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IXFK62N25功率MOSFET全新现货,全线代理IXYS品牌


来源: | 时间:2011年06月07日


国际标准封装
低RDS(ON)HDMOSTM过程
多晶硅栅细胞结构坚固
非钳位感应开关(UIS)的
额定
低电感封装
- 易于驱动器和保护
快速内在整流器
应用
的DC - DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模式
电源供应器
直流斩波器
?交流电机控制
温度和照明控制
优势
加247TM包片段或弹簧
安装
节省空间
高功率密度

Symbol Test Conditions Maximum Ratings
VDSS TJ = 25°C to 150°C 250 V
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 250 V
VGS Continuous ±20 V
VGSM Transient ±30 V
ID25 TC = 25°C 62 A
IDM TC = 25°C, pulse width limited by TJM 248 A
IAR TC = 25°C 62 A
EAR TC = 25°C 45 mJ
EAS TC = 25°C 1.5 J
dv/dt IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS 5 V/ns
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω
PD TC = 25°C 390 W
TJ -55 ... +150 °C
TJM 150 °C
Tstg -55 ... +150 °C
TL 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s 300 °C
Md Mounting torque TO-264 0.7/6 Nm/lb.in.
Weight PLUS 247 6 g
TO-264 10 g

 


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