SKM200GB128D西门康IGBT
赛米控SKM200GB128D
产品性能和作用
赛米控SKM200GB128D 在中低功率范围能发挥很大作用，这些范围内要求高度的集成水平。它是一款绝缘模块，不需要底板，只需要一个中心安装螺钉。低电感方案、超灵活设计、最新的硅和碳化硅芯片技术，这些都使得该产品拥有广阔的市场，例如UPS、太阳能、电机驱动和焊接。模块采用的是赛米控SPT技术使赛米控SKM200GB128D IGBT模块的性能得到了很大的提升。
赛米控SKM200GB128D基本参数: SPT IGBT模块，200A/1200V；深圳亨力拓库存60个(赛米控SKM200GB128D PDF资料和产品价格可以联系我们索取)。
赛米控SKM200GB128D 等效电路图
赛米控SKM200GB128D 外形封装尺寸和结构图 .mm
赛米控SKM200GB128D安装图示
赛米控SKM200GB128D 结构说明
IGBT结构仍与原始组装方法密切相关。一个或多个陶瓷板DCB（直接铜绑定Direct Copper Bond）焊接到铜底板上， 铜底板也是散热器的安装表面。DCB包含一个两侧喷涂有铜的Al2O3或AlN薄绝缘基板。
芯片的底面焊接到DCB顶部（IGBT：集电极，二极管：通常为阴极）。平行的铝绑定线将芯片顶部（IGBT：栅极和发射极，二极管：阳极）连接到DCB基板相应的衬垫上。有的模块端子直接焊接到这些衬垫上，也有很多端子采用焊接连接或绑定连接机械固定在模块外壳中。
功率模块构建和连接技术之所以不断发展，一方面源于生产和加工模块的成本控制措施，另一方面是出于对模块性能不断增长的需求。这包含对半导体静态负载和短期负载的最佳散热。功率模块通过高效冷却能得到有效利用，高效冷却是获得大功率及最低成本半导体的"必要条件"。因此IGBT和二极管芯片的容许温度一代比一代高，而芯片很高的运行温度和高效的散热能力又提高了对模块设计的温度及功率循环能力要求。这就要求不断开发新型构建和连接技术。
赛米控SKM200GB128D 型号替换说明
由于IGBT管工作在大电流 高电压状态，工作频率较高，发热量大，因此其故障率较高，又由于其价格较高，故代换IGBT管时，应遵循以下原则：首先，尽量用原型号的代换，这样不仅利于固定安装，也比较简便 其次，如果没有相同型号的管子，可用参数相近的IGBT管来代换，一般是用额定电流较大的管子代替额定电流较小的，用高耐压的代替低耐压的，如果参数已经磨掉，可根据其额定功率来代换。
