MC100E141FNG移位寄存器相芯片相关型号参数

产品型号	供电电压(Typ)V	位数Bit	时钟源	频率(GHz)	传输延时(Typ)ps	建立时间(Min)ps	保持时间(Min)ps	设置/复位恢复时间(Min)ps	抖动(Typ)ps	上升/下降时间(Max)(ps)	描述	封装/温度(℃)
MC100E141FNG	5	8	S.E.	0.900	750	175	200	900	<1.0	800	5v,ECL,8位移位寄存器	PLCC28/-40~85
MC100E143FNG	5	S.E.	Dual	>1.0	800	50	300	900	<1.0	800	5v,ECL,9位保持移位寄存器	PLCC28/-40~85
MC100EP142FAG	5	9	Dual S.E	0.900	800	50	300	900	<1.0	800	5v,ECL,8位可擦除寄存器	LQFP32/-40~85
MC100EP142MNG	5	9	Dual S.E	0.900	800	50	300	900	<1.0	800	5v,ECL,8位可擦除寄存器	LQFP32/-40~85
MC100EP451FAG	3.3/5.0	Diff	Diff	>3.0	450	80	80	250	0.200	260	5V,ECL,6位D-寄存器带差分数据和时钟输入	LQFP32/-40~85
MC10EP142FAG	3.3/5.0	9	Dual Diff	3.400	675	50	100	800	1	275	5v,ECL,9位移位寄存器	LQFP32/-40~85
MC14021BDR2G	3~18	8	Diff	0.003	400	100	20	900	<1.0	100	8位低功耗，高信噪比	16SOIC/-40~85
MC74VHC595DTR2G	2~5.5	8	Diff	0.185	200	50	20	800	<1.0	100	5v,TTL,8位三态	16TSSOP/-40~85

供应商：深圳市亨力拓电子有限公司