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FF450R12KE4英飞凌


来源: | 时间:2016年06月10日

FF450R12KE4英飞凌

英飞凌FF450R12KE4产品图
英飞凌FF450R12KE4

英飞凌FF450R12KE4产品描述

   英飞凌FF450R12KE4 是采用第四代IGBT技术带有沟槽结构的IGBT智能模块,具有小巧外形和高集成度的组件,被广泛运用到变频器、伺服器、逆变焊机等各个行业。英飞凌FF450R12KE4 在新能源行业中也占有很重要的地位。
   英飞凌FF450R12KE4等高功率开关的发行使太阳能、风能等新能源行业将得到蓬勃发展,这些行业要求系统的设计,经济、高效、可靠。作为全球功率半导体的领军企业,英飞凌的功率器件,多年来因其稳定、突出的能效而备受电力电子行业推崇,将迎合上述系统要求而大显身手。从风电来看,提高单机功率是个趋势,尤其离岸和潮汐带的风力资源决定需要大功率风机,以提高资源利用率。这就需要更大电流,更高电压的功率半导体器件,主要是高压大电流的IGBT模块和功率组件Stack。
   英飞凌FF450R12KE4基本参数:IGBT 模块 N-CH,1.2KV/520A

   英飞凌FF450R12KE4 电路连接图

英飞凌FF450R12KE4 电路连接图

   英飞凌FF450R12KE4 产品参数

产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
品牌和型号 英飞凌FF450R12KE4
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 520 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 2400 W
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: 62 mm
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: 20 V
最小工作温度: - 40 C
产品资料和价格 联系我们咨询和索取
深圳亨力拓电子库存 50个以上
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10

   英飞凌FF450R12KE4  封装尺寸和外形结构图.mm

英飞凌FF450R12KE4封装尺寸和外形结构图

 英飞凌FF450R12KE4 IGBT在焊机中的作用

  软开关逆变焊机正成为逆变焊机未来的主流方向,在20KHz的软开关模式下IGBT的通态损耗大于开关损耗,因此寻找一款满足软开关逆变焊机低饱和压降要求的高速IGBT芯片显得非常迫切,英飞凌公司的第四代IGBT—T4很好地满足了这一要求,仿真和实验结果表明散热器温度明显降低,结温安全裕量大大增加,英飞凌FF450R12KE4可靠性显著提高,目前采用这款IGBT芯片的模块正被越来越多的软开关逆变焊机客户所使用。

 


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