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2N7000RLRAG功率MOSFET芯片相关型号参数表


来源： | 时间：2010年01月14日

产品型号 资料 源漏极间雪崩电压VBR(V) 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ) 最大漏极电流Id(on)(A) 通道极性 封装/温度(℃) 描述
2N7000RLRAG 60 5000 0.200 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
2N7000RLRM 60 5000 0.200 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
2N7000RLRMG 60 5000 0.200 N沟道 TO-92/-55 ~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
2N7002ET1G 60 3000@4.5V 0.310 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT-23封装场效应管
2N7002ET3G 60 3000 0.310 N沟道 SOT-23/-55 ~150 小信号N沟道SOT-23封装场效应管
2N7002KT1G 60 2500 0.380 N沟道 SOT-23/-55 ~150 小信号N沟道SOT-23封装场效应管
2N7002LT1 60 7500 0.120 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管
2N7002LT1G 60 7500 0.120 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管
2N7002LT3G 60 7500 0.115 N沟道 SOT-23/-55 ~150 小信号N沟道SOT-23封装场效应管
2N7002WT1G 60 2500 0.340 N沟道 SC-70/-55 ~150 小信号N沟道SOT-323封装场效应管
BS107A 200 6000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BS107AG 200 6000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BS107ARL1G 200 6000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BS108ZL1 200 10000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BS108ZL1G 200 10000 0.250 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BS170 60 5000 0.500 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BS170G 60 5000 0.500 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BS170RL1G 60 5000 0.500 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BS170RLRAG 60 5000 0.500 N沟道 TO-92/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BSS123LT1 100 6000 0.170 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管
BSS123LT1G 100 6000 0.170 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管
BSS123LT3G 100 6000 0.170 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
BSS138LT1 50 3500 0.200 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管
BSS138LT1G 50 3500 0.200 N沟道 SOT-23/-55~150 小信号N沟道SOT23封装场效应管
BSS138LT3G 50 3500 0.200 N沟道 SOT-23/-55 ~150 小信号N沟道SOT-23封装场效应管
BSS84LT1 50 10000 0.130 P沟道 SOT-23/-55~150 小信号P沟道SOT23封装场效应管
BSS84LT1G 50 5000 0.130 P沟道 SOT-23/-55~150 小信号P沟道SOT23封装场效应管
MGSF1N02LT1G 20 130 0.750 N沟道 SOT-223/-55~150 0.75A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET
MGSF1N03LT1G 30 145 2.100 N沟道 SOT-223/-55~150 2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET
MGSF1N03LT3G 30 145 2.100 N沟道 SOT-223/-55~150 2.1A,30V功率MOSFET
MGSF2N02ELT1G 20 115 2.800 N沟道 SOT-223/-55~150 2.8A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET
MLP2N06CLG 62 400 1 N沟道 3TO-220AB/-40~125 2A,62V功率MOSFET
MMBF0201NLT1G 20 1.400 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET
MMBF170LT1 60 － 0.500 N沟道 SOT-223/-55~150 0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
MMBF170LT1G 60 － 0.500 N沟道 SOT-223/-55~150 0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
MMBF170LT3G 60 － 0.500 N沟道 SOT-223/-55~150 0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
MMBF2201NT1G 20 1.400 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET
MMBF2202PT1G 20 3.500 0.300 P沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,20V,SOT223,P沟道功率MOSFET
MMDF2C03HDR2G 30 70/200 4.100 N/P沟道 SO-8/-55~150 2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET
MMDF2N02ER2G 25 100 3.600 双N沟道 SO-8/-55~150 2A,25V,SO-8,N沟道功率双MOSFET
MMDF2P02HDR2G 20 160 3.600 双P沟道 SO-8/-55~150 2A,20V,SO-8,P沟道功率双MOSFET
MMDF3N02HDR2G 20 90 3.800 双N沟道 SO-8/-55~150 3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET
MMDF3N04HDR2G 40 80 3.400 双N沟道 SO-8/-55~150 3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET
MMFT960T1G 60 1.700 0.300 N沟道 SOT-223/-55~150 0.3A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
MMSF3P02HDR2G 20 95 5.600 P沟道 SO-8/-55~150 3A,20V,SO-8,P沟道功率MOSFET
MMSF7P03HDR2G 30 35 7 P沟道 SO-8/-55~150 7A,30V,SO-8,P沟道功率MOSFET
MTB2P50ET4G 500 6000 2 P沟道 D2PAK/-55~150 2A,500V,D2PAK,P沟道功率MOSFET
MTB30P06VT4G 60 67 30 P沟道 3D2PAK/-65~175 30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET
MTB50P03HDLG -30 25 -50 P沟道 D2PAK-3/-55~150 -50A,30V,D2PAK,P沟道功率MOSFET
MTB50P03HDLT4G 30 25 50 P沟道 3D2PAK/-65~175 50A,30V,D2PAK,P沟道功率MOSFET
MTD5P06VT4G 60 450 5 P沟道 3DPAK/-65~175 5A,60V,DPAK,P沟道功率MOSFET
MTD6N15T4G 150 300 6 N沟道 4DPAK/-55~150 6A,150V,DPAK,N沟道功率MOSFET
MTD6N20ET4G 200 700 6 N沟道 3DPAK/-55~150 6A,200V,DPAK,N沟道功率MOSFET
MTP10N10ELG 100 220 10 N沟道 TO-220/-55~150 10A,100V,DPAK,N沟道功率MOSFET
MTP12P10G 100 300 12 P沟道 TO-220AB/-65~150 12A,100V,TO220,P沟道功率MOSFET
MTP23P06VG 60 120 23 P沟道 TO-220AB/-65~150 23A,60V,TO220,P沟道功率MOSFET
MTP2P50EG 500 6000 2 P沟道 TO-220AB/-55~150 小信号P沟道TO-220AB封装场效应管
MTP50P03HDLG 30 25 50 P沟道 TO-220AB/-55~150 小信号P沟道TO-220AB封装场效应管
MTW32N20EG 200 75 32 N沟道 TO-247/-55~150 小信号N沟道TO-247封装场效应管
NID5001NT4 42 29 33 N沟道 DPAK/-55~175 自保护离散式,42V门限,过温和过流保护
NID5001NT4G 42 29 33 N沟道 DPAK/-55~175 自保护FET带过温和过流限制
NID5003NT4G 42 50 20 N沟道 DPAK 4/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42V，20A
NID6002NT4G 60 210 6.500 N沟道 DPAK 4/-55~150 65 V, 6.5 A, 带过温和过流保护，N沟道FET
NID9N05CL 55 181 － N沟道 DPAK/-55~175 自保护离散式,55V门限,ESD保护MOSFET
NID9N05CLT4G 55 181 － N沟道 DPAK/-55~175 9 A, 52带ESD保护功率MOSFET
NIF5002NT1 42 200 3 N沟道 SOT223/-55~175 自保护离散式,42V门限,具有过温和过流保护
NIF5002NT1G 42 200 3 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V, 2.0 A,
NIF5003NT1G 42 68 14 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V clamp, 14 A
NIF5003NT3G 42 68 14 N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制42 V clamp, 14 A
NIF62514T1 42 100 － N沟道 SOT223/-55~175 自保护离散式,42V门限,具有过温和过流保护
NIF62514T1G 42 100 － N沟道 SOT223/-55~175 自保护FET带过温和过流限制，电压钳位
NIF9N05CLT1 52 100 2.600 N沟道 SOT223/-55~175 保护功率MOSFET 2.6A,52V N沟道逻辑电平
NIF9N05CLT1G 52 100 2.600 N沟道 SOT223/-55~175 保护功率MOSFET 2.6A,52V N沟道逻辑电平
NILMS4501NR2G 24 12 9.500 N沟道 QFN PLLP4 /-55 ~150 24V, 9.5A N沟道，带ESD保护1：250电流镜像检测
NIMD6302R2 30 50 － N沟道 SO8/-55~175 双N沟道MOSFET
NTA4001NT1G 20(min) 1500 0.238 N沟道 SC-75 /-55 ~150 小信号N沟道20 V, 238 mA MOSFET 带ESD保护
NTA4151PT1G 20(min) 360 0.760 P沟道 SC-75/-55 ~150 小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护
NTA4153NT1G 26(min) 9500 0.915 N沟道 SC-75/-55 ~150 小信号N沟道20 V, 915 mA, MOSFET 带ESD保护
NTA7002NT1G 30(min) 2000 0.154 N沟道 SC-75/-55 ~150 小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护
NTB125N02RT4G 24(min) 4.600 125 N沟道 D2PAK 3/-55 ~150 125 A, 24 V 功率MOSFET
NTB13N10 100 － 13 N沟道 D2PAK/-55~175 13A,100V功率MOSFET
NTB13N10T4G 100 165 13 N沟道 D2PAK-3/-55~150 13A,100V功率MOSFET
NTB18N06L 60 85 15 N沟道 D2PAK/-55~175 15A,60V功率MOSFET
NTB18N06LT4G 60 90 15 N沟道 D2PAK-3/-55~150 15 A, 60V功率MOSFET
NTB22N06L 60 75 22 N沟道 D2PAK/-55~175 15A,60V功率MOSFET
NTB23N03R 25 50.300 23 N沟道 D2PAK/-55~175 23A,25V功率MOSFET
NTB23N03RT4G 25 50.300 23 N沟道 D2PAK-3/-55 ~150 23A,25V功率MOSFET
NTB25P06 60 65 25 P沟道 D2PAK/-55~175 -1.0A,-20V功率MOSFET
NTB25P06G 60 82 27.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 -60 V, -27.5 A功率MOSFET
NTB25P06T4G 60 82 27.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 -60 V, -27.5 A功率MOSFET
NTB27N06L 60 37 27 N沟道 D2PAK/-55~175 27A,60V功率MOSFET
NTB30N06 60 38 30 N沟道 D2PAK/-55~175 30A,60V逻辑电平的功率MOSFET
NTB30N06G 60 42 27 N沟道 D2PAK /-55 ~150 30 A, 60 V 功率MOSFET
NTB30N06L 60 38 30 N沟道 D2PAK/-55~175 30A,60V逻辑电平的功率MOSFET
NTB30N06LT4G 60 38 30 N沟道 D2PAK/-55~175 30A,60V功率MOSFET
NTB30N20 200 30 30 N沟道 D2PAK/-55~175 30A,200V逻辑电平的功率MOSFET
NTB30N20T4G 200 81 30 N沟道 D2PAK/-55 ~150 30 A, 200 V功率MOSFET
NTB35N15 150 42 37 N沟道 D2PAK/-55~175 37A,150V逻辑电平的功率MOSFET
NTB35N15G 150 42 37 N沟道 D2PAK/-55~175 37A,150V功率MOSFET
NTB35N15T4G 150 50 37 N沟道 D2PAK/-55 ~150 37 A, 150 V功率MOSFET
NTB4302 30 6.800 74 N沟道 D2PAK/-55~175 74A,30V逻辑电平的功率MOSFET
NTB4302T4G 30 9.300 74 N沟道 D2PAK/-55 ~150 74 A, 30 V功率MOSFET
NTB45N06 60 21 45 N沟道 D2PAK/-55~175 45A,60V逻辑电平的功率MOSFET
NTB45N06G 60 21 45 N沟道 D2PAK/-55~175 45A,60V功率MOSFET
NTB45N06LT4G 60 21 45 N沟道 D2PAK/-55~175 45A,60V功率MOSFET
NTB45N06T4G 40 26 45 N沟道 D2PAK/-55 ~150 45 A, 60 V功率MOSFET
NTB52N10 100 23 52 N沟道 D2PAK/-55~175 52A,100V逻辑电平的功率MOSFET
NTB52N10G 100 30 52 N沟道 D2PAK/-55 ~150 52 A, 100 V功率MOSFET
NTB52N10T4G 100 30 52 N沟道 D2PAK/-55 ~150 52 A, 100 V功率MOSFET
NTB5404NT4G 40 4.500 136 N沟道 D2PAK-3/-55~175 40V,136A,N沟道MOSFET
NTB5405NT4G 40 5.800 116 N沟道 D2PAK/-55~175 116A,40V功率MOSFET
NTB5411NT4G 60 10 80 N沟道 D2PAK-3/-55 ~150 80A,60V功率MOSFET
NTB5605PG 60 140 18.500 P沟道 D2PAK/-55 ~150 - 60 V, - 18.5 A,功率MOSFET
NTB5605PT4G 60 140 18.500 P沟道 D2PAK-3/-55~175 -60V,-18.5AP沟道MOSFET
NTB60N06 60 14 60 N沟道 D2PAK/-55~150 60A,60V逻辑电平的功率MOSFET
NTB60N06G 60 14 60 N沟道 D2PAK/-55~150 60A,60V功率MOSFET
NTB60N06LT4G 60 16 60 N沟道 D2PAK/-55~150 60A,60V功率MOSFET
NTB60N06T4G 60 14 60 N沟道 D2PAK/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET
NTB65N02R 25 11.200 65 N沟道 D2PAK/-55~150 65A,24V功率MOSFET
NTB65N02RT4G 24 10.500 65 N沟道 D2PAK/-55 ~150 24V, 65 A功率MOSFET
NTB75N03L09G 30 8 75 N沟道 D2PAK-3/-55~150 35V,75A,N沟道MOSFET
NTB75N03L09T4G 30 8 75 N沟道 D2PAK-3/-55~150 35V,75A,N沟道MOSFET
NTB75N03R 25 8.100 75 N沟道 D2PAK/-55~150 75A,25V功率MOSFET
NTB75N06G 60 9.500 75 N沟道 D2PAK-3/-55~150 60V,75A,N沟道MOSFET
NTB75N06L 60 9 75 N沟道 D2PAK/-55~175 75A,60V功率MOSFET
NTB75N06LT4G 60 11 75 N沟道 D2PAK-3/-55~150 60V,75A,N沟道MOSFET
NTB75N06T4G 60 9.500 75 N沟道 D2PAK/-55 ~150 75 A, 60 V功率MOSFET
NTB85N03 28 6.100 85 N沟道 D2PAK/-55~150 85A,28V逻辑电平的功率MOSFET
NTB85N03T4G 28 6.100 85 N沟道 D2PAK/-55~150 85A,28V功率MOSFET
NTB90N02 24 5 90 N沟道 D2PAK/-55~150 90A,24V逻辑电平的功率MOSFET
NTB90N02T4G 24 7.5@4.5V 90 N沟道 D2PAK-3/-55~150 90A,24V功率MOSFET
NTD110N02R 24 3.700 110 N沟道 DPAK/-55~150 110A,24V功率MOSFET
NTD110N02R-001G 24 4.600 110 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 24 V, 110 A功率MOSFET
NTD110N02RG 24 3.700 110 N沟道 DPAK/-55~150 110A,24V功率MOSFET
NTD110N02RT4G 24 4.600 110 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 V, 110 A功率MOSFET
NTD12N10 100 130 12 N沟道 DPAK/-55~175 12A,100V逻辑电平的功率MOSFET
NTD12N10-1G 100 165 12 N沟道 DPAK-3/-55~175 100V,12A,N沟道MOSFET
NTD12N10T4G 100 165 12 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 12 A, 100 V功率MOSFET
NTD14N03R 25 117 14 N沟道 DPAK/-55~150 14A,25V功率MOSFET
NTD14N03RT4G 25 117 14 N沟道 DPAK/-55~150 14A,25V功率MOSFET
NTD15N06L 60 76 15 N沟道 DPAK/-55~175 15A,60V功率MOSFET
NTD18N06-1G 60 60 18 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 18 A, 60 V功率MOSFET
NTD18N06G 60 60 18 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 18A, 60V功率MOSFET
NTD18N06L 60 54 18 N沟道 DPAK/-55~175 18A,60V功率MOSFET
NTD18N06L-1G 60 60 18 N沟道 DPAK-3/-55~150 18 A, 60V功率MOSFET
NTD18N06LT4G 60 60 18 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 18 A, 60 V功率MOSFET
NTD18N06T4G 60 60 18 N沟道 DPAK-3/-55~175 60V,18A,N沟道MOSFET
NTD20N03L27 30 27 20 N沟道 DPAK/-55~150 20A,30V逻辑电平的功率MOSFET
NTD20N03L27T4G 30 27 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 30 V功率MOSFET
NTD20N06G 60 46 20 N沟道 DPAK-4/-55~175 60V,20A,N沟道MOSFET
NTD20N06L 60 39 20 N沟道 DPAK/-55~175 20A,60V功率MOSFET
NTD20N06L-1G 60 39 20 N沟道 DPAK/-55 ~175 20 A, 60 V功率MOSFET
NTD20N06LT4G 60 48 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 60 V功率MOSFET
NTD20N06T4G 60 46 20 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 20 A, 60 V功率MOSFET
NTD20P06L-1G -60 150 -15.500 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -60 V, -15.5 A功率MOSFET
NTD20P06LG -60 150 -15.500 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -60 V, -15.5 A功率MOSFET
NTD20P06LT4G 60 150 15.500 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -60 V, -15.5 A功率MOSFET
NTD23N03R 25 32 23 N沟道 DPAK/-55~150 23A,25V功率MOSFET
NTD23N03RG 25 32 23 N沟道 DPAK/-55~150 23A,25V功率MOSFET
NTD23N03RT4G 25 45 23 N沟道 DPAK-4/-55~150 25V,23A,N沟道MOSFET
NTD24N06L 60 36 24 N沟道 DPAK/-55~175 24A,60V功率MOSFET
NTD24N06L-1G 60 36 24 N沟道 DPAK/-55~175 24A,60V功率MOSFET
NTD24N06LT4G 60 45 24 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 A, 60 V功率MOSFET
NTD24N06T4G 60 42 24 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 24 A, 60 V功率MOSFET
NTD25P03L 30 51 25 P沟道 DPAK/-55~150 -6.8A,-20V双功率MOSFET
NTD25P03L1G -30 72 -25 P沟道 DPAK-4/-55 ~150 25A,30V功率MOSFET
NTD25P03LG -30 51 -25 P沟道 DPAK/-55~150 -25A,-30V功率MOSFET
NTD25P03LRLG -30 51 -25 P沟道 DPAK/-55~150 -25A,-30V功率MOSFET
NTD25P03LT4G 30 72 25 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -25 A, -30 V功率MOSFET
NTD2955 60 150 12 P沟道 DPAK/-55~150 -0.4A,-20V功率MOSFET
NTD2955-1G -60 180 -12 P沟道 DPAK-3/-55 ~150 12A,60V功率MOSFET
NTD2955G -60 155 -12 P沟道 DPAK/-55~175 -12A,-60V功率MOSFET
NTD2955T4G 60 180 12 P沟道 DPAK 4/-55 ~150 -60 V, -12 A功率MOSFET
NTD3055-094 60 94 12 N沟道 DPAK/-55~175 12A,60V功率MOSFET
NTD3055-094-1G 60 94 12 N沟道 DPAK-3/-55~175 12A,60V功率MOSFET
NTD3055-094G 60 94 12 N沟道 DPAK/-55~175 12A,60V功率MOSFET
NTD3055-094T4G 60 94 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 60 V, 9.0 A功率MOSFET
NTD3055-150 60 122 9 N沟道 DPAK/-55~175 9A,60V功率MOSFET
NTD3055-150-1G 60 150 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 60 V, 9.0 A功率MOSFET
NTD3055-150T4G 60 150 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 60 V, 9.0 A功率MOSFET
NTD3055L104 60 104 12 N沟道 DPAK/-55~175 12A,60V逻辑电平的功率MOSFET
NTD3055L104-1G 60 104 12 N沟道 DPAK-3/-55~175 60V,12A,N沟道MOSFET
NTD3055L104G 60 104 12 N沟道 DPAK/-55~175 12A,60V功率MOSFET
NTD3055L104T4G 60 104 12 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 12 A, 60 V功率MOSFET
NTD3055L170 60 170 9 N沟道 DPAK/-55~175 9A,60V逻辑电平的功率MOSFET
NTD3055L170G 60 170 9 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 9.0 A, 60V功率MOSFET
NTD3055L170T4G 60 170 9 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 9.0 A, 60 V功率MOSFET
NTD30N02 24 11.200 30 N沟道 DPAK/-55~150 30A,24V逻辑电平的功率MOSFET
NTD32N06G 60 26 32 N沟道 DPAK-4/-55~175 60V,32A,N沟道MOSFET
NTD32N06L 60 23.700 32 N沟道 DPAK/-55~175 32A,60V功率MOSFET
NTD32N06LT4G 60 28 32 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 32 A, 60 V功率MOSFET
NTD32N06T4G 60 26 32 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 32 A, 60 V功率MOSFET
NTD3817N-1G 16 13.900 34.500 N沟道 DPAK-3/-55 ~150 34.5 A, 16V功率MOSFET
NTD40N03R 25 12.600 40 N沟道 DPAK/-55~150 40A,25V功率MOSFET
NTD40N03R-1G 25 16.500 45 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 45A, 25V功率MOSFET
NTD40N03RG 25 12.600 40 N沟道 DPAK/-55~175 40A,25V功率MOSFET
NTD40N03RT4G 25 16.500 45 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 45A, 25V功率MOSFET
NTD4302 30 7.800 68 N沟道 DPAK/-55~150 68A,30V逻辑电平的功率MOSFET
NTD4302T4G 30 10 68 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 68A, 30V功率MOSFET
NTD4404N 24 5.170 85 N沟道 DPAK/-55 ~150 85A,24V功率MOSFET
NTD4804N-35G 30 4 117 N沟道 3 IPAK/-55 ~150 117A,30V功率MOSFET
NTD4804NT4G 30 4 117 N沟道 DPAK-4/-55~175 30V,117A,N沟道MOSFET
NTD4805N-1G 30 5 88 N沟道 DPAK-3/-55~175 30V,88A,N沟道MOSFET
NTD4805N-35G 30 5 88 N沟道 3 IPAK/-55~150 88A,30V功率MOSFET
NTD4805NT4G 30 5 88 N沟道 DPAK/-55~175 88A,30V功率MOSFET
NTD4806N-1G 30 6 76 N沟道 IPAK/-55 ~175 76 A, 30 V功率MOSFET
NTD4806N-35G 30 6@10V 76 N沟道 IPAK/-55~175 30V,76A,功率双MOSFET
NTD4806NA-35G 30 6 76 N沟道 3 IPAK/-55 ~150 76 A, 30 V功率MOSFET
NTD4806NT4G 30 6 76 N沟道 DPAK-4/-55~175 30V,76A,N沟道MOSFET
NTD4808N-1G 30 8 63 N沟道 DPAK-3/-55 ~150 63A,30V功率MOSFET
NTD4808NT4G 30 8 63 N沟道 DPAK/-55~175 63A,30V功率MOSFET
NTD4809N-1G 30 9 58 N沟道 DPAK-3/-55 ~150 58A,30V功率MOSFET
NTD4809N-35G 30 9 58 N沟道 IPAK Trimmed/-55 ~175 58 A, 30 V功率MOSFET
NTD4809NH-1G 30 9 58 N沟道 DPAK-3/-55 ~150 58A,30V功率MOSFET
NTD4809NH-35G 30 9 58 N沟道 3 IPAK/-55 ~150 58A,30V功率MOSFET
NTD4809NHT4G 30 9 58 N沟道 DPAK /-55 ~175 58 A, 30 V功率MOSFET
NTD4809NT4G 30 9 58 N沟道 DPAK-4/-55~175 30V,58A,N沟道MOSFET
NTD4810N-35G 30 10 54 N沟道 3 IPAK/-55~150 54 A,30 V功率MOSFET
NTD4810NT4G 30 10 54 N沟道 DPAK-4/-55~175 30V,54A,N沟道MOSFET
NTD4813NH-35G 30 13 40 N沟道 3 IPAK/-55 ~150 40A,30V功率MOSFET
NTD4813NHT4G 30 13 40 N沟道 DPAK/-55~175 40A,30V功率MOSFET
NTD4813NT4G 30 13 40 N沟道 DPAK 4/-55~175 40A,30V,,N沟道功率MOSFET
NTD4815N-1G 30 15 35 N沟道 IPAK/-55 ~175 35 A,30 V功率MOSFET
NTD4815NH-1G 30 13 35 N沟道 DPAK-3/-55 ~150 35A,30V功率MOSFET
NTD4815NH-35G 30 13 35 N沟道 3 IPAK/-55 ~150 35A,30V功率MOSFET
NTD4815NHT4G 30 13 35 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 35A,30V功率MOSFET
NTD4815NT4G 30 15 35 N沟道 DPAK-4/-55~175 30V,35A,N沟道MOSFET
NTD4854N-1G 25 3.600 124 N沟道 DPAK-3/-55 ~150 124 A, 25V功率MOSFET
NTD4854NT4G 25 3.600 128 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 128A,25V功率MOSFET
NTD4855N-1G 25 4.300 97 N沟道 DPAK-3/-55~150 97A,25V功率MOSFET
NTD4855N-35G 25 4.300 97 N沟道 3 IPAK/-55~150 97A,25V功率MOSFET
NTD4855NT4G 25 4.300 97 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 97A,25V功率MOSFET
NTD4856NT4G 25 4.700 86 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 86A,25V功率MOSFET
NTD4857NT4G 25 5.700 76 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 76A,25V功率MOSFET
NTD4858N-35G 25 6.200 70 N沟道 3 IPAK/-55~150 70A,25V功率MOSFET
NTD4858NT4G 25 6.200 70 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 70A,25V功率MOSFET
NTD4860NT4G 25 7.500 65 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 65A,25V功率MOSFET
NTD4863N-1G 25 10.200 8.600 N沟道 DPAK-3/-55~150 23A,25V功率MOSFET
NTD4863N-35G 25 10.200 8.600 N沟道 3 IPAK/-55 ~150 23A,25V功率MOSFET
NTD4863NT4G 25 10.200 8.600 N沟道 DPAK-4/-55~150 23A,25V功率MOSFET
NTD50N03R-1G 25 11.700 45 N沟道 DPAK-3/-55 ~150 45A,25V功率MOSFET
NTD50N03RG 25 11.700 45 N沟道 DPAK-4/-55~175 25V,45A,N沟道MOSFET
NTD50N03RT4G 25 12.500 45 N沟道 DPAK-3/-55 ~150 45 A, 25V功率MOSFET
NTD5406NG 40 10 70 N沟道 DPAK-4/-55~175 40V,70A,N沟道MOSFET
NTD5406NT4G 40 10 70 N沟道 DPAK-4/-55~175 40V,70A,N沟道MOSFET
NTD5407NG 40 21 38 N沟道 DPAK/-55 ~175 38 A, 40 V功率MOSFET
NTD5407NT4G 40 26 38 N沟道 DPAK-4/-55~175 40V,38A,N沟道MOSFET
NTD5802NT4G 40 4.400 101 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 101 A, 40V功率MOSFET
NTD60N02R 24 8 60 N沟道 DPAK/-55~150 60A,24V功率MOSFET
NTD60N02R-1G 24 8 60 N沟道 DPAK-3 Straight/-55~175 60A,24V功率MOSFET
NTD60N02RG 24 8 60 N沟道 DPAK-3/-55~175 60A,24V功率MOSFET
NTD60N02RT4G 25 10.500 62 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 62A, 25V功率MOSFET
NTD60N03 28 6.100 60 N沟道 DPAK/-55~150 60A,28V逻辑电平的功率MOSFET
NTD65N03R-1G 25 8.400 65 N沟道 DPAK-3/-55~175 25V,65A,N沟道MOSFET
NTD65N03RG 25 8.400 65 N沟道 DPAK-4/-55~175 25V,65A,N沟道MOSFET
NTD65N03RT4G 25 8.400 65 N沟道 DPAK-4/-55~175 25V,65A,N沟道MOSFET
NTD70N03R 25 5.600 70 N沟道 DPAK/-55~150 70A,25V功率MOSFET
NTD70N03R-001 25 5.600 70 N沟道 DPAK-3/-55~150 70A,25V功率MOSFET
NTD70N03R-1G 25 5.600 70 N沟道 DPAK-3 Straight/-55~175 70A,25V功率MOSFET
NTD70N03RT4 25 5.600 70 N沟道 DPAK/-55~150 70A,25V功率MOSFET
NTD70N03RT4G 25 8 72 N沟道 DPAK 3/-55 ~150 70-75 A, 25V功率MOSFET
NTD78N03-35G 25 6 78 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 78A,25V功率MOSFET
NTD78N03T4G 25 6 78 N沟道 DPAK-4/-55~175 25V,78A,N沟道MOSFET
NTD80N02 24 5 80 N沟道 DPAK/-55~150 80A,24V逻辑电平的功率MOSFET
NTD80N02T4G 24 5.800 80 N沟道 DPAK-4/-55 ~150 80A,24V功率MOSFET
NTD85N02R 24 4.800 85 N沟道 DPAK/-55~150 85A,24V功率MOSFET
NTD85N02R-1G 24 5.200 85 N沟道 DPAK-3/-55 ~150 85A,24V功率MOSFET
NTD85N02RT4G 24 5.200 85 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 85 A, 24 V,功率MOSFET
NTD95N02RT4G 24 5 95 N沟道 DPAK 4/-55 ~150 95A, 24 V,功率MOSFET
NTE4151PT1G 20 360 0.760 P沟道 SC-89/-55 ~150 -20 V, -760 mA,功率MOSFET
NTE4153NT1G 20 230 0.915 N沟道 SC-89/-55 ~150 20 V,915 mA,功率MOSFET
NTF2955T1G 60 170 2.600 P沟道 SOT-223/-55 ~150 -60 V, -2.6 A,功率MOSFET
NTF3055-100T1 60 100 3 N沟道 SOT-223/-55~175 3A,60V功率MOSFET
NTF3055-100T1G 60 100 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET
NTF3055-100T3G 60 100 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET
NTF3055-160T1 60 160 2 N沟道 SOT-223/-55~175 2A,60V功率MOSFET
NTF3055L108T1 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55~175 3A,60V功率MOSFET
NTF3055L108T1G 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET
NTF3055L108T3G 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET
NTF3055L108T3LFG 60 120 3 N沟道 SOT-223/-55 ~150 3.0 A, 60 V功率MOSFET
NTF3055L175T1 60 175 2 N沟道 SOT-223/-55~175 2A,60V功率MOSFET
NTF3055L175T1G 60 175 2 N沟道 SOT-223/-55 ~150 2 A, 60 V功率MOSFET
NTF5P03T3 30 100 5.200 P沟道 SOT-223/-55~150 －5.4A,－20V功率MOSFET
NTF5P03T3G 30 100 5 P沟道 SOT-223/-55 ~150 5.2 A, 30 V功率MOSFET
NTF6P02T3 30 44 6 P沟道 SOT-223/-55~150 －2.3A,－20V功率MOSFET和肖特基二极管
NTF6P02T3G 20 50 6 P沟道 SOT-223/-55 ~150 -20 V, -6.0A功率MOSFET
NTGD1100LT1G 8 55 3.300 P沟道 TSOP6/-55~150 8V，3.3A P沟道MOSFET
NTGD3133PT1G -20 145 -2.500 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -2.5A, -20 V功率MOSFET
NTGD3148NT1G 20 70 3.500 双N沟道 TSOP-6/-55 ~150 3.5 A, 20V功率MOSFET
NTGD3149CT1G 20 60/110 -1.296 N/P沟道 TSOP-6/-55 ~150 +3.5 A/-2.7A, 20V互补型功率MOSFET
NTGS3130NT1G 20 24 5.600 N沟道 TSOP-6/-55 ~150 20 V, 5.6A功率MOSFET
NTGS3136PT1G -20 － -5.800 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -20 V, -5.8A功率MOSFET
NTGS3433T1 -12 75 -3.300 P沟道 6TSOP/-55~150 －3.05A,－30V功率MOSFET和肖特基二极管
NTGS3433T1G 12 75 3.300 P沟道 TSOP-6/-55~150 12V,3.3A,P沟道MOSFET
NTGS3441BT1G -20 90 -3.500 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -20 V, -3.5A功率MOSFET
NTGS3441PT1G 20 110 3.160 P沟道 TSOP-6/-55~150 20V,3.16A,P沟道MOSFET
NTGS3441T1 20 90 1 P沟道 6TSOP/-55~150 －3.05A,－30V功率MOSFET和肖特基二极管
NTGS3441T1G 20 90 2.350 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 1 A, 20 V功率MOSFET
NTGS3443BT1G -20 60 -3.700 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -3.7A, -20V功率MOSFET
NTGS3443T1 20 65 － P沟道 6TSOP/-55~150 2A,P沟道MOSFET
NTGS3443T1G 20 65 2 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 2A, 20 V功率MOSFET
NTGS3446T1 20 36 5.100 N沟道 6TSOP/-55~150 5.1A,20V功率MOSFET
NTGS3446T1G 20 45 5.100 N沟道 TSOP-6/-55 ~150 5.1A, 20 V功率MOSFET
NTGS3447PT1G -12 40 -5.300 P沟道 TSOP-6/-55~150 -5.3 A, -12V功率MOSFET
NTGS3455T1 -30 100 -3.500 P沟道 6TSOP/-55~150 －4.5A,－12V功率MOSFET
NTGS3455T1G 30 100 3.500 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -3.5A,-30 V功率MOSFET
NTGS4111PT1G 30 60 4.700 P沟道 TSOP-6/-55 ~150 -30 V, -4.7A功率MOSFET
NTGS4141NT1G 30 25 7 N沟道 TSOP-6/-55 ~150 7A, 30V功率MOSFET
NTHC5513T1G 20 80 3.900 N/P沟道 ChipFET/-55~150 20 V, +3.9 A/-3.0 A功率MOSFET
NTHD2102PT1G 1 60@-4.5V 1 P/P沟道 ChipFET/-55~150 -4.6A, -8V双功率MOSFET
NTHD3100CT1G 20 80 3.900 N/P沟道 ChipFET /-55~150 20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET
NTHD3101FT1G 20 80 4.400 P沟道 ChipFET /-55~150 -20 V, -4.4 A功率MOSFET
NTHD3101FT3G 20 80 4.400 P沟道 ChipFET/-55~150 20V,4.4A,P沟道MOSFET,带肖特基二极管
NTHD3102CT1G 20/-20 45 5.5/-4.2 N/P沟道 ChipFET™/-55 ~150 5.5/-4.2A, 20V功率双沟道MOSFET
NTHD3133PFT1G -20 － -4.400 P沟道 ChipFET/-55 ~150 -20 V, -4.4A功率MOSFET,集成3.7A肖特基二极管
NTHD4102PT1G 1 64@-4.5V 1 双P沟道 ChipFET/-55~150 -4.1A, -20V双功率MOSFET
NTHD4401PT1G 20 155 3 P沟道 ChipFET/-55~150 20V,3A,P沟道双MOSFET
NTHD4502NT1G 30 85 3.900 N沟道 ChipFET/-55~150 30V,3.9A,N沟道双MOSFET
NTHD4508NT1G 20 75 4 N沟道 ChipFET /-55~150 20 V, 4.1 A功率MOSFET
NTHD4N02FT1 20 60@-4.5V 2.700 N沟道 ChipFET/-55~125 -2.7A,-20V P沟道功率MOSFET和肖特基二极管
NTHD4N02FT1G 20 80 3.900 N沟道 ChipFET(TM)/-55~150 20 V, 3.9 A功率MOSFET
NTHD4P02FT1G 20 155 3 P沟道 ChipFET/-55~150 -20 V, -3.0 A,功率MOSFET
NTHS2101PT1G 8 25 7.500 P沟道 ChipFET/-55~150 -8 V, -7.5 A功率MOSFET
NTHS4101PT1G 20 34 6.700 P沟道 ChipFET/-55~150 -20 V, -6.7 A,功率MOSFET
NTHS4501NT1G 30 38 6.700 N沟道 ChipFET /-55~150 30 V, 6.7 A功率MOSFET
NTHS5404T1G 20 30 7.200 N沟道 ChipFET/-55~150 20V, 7.2A,功率MOSFET
NTHS5441T1G 20 60 5.300 P沟道 ChipFET/-55~150 -20 V, -5.3 A功率MOSFET
NTHS5443T1G 20 65 4.900 P沟道 ChipFET/-55~150 -20V, -4.9 A功率MOSFET
NTJD1155LT1G 8 175 1.300 P沟道 SOT-363/-55 ~150 8 V, ± 1.3 A功率MOSFET
NTJD2152PT1G 8 300 0.775 P沟道 SOT-363/-55 ~150 8V双功率MOSFET带ESD保护
NTJD4001NT1G 30 1500 0.250 N沟道 SC88-6/-55~150 30V,0.25A,N沟道双MOSFET
NTJD4105CT1G 20 200 0.775 N/P沟道 SOT-363/-55 ~150 小信号20V/-8V ，+0.63A/-0.775A MOSFET
NTJD4152PT1G 20 215 0.880 P沟道 SOT-363/-55 ~150 小信号20 V, 0.88 A双P沟道 MOSFET
NTJD4158CT1G 30/20 260 0.25/0.88 N/P沟道 SC88-6/-55~150 30V/-20V,0.25A/-0.88A,N/P沟道双MOSFET
NTJD4401NT1G 20 375 0.630 N沟道 SOT-363/-55 ~150 小信号20 V,双N沟道 MOSFET
NTJD4401NT2G 20 375 0.630 双N沟道 SC-88/-55 ~150 小信号20 V,双N沟道 MOSFET
NTJD5121NT1G 60 1600 0.330 双N沟道 SC-88/-55 ~150 60 V, 0.33A功率MOSFET,集成ESD保护
NTJS3151PT1G 12 60 3.300 P沟道 SOT-363/-55 ~150 12 V, 3.3 A, 功率MOSFET
NTJS3157NT1G 20 60 4 N沟道 SC88-6/-55~150 20V,4A,N沟道Trench MOSFET
NTJS4151PT1G 20 60 4.200 P沟道 SOT-363/-55 ~150 -20 V, -4.2 A功率MOSFET
NTJS4160NT1G 30 60 3.200 N沟道 SC88-6/-55~150 30V,3.2A,N沟道MOSFET
NTJS4405NT1G 25 350 1.200 N沟道 SC88-6/-55~150 25V,1.2A,N沟道MOSFET
NTK3043NT1G 20 1500@4.5V 0.285 N沟道 SOT-723/-55~150 0.285A, 20V,ESD保护功率MOSFET
NTK3043NT5G 20 3400 0.285 N沟道 SOT-723/-55~150 0.285A, 20V,ESD保护功率MOSFET
NTK3134NT1G 20 350 0.890 N沟道 SOT-723/-55~150 0.89A, 20V,ESD保护功率MOSFET
NTK3139PT1G -20 480 -0.780 P沟道 SOT-723/-55 ~150 -20 V,- 0.78A功率MOSFET,集成ESD保护
NTK3142PT1G -20 2.7@-4.5V -0.280 P沟道 SOT-723/-55~150 -0.28A, -20V,ESD保护功率MOSFET
NTLJD2105LTBG -8 50@4.5V 4.300 P沟道 WDFN6/-55 ~150 4.3A, 8V功率MOSFET
NTLJD3115PT1G 1 100 1 双P沟道 DFN-6/-55~150 -20V,-4.1A,uCOOL双P沟道功率MOSFET
NTLJD3115PTAG -20 100 -4.100 双P沟道 WDFN6 2x2x.75/-55 ~150 -20 V,- 4.1A功率MOSFET
NTLJD3119CTAG 20/-20 65 4.6/-4.1 N/P沟道 WDFN6 2x2x.75/-55 ~150 20 V,4.6/-4.1A功率MOSFET
NTLJD3119CTBG 20/-20 65 4.6/-4.1 N/P沟道 WDFN6/-55~150 -20V, 4.6/-4.1A,uCOOL™双沟道功率MOSFET
NTLJD4116NT1G 30 70 4.600 双N沟道 WDFN6/-55~150 30V,4.6A,uCOOL™双N沟道功率MOSFET
NTLJD4150PTBG -30 135 -3.400 双P沟道 WDFN6 2x2x.75/-55 ~150 -30 V,-3.4A功率MOSFET
NTLJF3117PT1G -20 100 -4.100 P沟道 DFN-6/-55~150 -20V,-4.1A,uCOOL功率MOSFET,2A肖特基二极管
NTLJF4156NT1G 30 70 4 N沟道 DFN-6/-55~150 30V,4.0A,uCOOL功率MOSFET,2A肖特基二极管
NTLJS3113PT1G -20 40 -9.500 P沟道 DFN-6/-55~150 -20V,-9.5A,uCOOLP沟道功率MOSFET
NTLJS4114NT1G 30 35 7.800 N沟道 WDFN6 2x2mm/-55 ~150 30 V, 0.78A功率MOSFET
NTLJS4149PTAG -30 62 -5.900 P沟道 WDFN6 2x2mm/-55 ~150 -30 V,-5.9A功率MOSFET
NTLTD7900ZR2G 20 26 9 N沟道 MICRO-8/-55 ~150 20 V, 9A功率MOSFET
NTMD2C02R2G 20 43 5.200 N/P沟道 SOIC-8/-55 ~150 2 A, 20 V,功率MOSFET
NTMD2C02R2SG 20 43 5.200 N/P沟道 SOIC-8/-55~150 20V,5.2A,N/P沟道双MOSFET
NTMD3P03R2G 30 85 3.050 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 -3.05 A, -30 V功率MOSFET
NTMD4820NR2G 30 20 6.400 双N沟道 SO-8-(MiniMOSTM)/-55 ~150 30 V,6.4A功率MOSFET
NTMD4840NR2G 30 24 5.500 双N沟道 SO-8-(MiniMOSTM)/-55 ~150 30 V,5.5A功率MOSFET
NTMD4884NFR2G 30 48 4.700 双N沟道 SO-8-(MiniMOSTM)/-55 ~150 30 V, 4.7A功率MOSFET,带肖特基二极管
NTMD4N03R2G 30 60 4 N沟道 SOIC-8/-55~150 30V,4A,N沟道双MOSFET
NTMD6N02R2G 20 35 6.500 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 6.0 A, 20v功率MOSFET
NTMD6N03R2G 30 32 6 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 6 A,功率MOSFET
NTMD6N04R2G 40 34 6 N沟道 SO-8-(MiniMOSTM)/-55~150 6.0 A, 40v双N功率MOSFET
NTMD6P02R2G -20 33 -7.800 P沟道 SOIC8/-55~155 -20 V, -7.8 A功率MOSFET
NTMFS4108NT1G 30 2.200 35 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,35A,N沟道MOSFET
NTMFS4119NT1G 30 3.500 30 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,30A,N沟道MOSFET
NTMFS4120NT1G 30 4.500 31 N沟道 DFN6/-55 ~150 30 V, 31 A,功率MOSFET
NTMFS4121NT1G 30 5.250 29 N沟道 DFN6/-55 ~150 30 V, 29 A,功率MOSFET
NTMFS4122NT1G 30 6 23 N沟道 So-8FL /-55 ~150 30 V, 23 A,功率MOSFET
NTMFS4122NT3G 30 6 23 N沟道 SO-8FL/-55 ~150 30 V, 23A功率MOSFET
NTMFS4701NT1G 30 6.0@10V 20 N沟道 SO-8FL/-55 ~150 30 V, 20 A功率MOSFET
NTMFS4707NT1G 30 13 17 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,17A,N沟道MOSFET
NTMFS4708NT1G 30 19 19 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,19A,N沟道MOSFET
NTMFS4709NT1G 30 3.600 94 N沟道 DFN6/-55 ~150 30 V, 94 A,功率MOSFET
NTMFS4744NT1G 30 10 53 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,53A,N沟道MOSFET
NTMFS4744NT3G 30 10@10V 53 N沟道 SO-8 FL/-55 ~150 53A, 30V功率MOSFET
NTMFS4821NT1G 30 6.950 58.500 N沟道 SO-8FL/-55~150 30 V, 58.5A功率MOSFET
NTMFS4833NT1G 30 2 191 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,191A,N沟道MOSFET
NTMFS4833NT3G 30 2 191 N沟道 SO-8FL/-55 ~150 30 V,191A功率MOSFET
NTMFS4834NT1G 30 3 130 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,130A,N沟道MOSFET
NTMFS4835NT1G 30 3.500 104 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,104A,N沟道MOSFET
NTMFS4835NT3G 30 3.500 104 N沟道 SO-8FL/-55 ~150 30 V, 104A功率MOSFET
NTMFS4836NT1G 30 4 90 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,90A,N沟道MOSFET
NTMFS4837NHT1G 30 5 75 N沟道 SO-8FL/-55 ~150 30 V,75A功率MOSFET
NTMFS4837NT1G 30 5 74 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,74A,N沟道MOSFET
NTMFS4839NHT1G 30 5.500 64 N沟道 SO-8FL/-55 ~150 30 V,64A功率MOSFET
NTMFS4839NT1G 30 5.500 66 N沟道 SO-8FL/-55 ~150 30 V,66A功率MOSFET
NTMFS4841NHT1G 30 7 59 N沟道 SO-8FL/-55 ~150 30 V,59A功率MOSFET
NTMFS4841NT1G 30 7 57 N沟道 SO-8FL/-55~150 30V,57A,N沟道MOSFET
NTMFS4841NT3G 30 7 59 N沟道 SO-8FL/-55 ~150 30 V,59A功率MOSFET
NTMFS4845NT1G 30 2.900 115 N沟道 SO-8FL/-55~150 30 V, 115A功率MOSFET
NTMFS4846NT1G 30 3.400 100 N沟道 SO-8FL/-55~150 30 V, 100A功率MOSFET
NTMFS4847NT1G 30 4.100 85 N沟道 SO-8FL/-55~150 30 V, 85A功率MOSFET
NTMFS4847NT3G 30 3.200 85 N沟道 SO-8FL/?55 ~150 30V,85A功率MOSFET
NTMFS4849NT1G 30 5.100 71 N沟道 SO-8FL/-55~150 30 V, 71A功率MOSFET
NTMFS4851NT1G 30 5.900 66 N沟道 SO-8FL/-55~150 30 V, 66A功率MOSFET
NTMS10P02R2G 20 14 1.600 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 20 V, 10 A功率MOSFET
NTMS3P03R2G -30 85 -3.050 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 -30 V, -3.05 A功率MOSFET
NTMS4107NR2G 30 3.400 1.800 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 18 A功率MOSFET
NTMS4503NR2G 28 7 14 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 28 V, 14 A,功率MOSFET
NTMS4704NR2G 30 9.500 12.300 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 12.3 A, 功率MOSFET
NTMS4705NR2G 30 10 12 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 30 V, 12 A 功率MOSFET
NTMS4706NR2G 30 12 10.300 N沟道 SOIC-8/-55~150 30V,10.3A,功率MOSFET
NTMS4807NR2G 30 6.100 12.200 N沟道 SO-8/-55~150 6.1 A, 30v功率MOSFET
NTMS4816NR2G 30 10 9 N沟道 SO-8/-55~150 9 A, 30v功率MOSFET
NTMS4872NR2G 30 13.500 8 N沟道 SO-8-(MiniMOSTM)/-55 ~150 30 V, 8A功率MOSFET
NTMS4873NFR2G 30 12 11.700 N沟道 SO-8/-55~150 11.7A, 30v功率MOSFET
NTMS5P02R2G 20 33 5.400 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 -20 V, -5.4 A, 功率MOSFET
NTMS7N03R2G 30 23 7 N沟道 SOIC-8/-55 ~150 7 A, 30 V 功率MOSFET
NTMSD3P102R2G 20 85 3 P沟道 SOIC-8/-55 ~150 增强型功率MOSFET集成肖特基二极管
NTMSD3P303R2G -30 85 -3.050 P沟道 SO-8/-55 ~150 -30 V, -3.05A功率MOSFET,带肖特基二极管
NTP125N02R 24 3.700 125 N沟道 D2PAK/-55~150 15A,60V功率MOSFET
NTP125N02RG 24 4.600 125 N沟道 TO-220/-55 ~150 125 A, 24 V功率MOSFET
NTP13N10 100 165@10V 13 N沟道 TO-220AB/-55~175 22A,60V功率MOSFET
NTP13N10G 100 165 13 N沟道 TO-220/-55 ~150 13 A, 100 V功率MOSFET
NTP18N06 60 90 15 N沟道 TO-220AB/-55~175 27A,60V功率MOSFET
NTP18N06G 60 90 15 N沟道 TO-220/-55 ~150 15 A, 60 V功率MOSFET
NTP18N06L 60 100 15 N沟道 TO-220AB/-55~175 30A,60V功率MOSFET
NTP18N06LG 60 100 15 N沟道 TO-220/-55 ~150 15 A, 60 V功率MOSFET
NTP22N06 60 60 22 N沟道 TO-220AB/-55~175 30A,60V功率MOSFET
NTP27N06 60 46 27 N沟道 TO-220AB/-55~175 30A,200V功率MOSFET
NTP27N06G 60 46 27 N沟道 TO-220/-55 ~150 27 A, 60 V功率MOSFET
NTP2955G 60 196 12 P沟道 TO-220/-55 ~150 -60 V, -12 A功率MOSFET
NTP30N06 60 42 30 N沟道 TO-220AB/-55~175 37A,150V功率MOSFET
NTP30N06L 60 46 30 N沟道 TO-220AB/-55~175 74A,30V功率MOSFET
NTP30N06LG 60 46 30 N沟道 TO-220/-55 ~150 30 A, 60 V功率MOSFET
NTP30N20 200 68@10V 30 N沟道 TO-220AB/-55~175 45A,30V功率MOSFET
NTP30N20G 200 81 30 N沟道 TO-220/-55 ~150 30 A, 200 V功率MOSFET
NTP35N15 150 50@10V 37 N沟道 TO-220AB/-55~150 52A,30V功率MOSFET
NTP35N15G 150 50 37 N沟道 TO-220/-55 ~150 37 A, 150 V功率MOSFET
NTP4302 30 9.300 74 N沟道 TO-220AB/-55~150 60A,60V功率MOSFET
NTP4302G 30 9.300 74 N沟道 TO-220/-55 ~150 74 A, 30 V功率MOSFET
NTP45N06 60 26 45 N沟道 TO-220AB/-55~175 65A,24V功率MOSFET
NTP45N06G 60 26 45 N沟道 TO-220AB/-55~175 45A,60V功率MOSFET
NTP45N06LG 60 28 45 N沟道 TO-220AB/-55~175 45A,60V功率MOSFET
NTP52N10 100 30 52 N沟道 TO-220AB/-55~150 75A,30V功率MOSFET
NTP52N10G 100 30 60 N沟道 TO-220/-55 ~150 60 A, 100 V功率MOSFET
NTP60N06 60 14 60 N沟道 TO-220AB/-55~175 75A,25V功率MOSFET
NTP60N06G 60 14 60 N沟道 TO-220/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET
NTP60N06LG 60 16 60 N沟道 TO-220/-55 ~150 60 V, 60 A功率MOSFET
NTP65N02R 24 8 65 N沟道 TO-220AB/-55~150 75A,60V功率MOSFET
NTP65N02RG 24 8 65 N沟道 TO-220AB/-55~150 65A,24V功率MOSFET
NTP75N03-006 30 5.3@10V 75 N沟道 TO-220/-55~150 85A,28V功率MOSFET
NTP75N03-6G 30 5.3@10V 75 N沟道 3TO220AB/-55~150 75A,30V功率MOSFET
NTP75N03L09G 30 8 75 N沟道 TO-220/-55 ~150 75 A, 30v功率MOSFET
NTP75N03R 25 5.600 75 N沟道 TO-220/-55~150 90A,24V功率MOSFET
NTP75N03RG 25 5.600 75 N沟道 TO-220/-55~150 75A,25V功率MOSFET
NTP75N06 60 9.500 75 N沟道 TO-220AB/-55~175 6.9A,20V双功率MOSFET
NTP75N06G 60 9.500 75 N沟道 TO-220/-55 ~150 75 A 60v 功率MOSFET
NTP85N03 28 6.100 85 N沟道 TO-220AB/-55~150 6.9A,20V双功率MOSFET
NTP85N03G 28 6.100 85 N沟道 TO-220AB/-55~150 85A,25V功率MOSFET
NTP90N02 24 7.5@4.5V 90 N沟道 TO-220AB/-55~150 3.1A/-2.1A,20V N沟道和P沟道功率MOSFET
NTP90N02G 24 5.800 90 N沟道 TO-220/-55 ~150 90 A, 24 V功率MOSFET
NTQD6866R2G 20 30 6.900 N沟道 TSSOP8 /-55 ~150 6.9 A, 20 V功率MOSFET
NTQD6968NR2G 20 22 7 N沟道 TSSOP8 /-55 ~150 7.0 A, 20 V双功率MOSFET
NTR0202PLT1 -20 22@-10V -0.400 P沟道 SOT-23/-55~150 25A,30V功率MOSFET
NTR0202PLT1G 20 800 0.400 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -400 mA,双功率MOSFET
NTR1P02LT1 -20 220@-4.5V -1.300 P沟道 SOT-23/-55~150 -1.3A,-20V功率MOSFET
NTR1P02LT1G 20 220 1.300 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -1.3 A,双功率MOSFET
NTR1P02T1 -20 148@-10V -1 P沟道 SOT-23/-55~150 12A,60V逻辑电平的功率MOSFET
NTR1P02T1G 20 180 1 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -1 A,双功率MOSFET
NTR2101PT1G 8 52 3.700 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -8 V, -3.7 A,双功率MOSFET
NTR3161NT1G 20 50 3.300 N沟道 SOT-23/-55 ~150 20 V, 3.3A功率MOSFET
NTR4003NT1G 30 1500 0.560 N沟道 SOT-23/-55~150 0.56A,30V功率MOSFET
NTR4003NT3G 30 1500 0.560 N沟道 SOT-23/-55 ~150 30 V,0.56A功率MOSFET
NTR4101PT1G 20 8.500 3.200 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -20 V, -3.2 A,双功率MOSFET
NTR4501NT1G 20 80 3.200 N沟道 SOT-23 /-55 ~150 20 V, 3.2 A双功率MOSFET
NTR4502PT1G 30 200 1.950 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -30V, -1.95 A,双功率MOSFET
NTR4503NT1G 30 140 2.500 N沟道 SOT-23 /-55 ~150 30 V, 2.5 A,双功率MOSFET
NTR4503NT3G 30 140 2.500 N沟道 SOT-23 /-55 ~150 30 V, 2.5 A功率MOSFET
NTS2101PT1G 8 100 1.400 P沟道 SOT-23 /-55 ~150 -8 V, -1.4 A,双功率MOSFET
NTS4001NT1 30 1000@4.0V 0.270 N沟道 SC-70/-55~150 123A,100V单N沟道功率MOSFET
NTS4001NT1G 30 1500 0.270 N沟道 SC-70 /-55 ~150 30V, 270 mA,双功率MOSFET
NTS4101PT1G 20 120 1.370 P沟道 SC-70 /-55 ~150 -20 V, -1.37 A,双功率MOSFET
NTS4409NT1G 25 249@4.5V 0.750 N沟道 SOT-323/-55~150 0.75A,25V,ESD保护功率MOSFET
NTTD4401FR2G 20 90 3.300 P沟道 SC-70 /-55 ~150 -20 V, -3.3 A双功率MOSFET
NTTS2P02R2G 20 90 3.250 P沟道 Micro8/-55 ~150 -2.4 A, -20 V 双功率MOSFET
NTTS2P03R2G 30 135 2.480 P沟道 Micro8/-55 ~150 -2.48 A, -30 V功率MOSFET
NTUD3128NT5G 20 3000 0.200 双N沟道 SOT-963/-55 ~150 20 V,0.2A功率MOSFET
NTUD3129PT5G -20 5000 -0.180 双P沟道 SOT-963/-55 ~150 -20 V,-0.18A功率MOSFET
NTUD3171PZT5G 20 5000 0.200 双P沟道 SOT-963/-55 ~150 20 V, 0.2A双P沟道功率MOSFET
NTY100N10G 100 11 100 N沟道 TO-264/-55 ~150 100 V, 123 A,双功率MOSFET
NTZD3152PT1G 20 900 0.430 P沟道 SOT-563/-55 ~150 -20 V, -430 mA 双功率MOSFET
NTZD3154NT1G 20 550 0.570 N沟道 6SOT-563/-55~150 20 V, 570 mA功率MOSFET带ESD保护
NTZD3154NT2G 20/20 400@4.5V 0.54/0.54 双N沟道 SOT-563/-55~150 0.54A,20V,双N沟道功率MOSFET
NTZD3155CT1G 20 400 0.540 N/P沟道 SOT-563/-55 ~150 20 V, 540 mA/ -430 mA 双功率MOSFET带ESD保护
NTZD3156CT1G 20 190/390 -1.256 N/P沟道 SOT-563/-55 ~150 +0.54/-0.43A, 20V互补型功率MOSFET
NTZD5110NT1G 60 1600 0.310 双N沟道 SOT-563/-55 ~150 60 V,0.31A功率MOSFET,带ESD保护
NTZD5110NT5G 60 1600 0.310 双N沟道 SOT-563/-55 ~150 0.31A, 20V双N沟道功率MOSFET
NTZS3151PT1G 20 150 0.950 P沟道 SOT-563/-55 ~150 -20 V, -950 mA 双功率MOSFET带ESD保护
NUS3116MTR2G -12 40 -6.200 P沟道 WDFN8/-55 ~150 60 V,0.31A功率MOSFET,带双PNP
NUS5531MTR2G -12 32 -6.200 P沟道 WDFN8/-55 ~150 12 V,6.2A功率MOSFET,带一个低饱和压降PNP
TR4501NT1G 20 80 3.200 N沟道 SOT-23/-55 ~150 20 V, 3.2 A功率MOSFET
VN2222LLG 60 7500 0.150 N沟道 TO-92/-55 ~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
VN2222LLRLRAG 60 7500 0.150 N沟道 TO-92/-55 ~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
VN2410LG 240 10000 0.200 N沟道 TO-92/?55 ~150 小信号N沟道TO92封装场效应管
VN2410LZL1G 240 10000 0.200 N沟道 TO-92/-55 ~150 小信号N沟道TO92封装场效应管

供应商：深圳市亨力拓电子有限公司

网址：www.henlito.com


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