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FF450R12IE4英飞凌IGBT


来源: | 时间:2016年05月13日

FF450R12IE4产品图
英飞凌FF450R12IE4

产品用途和特性

  英飞凌FF450R12IE4 IGBT模块是一种功率晶体,运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能,使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。通过对IGBT的开通和关断的控制,可以轻松的实现逆变过程和变频控制。英飞凌FF450R12IE4 IGBT主要应用于逆变焊机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
 
  描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 450A
 

  【FF450R12IE4产品参数】

产品: IGBT Silicon Modules
品牌和型号 英飞凌FF450R12IE4
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 450 A
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: PRIME2
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 3

 【FF450R12IE4 产品外形尺寸和结构图】

FF450R12IE4产品外形尺寸和结构图

  【FF450R12IE4 电路图】

FF450R12IE4 工作原理和电路图

 【FF450R12IE4 工作原理】

 
   在栅极“G”上加上一个高于射极“E”的电压,那么集电极“C”和射极“E”之间变成低阻导通状态。如果栅极“G”的电压小于或等于射极“E”的电压,那么集电极“C”和射极“E”之间呈现高阻截止状态。

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