英飞凌FF400R12KE3
【产品特性和运用】
英飞凌FF400R12KE3 KT3 KT4模块应用于UPS、开关电源、变频器、逆变器、电动车辆、充电机、感应加热、轨道交通、电焊机以及新兴的风力发电、太阳能光伏发电、电动车等新能源行业等领域。
产品描述: 62毫米C系列模块,带沟槽/ fieldstopp IGBT3和EMCON高效率二极管,IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE,材料含铅。
【FF400R12KE3 KT3 KT4产品参数】
产品种类: | IGBT 模块 | ||
品牌和型号 | 英飞凌FF400R12KE3 英飞凌FF400R12KT3 英飞凌FF400R12KT4 | ||
产品: | IGBT Silicon Modules | ||
配置: | Dual | ||
集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1200 V | ||
集电极—射极饱和电压: | 2.15 V | ||
在25 C的连续集电极电流: | 580 A | ||
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA | ||
功率耗散: | 2000 W | ||
最大工作温度: | + 125 C | ||
封装 / 箱体: | 62 mm | ||
商标: | Infineon Technologies | ||
栅极/发射极最大电压: | 20 V | ||
最小工作温度: | - 40 C | ||
安装风格: | Screw | ||
工厂包装数量: | 500 | ||
英飞凌FF400R12KE3电路图
【英飞凌FF400R12KE3 KT3 KT4 IGBT模块工作原理】
IGBT模块有三个端子,分别是G,D,S,在G和S两端加上电压后,内部的电子发生转移(半导体材料的特点,这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因),本来是正离子和负离子一一对应,半导体材料呈中性,但是加上电压后,电子在电压的作用下,累积到一边,形成了一层导电沟道,因为电子是可以导电的,变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压,这层导电的沟道就消失了,就不可以导电了,变成了绝缘体。
若在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。