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Part No.：

BLA6G1011-200R 112

no BLA6G1011-200R 112 's picture

MFG：

D/C：

16+

QTY：

13

Packaging：

SOT-502A-3

Package：

Note：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RFQ

Prev：RFM08U9X(TE12L Q)

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the relation stock of BLA6G1011-200R 112

Part No.	MFG	D/C	QTY	Packaging	Package	Note	PDF	WORD
BLA6H0912-500,112	Ampleon USA Inc.	18+	0	SOT634A	晶体管FETMOSFET 射频	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
BLA6H0912LS-1000U	Ampleon USA Inc.	18+	0	SOT539B	晶体管FETMOSFET 射频	RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
BLA6H1011-600,112	Ampleon USA Inc.	18+	0	SOT539A	晶体管FETMOSFET 射频	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
BLA6G1011LS-200RG,	Ampleon USA Inc.	18+	0	SOT-502C	晶体管FETMOSFET 射频	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C
BLA6G1011L-200RG,1	Ampleon USA Inc.	18+	0	SOT-502D	晶体管FETMOSFET 射频	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
BLA6G1011-200R,112	Ampleon USA Inc.	18+	41	SOT-502A	晶体管FETMOSFET 射频	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
BLA6H0912L-1000U	Ampleon USA Inc.	18+	0	SOT539A	晶体管FETMOSFET 射频	RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
BLA6G1011L-200RG 1	NXP	16+	21	SOT-502D-3		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
BLA6G1011LS-200RG	NXP	16+	398	SOT-502C-3		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
BLA6G1011-200R 112	NXP	16+	13	SOT-502A-3		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
BLA6H0912-500 112	NXP	16+	0	SOT-634A-3		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
BLA6H1011-600 112	NXP	16+	27	SOT-539A-5		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

the relation picture ofBLA6G1011-200R 112

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