英飞凌FF600R12IE4
产品性能和作用
英飞凌 FF600R12IE4采用PrimePACK2封装，符合RoHS要求，降低了基板与散热器之间的热阻，能使内部封装电感降低60%左右，是可能要大大提高各类工业传动系统的效率和耐用性。最高运行温度从+125℃提高到+150℃，贮存温度从先前-40℃降低至-55℃，使得FF600R12IE4 PrimePACK模块能够在异常严酷的环境下保持正常工作。英飞凌FF600R12IE4在大功率光伏逆变器中的应用很广！
描述：IGBT 模块 IGBT-MODULE 1200V/600A
【FF600R12IE4产品外形尺寸和结构图】
【FF600R12IE4 参数】
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 品牌和型号 | 英飞凌FF600R12IE4 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 600 A |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 封装 / 箱体： | PRIME2 |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 工厂包装数量： | 3 |
【FF600R12IE4电路图】
【FF600R12IE4 工作原理】
KS4 芯片是英飞凌最快的IGBT 芯片，关断损耗很小，适合高频应用中开关损耗占大部分损耗的场合，SiC 二极管的反向恢复损耗为零，只有的很小的寄生电容的反向损耗，因此,两者组合特别适合高频应用，频率越高，优势越明显。
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1ｕm以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
