IGBT静态电气参数详解
Cies、Coes 、Cres属于IGBT的极间寄生电容，是极间寄生电容理想化的概念，属于静态电气参数，单位均为pF，其具体含义需要用图1来说明：
Cies=CGC+CGE( 忽略CGE的存在，假设CGE是被短路的）
Coes=CGC+CCE（忽略CGC的存在，假设CGE是被短路的）
Cres＝CGC（发射极接地，假设CCE、CGE是被交流短路的）
CGC在BJT中一般也称为米勒电容，这里也同样可以称呼。Cies称为输入电容(Input capacitance)； Coes称为输出电容(Output capacitance)； Cres称为逆导电容 (Reverse transfer capacitance) 。
晶体管的极间寄生电容是客观存在的，无论IGBT是打开还是关闭状态，也不管是否有电压加在各个电极上。不但是IGBT，BJT、FET 乃至电子管均是如此。然而，Cies、Coes 、Cres
只是考量与之相关的极间寄生电容，却忽略其他极间寄生电容的存在，即交流短路不起作用，参数中的s 即短路（Short）的意思。所以，它们是极问寄生电容的理想化概念。这种理想化的概念是为了抓住问题的主要方面，简化问题的分析。
Cies、Coes 、Cres的测量是有特定条件的。一般采用的测试条件是：VGE =0V，ƒ＝1MHz(测试信号的频率），VGE =30V。也就是说,Cies、Coes 、Cres表征的是IGBT关断条件下的极间寄生电容，属于静态参数。
之所以规定Cies、Coes 、Cres测试的VCE，是因为这些数值是与VCE密切相关的。随着VCE的升高，它们的数值会迅速减小，如图2所示。因此这些参数主要影响的是IGBT开关特性，只有IGBT开关期间，C-E间电压才会有变化（系统加Ⅷ孵百胥况除外），这也正是有塑芋謝霄藿補磊另开关参数的原因。
在比对上述参数时，应该特别注意VCE参数，有些手册给出的VCE为25V。虽然只有区区5V 之差，但从图2不难看出，30V以下正是Cies、Coes 、Cres变化饺大的区域。
图2还给出了TC，但实际上Cies、Coes 、Cres与温度大的关系很小，一般不需要考虑温度对它们的影响。
无论是Cies、Coes 、Cres中的哪一个，我们都希望其尽量小一些：Cies会增加驱动功率；Coes会导致IGBT在高频应用时不能被真正关断，白白消耗功率、降低PD值；Cres则会引起正反馈，即输出信号会从集电极倒灌回到栅极，引起自激振荡。
电容对高速开关信号来说都是非线性的（只有正弦波才接近线性），故Cies、Coes 、Cre很少用于定量计算，而是用于定性分析。即使IGBT 单管也是由不计其数的芯片 单元组成的，每个芯片 单 元都可以视为一个微型的IGBT单管。对于一个芯片单元来说，极间寄生电容也好，QG、QGE、QGC也好，都是非常小的值，如果一个封装内的芯片单元越少，则上述电容值就越小。毫靂电流规格相同的IGBT，芯片单元越少，就意味着IGET的工艺越先进，至少说明制造商采用了更先进的芯片工艺。
