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型号：

PXFC192207FHV3R250XTMA1

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厂家：

Infineon

批号：

16+

数量：

封装：

H37288-4

包装：

备注：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

询价

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型号	厂家	批号	数量	封装	包装	备注	PDF	WORD
PXFC193808SVV1R250XTMA1	Infineon	18+	0	-	晶体管FETMOSFET 射频	IC AMP RF LDMOS
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PXFC192207SHV1R250XTMA1	Infineon	16+	52	H37288-4		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
PXFC192207FHV3R250XTMA1	Infineon	16+	0	H37288-4		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
PXFC212551SCV1R250XTMA1	Infineon	16+	315	H-37248-4		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
PXFC192207NFV1R500XUMA1	Infineon	16+	315	HBSOF-4		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
PXFC193808SVV1R250XTMA1	Infineon	16+	27	H-37275-6		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
PXFC191507FCV1R250XTMA1	Infineon	16+	315	H-37248-4		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
PXFC211507SCV1R250XTMA1	Infineon	16+	1311	H-37248-4		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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