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MC100EP140DG时钟产生相位/频率探测器芯片


来源: | 时间:2010年01月12日

产品型号 资料 供电电压(V) 转移增益(mV)/度 电压基准和反馈输入 频率(Typ)GHz 延时时间(Typ)ps 输入上升/下降时间(Max)ps 封装/温度(℃)
MC100EP140DG 3.300 1.207 单端 >2.0 475 200 SOIC-8/-40~85
MC100EP40DTG 3.3/5.0 0.930 Diff >2 550 150 TSSOP-20/-40~85
MC100LVEL40DWG 3.3/5.0 2 Diff 0.250 1350 475 SO-20/-40~85
MCH12140DG 3.3, 5.0 N/A 单端 800 0.440 350 SOIC-8/-40~85
MCK12140DG 3.3/5.0 S.E. 800 0.440 SOIC-8/-40~85
MCH12140DG 3.3, 5.0 N/A 单端 800 0.440 350 SOIC-8/-40~85
MCK12140DG 3.3/5.0 S.E. 800 0.440 SOIC-8/-40~85

供应商:深圳市亨力拓电子有限公司

网址:www.henlito.com


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