| 产品型号 | 资料 | FET数 | 漏源电压(V) | 持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A) | 静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ) | 通道极性 | 封装/温度(℃) | 描述 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPS1100D |  |
1 | -15 | -1.600 | 180 | P沟道 | 8SOIC/-40~85 | 单路P沟道增强方式MOSFET |
| TPS1100DR | |
1 | -15 | -1.600 | 180 | P沟道 | 8SOIC/-40~85 | 单路P沟道增强方式MOSFET |
| TPS1101D | |
1 | -15 | -2.300 | 90 | P沟道 | 8SOIC/-40~125 | 单路P沟道增强方式MOSFET |
| TPS1120D | |
2 | -15 | -1.700 | 180 | P沟道 | 8SOIC/-40~85 | 双路P沟道增强方式MOSFET |
| TPS1120DR | |
2 | -15 | -1.700 | 180 | P沟道 | 8SOIC/-40~85 | 双路P沟道增强方式MOSFET |
供应商：深圳市亨力拓电子有限公司
