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USBLC6-2P6 USB2.0适用低电容ESD阵列相关型号参数表


来源: | 时间:2010年01月14日

产品型号 资料 雪崩电压VBR Min.(V) 雪崩电压VBR Nom.(V) 雪崩电压VBR Max.(V) IT(mA) 最大反向漏电流IR(nA) 峰值反向工作电压VRWM(V) 最大反向浪涌电流Ipp(A) 最大反向电压(钳位电压)VC(V) 最大齐纳阻抗Zzt(W) 封装/温度(℃) 描述
USBLC6-2P6 6 - - - 150 5 24 17 - SOT-666/-40~125 二线极低电容ESD阵列
USBLC6-4SC6 6 - - - 150 5 24 17 - SOT23-6L/-40~125 四线极低电容ESD阵列
NUP1301ML3T1G 70(min) 2.500 SOT-23/-55~150 低电容单ESD保护器
NUP2202W1T2G 6 1 5 5 20 28 3 二线 SC-88/-40~85
NUP4202W1T2G 6(Min) 5 5000 8.500 SC-88/-40~125 低电容高速数据线TVS阵列
NUP4302MR6T1G 30 1 30 TSOP-6/-40~125 四线低电容TVS阵列

供应商:深圳市亨力拓电子有限公司

网址:www.henlito.com


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