NSS12100M3T5G低饱和电压晶体管相关型号参数表

产品型号	类型	集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V)	集电极最大电流IC(Max)(mA)	直流电流增益hFE最小值	直流电流增益hFE最大值	最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)	封装/温度(℃)
NSS12100M3T5G	PNP	12	3000	120	－	－	SOT-723/-55 ~150
NSS12100XV6T1G	PNP	12	2000	150	－	100	SOT-563/-55 ~150
NSS12201LT1G	NPN	12	4000	200	-	150	SOT-23/?55 ~150
NSS12501UW3T2G	NPN	12	7000	250	－	150	WDFN/-55 ~150
NSS12601CF8T1G	NPN	12	8000	200	－	140	ChipFET/-55 ~150
NSS20201LT1G	NPN	20	4000	200	－	150	SOT-23/-55 ~150
NSS20501UW3T2G	NPN	20	7000	200	-	150	WDFN3/-55~150
NSS40200UW6T1G	PNP	－	4000	150	－	140	WDFN6/-55 ~150
NSS40201LT1G	NPN	40	4000	200	－	150	SOT-23/-55 ~150
NSS40301MZ4T1G	NPN	40	3000	200	500	200	SOT-223/-55 ~150
NSS40501UW3T2G	NPN	40	7000	250	－	150	WDFN/-55 ~150
NSS60201LT1G	NPN	60	4000	100	-	100	SOT-23/-55~150
NSS60600MZ4T1G	PNP	60	6000	120	360	100	SOT-223/-55 ~150
NSS60601MZ4T1G	NPN	60	6000	120	360	100	SOT-223/-55 ~150

供应商：深圳市亨力拓电子有限公司