2N5457G MOSFET芯片相关型号参数表

产品型号	零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (μA)	零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (μA)	门极－源极雪崩电压VGSS Min (V)	输入电容CISS Max (pF)	反向最大传递电容CRSS Max (pF)	沟道极性	封装/温度(℃)
2N5457G	1000	5000	25	7	3	N	TO92/-55~150
2N5458	2000	9000	25	7	3	N	TO92/-55~150
2N5458G	2000	9000	25	7	3	N	TO92/-55~150
2N5460G	1000	5000	40	7	2	P	TO92/-55~150
2N5461G	2000	9000	40	7	2	P	TO92/-55~150
2N5461RLRAG	2000	9000	40	7	2	P	TO92/-55~150
2N5462G	4000	6000	40	7	2	P	TO92/-55~150
BFR30LT1G	4000	10000	－	5	1.500	N	TO92/-55~150
BSR58LT1G	8000	80000	0.800	4	5	N	SOT-23/-55~150
J110RLRAG	10000	－	25	－	－	N	TO92/-55~150
J112G	5000	－	35	28	5	N	TO92/-55~150
J309G	12000	30000	25	5	5.500	N	3TO-92/-55~150
J310G	24000	60000	2	7.500	2.500	N	TO92/-65~150
J310RLRPG	24000	60000	25	7.500	2.500	N	TO-92/-65~125
MMBF4391LT1G	50000	150000	40	10	3.500	N	3SOT23/-55~150
MMBF4392LT1G	25	75000	30	14	3.500	N	3SOT23/-55~150
MMBF4393LT1G	5000	30000	30	14	3.500	N	SOT-23/-55~150
MMBF4416LT1G	5000	15000	30	4	0.800	N	3SOT23/-55~150
MMBF5457LT1G	1000	5000	25	7	3	N	3SOT23/-55~150
MMBF5460LT1G	1000	5000	40	7	2	P	3SOT23/-55~150
MMBF5484LT1G	1000	5000	25	5	1	N	3SOT23/-55~150
MMBFJ175LT1G	7000	60000	30	11	5.500	P	3SOT23/-55~150
MMBFJ177LT1G	1500	20000	30	－	－	P	3SOT23/-55~150
MMBFJ309LT1G	12000	30000	25	5	2.500	N	3SOT23/-55~150
MMBFJ310LT1G	24000	60000	25	5	2.500	N	3SOT23/-55~150
MMBFU310LT1G	24000	60000	25	5	205	N	3SOT23/-55~150
MPF102G	2000	20000	25	3	7	N	3TO-92/-55~150

供应商：深圳市亨力拓电子有限公司