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NIS6111QPT1G混合二极管


来源: | 时间:2010年01月14日

产品型号 资料 输入电压Vin(V)典型值 输入电压Vin(V)最大值 平均调整正向电流IFAV(A) 倒通电阻rDS(on)(mΩ) FET倒通时间(ns) 关断延迟时间(nS) 封装/温度(℃)
NIS6111QPT1G 0.800 24 30 3.700 45 35 PLLP32/-40~125

供应商:深圳市亨力拓电子有限公司

网址:www.henlito.com


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