
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IXZ210N50L & IXZ2210N50L全新现货IXYS代理IXZ210N50L & IXZ2210N50L射频功率MOSFET 封装DIP
特点
•绝缘衬底
- 高隔离电压（“2500V型）
- 优秀的热转印
- 提高温度和功率
循环能力
•艾赛斯射频低电容的Z - MOSTM
工艺
•非常低的插入电感“（<2nH）
•无铍氧化物（氧化铍）或其他
有害物质
优势
•高性能射频包
•易于安装，没有必要绝缘子
（1）热包装规格为正，
不是每个晶体管
