IGBT极限参数VGE、VGES详细说明

VGE、VGES属于极限参数，含义是一样的，只是不同制造商的称呼不同。早期使用VGE比较多，现在则是使用VGES居多。VGE常常用来表示IGBT的G-E间的电压，本文采纳V GES。
VGES的基本含义是Maximum Gate-Emitter voltage with Collector-Emittershorted，即集电极与发射极短接时G-E间的最大电压；换言之，如果是共发射极接法（发射极接地或者接参考地），栅极所能够承受的最大电压。在进行IGBT的驱动电路设计时，VGES是驱动信号电平的参考。
几乎所有的IGBT技术手册给出的VGES值都是土20v，这使得我们有了一个根深蒂固的概念：IGBT的栅极驱动电压是不能超过20V的。事实是不是这样的呢？用一个简单的电路(图1)测试一下就知道了。

图1 V GES的简单测试电路

图2 简单测试VCES的电路

图1和图2非常相似，原理也大致相同。不同之处在于，这里用G-E间的反向击穿电压来测定VGES。R1是依据 IGES（G-E漏电流）选定的，回路电流不超过IGES的10倍基本上就是安全的。
测试表明，多数IGBT的VGES都超过了30V，接近60V的很多，超过100V的也并不少见。这正是图1选用150V电源电压的原因。
这个测试的实际意义在于，在无源自驱动电路中，考虑到驱动信号的内阻，了可靠驱动IGBT，驱动电压完全可以选得高一点。如果仅仅选择20V甚至是15V(考虑到保险系数)以下，往往会出现驱动不足的现象。