2MBI300S-120是富士针对电机应用、逆变器应用、不间断电源应用、焊机应用等领域推出的平面非穿通型IGBT模块，2MBI300S-120在导通时为了实现低通态电压化，从集电极侧注入大量的载流子，使IGBT内部充满高浓度的载流子，再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层，形成很薄的n-层，从而实现低通态电压。为了实现快速交换，也同时采用以IGBT内充满的载流子快速消失为目的的生命期控制技术（通过这些也能实现低交换损耗（Eoff））。但是，一旦运用了生命期控制技术，即使处通常的导通状态，由于该技术所产生的效果（载流子的输送效率下降），出现了通态电压增加的问题，而过载流子的更进一步高注入化可以解决这个问题。总之，使用外延片技术的IGBT的基本设计理念可以用“高注入、低输送效率”简单扼要地概括出来。相对而言，使用FZ晶片的2MBI300S-120采用了抑制来自集电极侧载流子的注入，并通过降低注入效率来提高输送效率的逆向基本设计。
2MBI300S-120产品参数：
td（on）=0.35μs、td（off）=0.45μs、VCES=1200V、Ic=400A、Icp=800A、Pc=2500W、VCE（th）=7.2V、VCE(sat）=2.3V、VF=2.3V
2MBI300S-120等效电路图：
