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Toshiba
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型号:
RFM03U3CT(TE12L)
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厂家:
Toshiba
批号:
16+
数量:
336
封装:
RF-CST-3
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备注:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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RFM01U7P(TE12L,F)
Toshiba and Storage
18+
0
TO-243AA
晶体管FETMOSFET 射频
MOSFET N-CH PW-MINI
RFM01U7P(TE12L,F)
Toshiba and Storage
18+
0
TO-243AA
晶体管FETMOSFET 射频
MOSFET N-CH PW-MINI
RFM08U9X(TE12L,Q)
Toshiba and Storage
18+
0
TO-271AA
晶体管FETMOSFET 射频
MOSFET N-CH PW-X
RFM08U9X(TE12L,Q)
Toshiba and Storage
18+
0
TO-271AA
晶体管FETMOSFET 射频
MOSFET N-CH PW-X
RFM03U3CT(TE12L)
Toshiba and Storage
18+
0
2-SMD,无引线,裸露焊盘
晶体管FETMOSFET 射频
MOSFET N-CH RF-CST3
RFM03U3CT(TE12L)
Toshiba and Storage
18+
0
2-SMD,无引线,裸露焊盘
晶体管FETMOSFET 射频
MOSFET N-CH RF-CST3
RFM01U7P(TE12L F)
Toshiba
16+
0
PW-Mini-3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RFM00U7U(TE85L F)
Toshiba
16+
95
SOT-343
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RFM03U3CT(TE12L)
Toshiba
16+
336
RF-CST-3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RFM08U9X(TE12L Q)
Toshiba
16+
27
PW-X-4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RFM04U6P(TE12L F)
Toshiba
16+
151
PW-Mini-3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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