IXFN120N20全新现货IXYS代理IXFN120N20功率MOSFET 深圳市亨力拓电子有限公司或源电话：0755-83293082
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IXFN120N20全新现货IXYS代理IXFN120N20功率MOSFET 封装SOT -227B
部分编号：IXFN120N20
描述：高电压的Q -级HiPerFETs（高达1200V）
配置：单
封装形式：采用SOT -至227B
状态：不适用于新设计：时代联系铅厂。
支持文档：数据表
PSpice模型：IXFN120N20.zip
| Parameter | IXFN120N20 |
| VDSS, max, (V) | 200 |
| ID(cont), TC=25°C, (A) | 120 |
| RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) | 0.017 |
| Ciss, typ, (pF) | 9100 |
| Qg, typ, (nC) | 360 |
| trr, typ, (ns) | |
| trr, max, (ns) | 250 |
| PD, (W) | 568 |
| RthJC, max, (°C/W) | 0.22 |
