英飞凌FF900R12IP4D
产品性能和作用
英飞凌FF900R12IP4D IGBT模块可以比其它功率器件提供更多的优势，其中包括更强的电流处理能力、用电压（而不是电流）方便地实现栅极控制，以及在封装内集成超快速恢复二极管实现更快的关断时间。 随着最近工艺技术和器件结构的改进，英飞凌FF900R12IP4D IGBT模块的开关特性已得到显着增强。
为保持谐波分量低和功率损耗最小，逆变器的高压端IGBT采用脉宽调制（PWM），低压端IGBT则以60Hz频率变换电流方向。通过让高压端IGBT使用20kHz或20kHz以上的PWM频率和50/60Hz调制方案，输出电感L1和L2在实例中可以做得很小，并且照样能对谐波分量进行高效滤波。与快速和标准速度的平面器件相比，开关速度为20kHz的超快速沟道型IGBT可以提供最低的总导通损耗和开关功率损耗。同样，对于低压端开关电路，FF900R12IP4D IGBT模块的的标准速度IGBT可以提供最低的功率损耗。
英飞凌FF900R12IP4D 描述：IGBT 模块 N-CH 1200V/900A/2U 含铅
【英飞凌 FF900R12IP4D 产品参数】
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 品牌和型号 | 英飞凌FF900R12IP4D |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 900 A |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 封装 / 箱体： | PRIME2 |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 工厂包装数量： | 3 |
【英飞凌 FF900R12IP4D 产品外形尺寸和结构图】
【英飞凌 FF900R12IP4D 电路图示意图】
【英飞凌 FF900R12IP4D IGBT模块工作原理】
（1）IGBT是逆变器主要使用的主要功率开关器件，也是逆变器中主要工作器件，合理选择IGBT是保证IGBT可靠工作的前提，同时，要根据三相逆变电路结构的特点，选择低通态型IGBT为佳。
（2）根据IGBT的棚特性。合理设计栅驱动结构， 保证IGBT有效的开通和关断， 降低Miller效应的影响。
